[發(fā)明專利]半導(dǎo)體封裝裝置及其制造方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710905195.8 | 申請日： | 2017-09-29 |
| 公開（公告）號： | CN107946287B | 公開（公告）日： | 2023-05-26 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 劉京植;李梁遠(yuǎn);金錫奉 | 申請（專利權(quán)）人： | 日月光半導(dǎo)體(韓國)有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/552 | 分類號： | H01L23/552;H01L21/50 |
| 代理公司： | 北京律盟知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11287 | 代理人： | 林斯凱 |
| 地址： | 韓國*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 半導(dǎo)體 封裝 裝置 及其 制造 方法 | ||
1.一種制造半導(dǎo)體封裝裝置的方法，其包括：
提供包括接地元件的襯底；
在所述襯底的頂部表面上安置裸片；
在所述襯底的所述頂部表面上形成封裝主體以覆蓋所述裸片；
在所述襯底的底部表面上形成互連元件；
在所述襯底的所述底部表面上安置第一絕緣膜，其中所述第一絕緣膜覆蓋所述互連元件的第一部分并且暴露所述互連元件的第二部分；
在所述第一絕緣膜和所述互連元件的第二部分上形成第二絕緣膜，其中所述第二絕緣膜與所述互連元件相符；
在形成所述第二絕緣膜之后，在所述封裝主體的外表面和所述襯底的橫向表面上形成屏蔽層，其中所述屏蔽層連接到所述接地元件；以及
在形成所述屏蔽層之后，移除所述第二絕緣膜。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中安置所述第一絕緣膜包括在所述襯底的所述底部表面上附接具有孔的所述第一絕緣膜以通過所述孔暴露所述互連元件的所述第二部分。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中形成所述第二絕緣膜包括：
在所述第一絕緣膜和所述互連元件的第二部分上涂覆所述第二絕緣膜的材料；以及
固化所述材料以形成所述第二絕緣膜。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其中所述第二絕緣膜的所述材料選自熱固化樹脂或UV固化樹脂，并且固化所述材料包括執(zhí)行熱固化或UV固化。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中移除所述第二絕緣膜包括：
在液體中浸漬所述第二絕緣膜；以及
通過使用噴水移除所述第二絕緣膜。
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