[發明專利]發光裝置復合基板及具有該發光裝置復合基板的LED模組

有效

• 申請號: 201710899726.7
• 申請日: 2015-07-17
• 公開（公告）號: CN107785475B
• 公開（公告）日: 2020-02-07
• 發明（設計）人: 張景瓊;鄭子淇
• 申請（專利權）人: 開發晶照明(廈門)有限公司
• 主分類號: H01L33/48
• 分類號: H01L33/48;H01L33/62;H01L25/075;H01L33/64;H05K1/02;H05K1/18
• 代理公司: 44393 深圳精智聯合知識產權代理有限公司
• 代理人: 夏聲平

1.一種發光裝置復合基板，其用于LED芯片的安裝，其包括金屬基底、絕緣載體與電極，所述金屬基底與所述絕緣載體分別具有相對的正面和背面，所述絕緣載體位于所述金屬基底外圍且與所述金屬基底固定連接，所述電極位于所述絕緣載體上，其特征在于，所述電極貫穿所述絕緣載體，所述電極具有相對的正面和背面，所述絕緣載體的背面及所述電極的背面的高度小于所述金屬基底的背面的高度；其中，所述電極的背面用于與電路板直接電性連接；

其中，所述絕緣載體在靠近所述金屬基底處形成有防水結構，所述防水結構為防水槽；其中，所述防水結構具有依次連接的內側面、上表面、外側面及底面，所述內側面靠近所述金屬基底側并形成光學反射面，所述外側面與所述內側面相對，所述上表面連接于所述外側面與所述內側面之間且構成槽面，所述底面與所述上表面相對，所述上表面及所述底面上分別形成有粗化結構。

2.如權利要求1所述的發光裝置復合基板，其特征在于，所述電極的背面的高度與所述金屬基底的背面的高度差大于0.2mm。

3.如權利要求1所述的發光裝置復合基板，其特征在于，所述金屬基底由銅形成。

4.如權利要求1所述的發光裝置復合基板，其特征在于，所述金屬基底形成有多個孔洞，所述孔洞內填充有絕緣材料，所述絕緣載體具有多個向所述金屬基底方向延伸的凸出結構，所述凸出結構與所述孔洞內的絕緣材料相接。

5.如權利要求1所述的發光裝置復合基板，其特征在于，所述絕緣載體在與所述金屬基底的連接面形成有粗化結構，所述絕緣載體在與所述電極的連接面形成有粗化結構，所述絕緣載體為一體成型結構。

6.如權利要求1所述的發光裝置復合基板，其特征在于，所述電極包括正極與負極，所述電極在靠近所述金屬基底側形成有焊線區。

7.一種LED模組，其包括電路板、發光裝置復合基板、LED芯片及散熱器，其中發光裝置復合基板包括金屬基底、絕緣載體與電極，所述金屬基底與所述絕緣載體分別具有相對的正面和背面，所述絕緣載體位于所述金屬基底外圍且與所述金屬基底固定連接，所述電極位于所述絕緣載體上，所述LED芯片設于所述金屬基底的正面并與所述電極電性連接，其特征在于，所述電極貫穿所述絕緣載體，所述電極具有相對的正面和背面，所述絕緣載體的背面及所述電極的背面的高度小于所述金屬基底的背面的高度，所述電路板連接于所述絕緣載體的背面及所述電極的背面，所述電路板與所述電極形成電性連接，所述散熱器與所述金屬基底的背面熱性接觸；

其中，所述絕緣載體在靠近所述金屬基底處形成有防水結構，所述防水結構為防水槽；其中，所述防水結構具有依次連接的內側面、上表面、外側面及底面，所述內側面靠近所述金屬基底側并形成光學反射面，所述外側面與所述內側面相對，所述上表面連接于所述外側面與所述內側面之間且構成槽面，所述底面與所述上表面相對，所述上表面及所述底面上分別形成有粗化結構。

8.如權利要求7所述的LED模組，其特征在于，所述電極的背面的高度與所述金屬基底的背面的高度差為0.25mm。

9.如權利要求7所述的LED模組，其特征在于，所述電路板的厚度小于或等于所述電極背面與所述金屬基底背面的高度差。