[發明專利]半導體裝置

有效

• 申請號: 201710903364.4
• 申請日: 2017-09-29
• 公開（公告）號: CN107946361B
• 公開（公告）日: 2023-03-03
• 發明（設計）人: 張艷爭
• 申請（專利權）人: 富士電機株式會社
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L21/336;H01L29/45;H01L23/488
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 孫昌浩;李盛泉

1.一種半導體裝置，其特征在于，具備：

半導體基板；

絕緣膜，其包含氧，且設置于所述半導體基板上，具有使所述半導體基板露出的開口；

第一勢壘金屬部，其至少設置于所述開口的底部，由一種以上的膜層疊而成；以及

上部電極，其設置于所述絕緣膜的上方，并且以Al為主要成分，或者以Cu為主要成分，

在所述絕緣膜的上表面與所述上部電極之間還具備與所述第一勢壘金屬部的構成不同的第二勢壘金屬部，

所述第二勢壘金屬部具有上表面與所述上部電極直接接觸且下表面與所述絕緣膜直接接觸的氮化鈦膜。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，所述第一勢壘金屬部具有層疊膜，所述層疊膜是鈦膜和所述鈦膜上的氮化鈦膜的層疊膜。

3.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，在所述絕緣膜的所述開口還具備具有鎢的插塞。

4.根據權利要求2所述的半導體裝置，其特征在于，在所述絕緣膜的所述開口還具備具有鎢的插塞。

5.根據權利要求3所述的半導體裝置，其特征在于，所述第二勢壘金屬部也被設置在所述插塞與所述上部電極之間。

6.根據權利要求4所述的半導體裝置，其特征在于，所述第二勢壘金屬部也被設置在所述插塞與所述上部電極之間。

7.根據權利要求3至6中任一項所述的半導體裝置，其特征在于，所述絕緣膜的上表面和所述上部電極之間的所述第二勢壘金屬部與所述插塞的上表面和所述上部電極之間的所述第二勢壘金屬部連續。

8.根據權利要求7所述的半導體裝置，其特征在于，所述上部電極的材料包含硅。

9.根據權利要求1至6中任一項所述的半導體裝置，其特征在于，功率元件部以及控制所述功率元件部的控制電路部設置于所述半導體基板，所述功率元件部至少具有所述絕緣膜、所述第一勢壘金屬部、所述第二勢壘金屬部和所述上部電極。

10.根據權利要求7所述的半導體裝置，其特征在于，功率元件部以及控制所述功率元件部的控制電路部設置于所述半導體基板，所述功率元件部至少具有所述絕緣膜、所述第一勢壘金屬部、所述第二勢壘金屬部和所述上部電極。

11.根據權利要求8所述的半導體裝置，其特征在于，功率元件部以及控制所述功率元件部的控制電路部設置于所述半導體基板，所述功率元件部至少具有所述絕緣膜、所述第一勢壘金屬部、所述第二勢壘金屬部和所述上部電極。

12.根據權利要求1至6中任一項所述的半導體裝置，其特征在于，在所述上部電極上還具備與所述上部電極電連接的銅線。

13.根據權利要求7所述的半導體裝置，其特征在于，在所述上部電極上還具備與所述上部電極電連接的銅線。

14.根據權利要求8所述的半導體裝置，其特征在于，在所述上部電極上還具備與所述上部電極電連接的銅線。

15.根據權利要求9所述的半導體裝置，其特征在于，在所述上部電極上還具備與所述上部電極電連接的銅線。

16.根據權利要求10所述的半導體裝置，其特征在于，在所述上部電極上還具備與所述上部電極電連接的銅線。

17.根據權利要求11所述的半導體裝置，其特征在于，在所述上部電極上還具備與所述上部電極電連接的銅線。