[發(fā)明專利]液晶顯示面板的制作方法及液晶顯示面板

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710901828.8
• 申請日: 2017-09-28
• 公開（公告）號: CN107479291B
• 公開（公告）日: 2020-04-07
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 卞峰苓
• 申請（專利權(quán)）人: 深圳市華星光電半導(dǎo)體顯示技術(shù)有限公司
• 主分類號: G02F1/1362
• 分類號: G02F1/1362;G02F1/1368;G02F1/1343
• 代理公司: 深圳市德力知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所 44265
• 代理人: 林才桂

本發(fā)明提供一種液晶顯示面板的制作方法及液晶顯示面板。該方法利用第二金屬層圖案化時所采用的掩膜板對第二基板上的公共電極進(jìn)行圖案化，使得公共電極上形成于所述第二金屬層的圖案相同的鏤空區(qū)，從而減小第二金屬層與公共電極之間的電容，減輕水平串?dāng)_問題，提升液晶顯示面板的顯示品質(zhì)。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種液晶顯示面板的制作方法及液晶顯示面板。

背景技術(shù)

隨著顯示技術(shù)的發(fā)展，液晶顯示器(Liquid Crystal Display，LCD)等平面顯示裝置因具有高畫質(zhì)、省電、機身薄及應(yīng)用范圍廣等優(yōu)點，而被廣泛的應(yīng)用于手機、電視、個人數(shù)字助理、數(shù)字相機、筆記本電腦、臺式計算機等各種消費性電子產(chǎn)品，成為顯示裝置中的主流。

現(xiàn)有的液晶顯示器大部分為背光型液晶顯示器，其包括殼體、設(shè)于殼體內(nèi)的液晶面板及設(shè)于殼體內(nèi)的背光模組。通常液晶面板由一彩膜(Color Filter，CF)基板、一陣列基板(Thin Film Transistor Array Substrate，TFT Array Substrate)以及一填充于兩基板間的液晶層(Liquid Crystal Layer)所構(gòu)成，其工作原理是通過在CF基板和TFT基板上施加驅(qū)動電壓來控制液晶層的液晶分子的旋轉(zhuǎn)，控制光的輸出量，將背光模組的光線折射出來產(chǎn)生畫面。

通常液晶顯示面板其成型工藝一般包括：前段陣列(Array)制程(薄膜、黃光、蝕刻及剝膜)、中段成盒(Cell)制程(TFT基板與CF基板貼合)及后段模組組裝制程(驅(qū)動IC與印刷電路板壓合)。其中，前段Array制程主要是形成TFT基板，以便于控制液晶分子的運動；中段Cell制程主要是在TFT基板與CF基板之間添加液晶；后段模組組裝制程主要是驅(qū)動IC壓合與印刷電路板的整合，進(jìn)而驅(qū)動液晶分子轉(zhuǎn)動，顯示圖像。

現(xiàn)有的液晶顯示面板中畫面顯示時，陣列基板的數(shù)據(jù)線上的電壓會與彩膜基板上的公共電極上的公共電壓(CF_com)耦合，容易產(chǎn)生水平串?dāng)_，導(dǎo)致顯示不良，尤其是在三柵極(Tri-gate)架構(gòu)及高分辨率的液晶顯示面板中，由于三柵極(Tri-gate)架構(gòu)及高分辨率的液晶顯示面板的饋通電壓(feedthrough)更大且充電時間更短，水平串?dāng)_問題也更嚴(yán)重。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的在于提供一種液晶顯示面板的制作方法，能夠減少水平串?dāng)_，提升顯示品質(zhì)。

本發(fā)明的目的還在于提供一種液晶顯示面板，能夠減少水平串?dāng)_，提升顯示品質(zhì)。

為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了一種液晶顯示面板的制作方法，包括如下步驟：

步驟S1、提供第一基板，在所述第一基板上形成第一金屬層及覆蓋所述第一金屬層及第一基板的第一絕緣層；

步驟S2、在所述第一絕緣層上沉積第二金屬薄膜，通過一掩膜板對所第二金屬薄膜進(jìn)行圖案化，得到第二金屬層；

步驟S3、在所述第二金屬層和第一絕緣層上沉積第二絕緣層，在所述第二絕緣層上形成像素電極；

步驟S4、提供第二基板，在所述第二基板上沉積公共電極薄膜，通過步驟S2中的掩膜板對所述公共電極薄膜進(jìn)行圖案化，形成公共電極，所述公共電極上形成有與所述第二金屬層的圖案相同的鏤空區(qū)；

步驟S5、將所述第一基板與所述第二基板對組成盒，并在第一基板和第二基板之間形成液晶層，得到液晶顯示面板。

所述第一金屬層包括：柵極、以及與所述柵極電性連接的掃描線。

所述第二金屬層包括：源極、與所述源極電性連接的數(shù)據(jù)線、以及與所述像素電極電性連接的漏極。

所述步驟S1還包括：在所述第一金屬層和第一絕緣層之間形成柵極絕緣層，在所述柵極絕緣層和第一絕緣層之間形成半導(dǎo)體層。