[發(fā)明專利]發(fā)光裝置復合基板及具有該發(fā)光裝置復合基板的LED模組

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710899726.7
• 申請日: 2015-07-17
• 公開（公告）號: CN107785475B
• 公開（公告）日: 2020-02-07
• 發(fā)明（設計）人: 張景瓊;鄭子淇
• 申請（專利權）人: 開發(fā)晶照明(廈門)有限公司
• 主分類號: H01L33/48
• 分類號: H01L33/48;H01L33/62;H01L25/075;H01L33/64;H05K1/02;H05K1/18
• 代理公司: 44393 深圳精智聯合知識產權代理有限公司
• 代理人: 夏聲平

本發(fā)明涉及一種發(fā)光裝置復合基板及具有該發(fā)光裝置復合基板的LED模組。其中，發(fā)光裝置復合基板包括金屬基底、絕緣載體與電極，所述金屬基底與所述絕緣載體分別具有相對的正面和背面，所述絕緣載體位于所述金屬基底外圍且與所述金屬基底固定連接，所述電極位于所述絕緣載體上，所述電極貫穿所述絕緣載體，所述電極具有相對的正面和背面，所述絕緣載體的背面及所述電極的背面的高度小于所述金屬基底的背面的高度。本發(fā)明還提供一種LED模組。上述發(fā)光裝置復合基板具有可降低成本的優(yōu)點。

本申請為“申請?zhí)枮?01510423059.6，發(fā)光裝置復合基板及具有該發(fā)光裝置復合基板的LED模組”的分案。

技術領域

本發(fā)明涉及LED照明技術領域，特別涉及一種發(fā)光裝置復合基板及具有該發(fā)光裝置復合基板的LED模組。

背景技術

發(fā)光二極管(Light Emitting Diode,LED)是一種能夠將電能轉化成可見光的固態(tài)半導體器件，其可以直接把電能轉化為光。由于LED光源具有節(jié)能、壽命長、環(huán)保等特點，決定了LED是替代傳統(tǒng)光源的較理想光源，具有廣泛的用途。

LED模組通常包括LED芯片、COB(Chip On Board)基板、電路板及散熱器；其中，LED芯片位于基板上并通過COB基板上的電極與電路板電性連接，散熱器位于COB基板的下方，用于將LED芯片發(fā)光時所產生的熱量散發(fā)出去。

現有的COB基板上的電極通常都只設置在COB基板的正面?zhèn)龋瑸闇p少焊接時出現異常，通常COB基板需要配合連接器(Connector)一起使用。然而，連接器一般具有較高的價格，因此其會造成LED模組成本的上升。

發(fā)明內容

因此，針對現有技術中的不足，本發(fā)明提出一種發(fā)光裝置復合基板及具有該發(fā)光裝置復合基板的LED模組。

具體地，本發(fā)明實施例提供的一種發(fā)光裝置復合基板，其包括金屬基底、絕緣載體與電極，所述金屬基底與所述絕緣載體分別具有相對的正面和背面，所述絕緣載體位于所述金屬基底外圍且與所述金屬基底固定連接，所述電極位于所述絕緣載體上，所述電極貫穿所述絕緣載體，所述電極具有相對的正面和背面，所述絕緣載體的背面及所述電極的背面的高度小于所述金屬基底的背面的高度。

在本發(fā)明的一個實施例中，所述電極的背面的高度與所述金屬基底的背面的高度差大于0.2mm，優(yōu)選為0.25mm。

在本發(fā)明的一個實施例中，所述金屬基底優(yōu)選由銅形成。

在本發(fā)明的一個實施例中，所述金屬基底形成有多個孔洞，所述孔洞內填充有絕緣材料，所述絕緣載體具有多個向所述金屬基底方向延伸的凸出結構，所述凸出結構與所述孔洞內的絕緣材料相接。

在本發(fā)明的一個實施例中，所述絕緣載體在靠近所述金屬基底處形成有防水結構，其中所述防水結構為防水槽。

在本發(fā)明的一個實施例中，所述防水結構具有依次連接的內側面、上表面、外側面及底面，所述內側面靠近所述金屬基底側并形成光學反射面，所述外側面與所述內側面相對，所述上表面連接于所述外側面與所述內側面之間且構成槽面，所述底面與所述上表面相對，所述上表面及所述底面上分別形成有粗化結構。

在本發(fā)明的一個實施例中，所述絕緣載體在與所述金屬基底的連接面形成有粗化結構。

在本發(fā)明的一個實施例中，所述絕緣載體在與所述電極的連接面形成有粗化結構。

在本發(fā)明的一個實施例中，所述絕緣載體為一體成型結構。

在本發(fā)明的一個實施例中，所述電極包括正極與負極。

在本發(fā)明的一個實施例中，所述電極在靠近所述金屬基底側形成有焊線區(qū)。