[發(fā)明專利]一種陣列基板的制備方法及陣列基板、顯示裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710898203.0
• 申請(qǐng)日: 2017-09-28
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN107731854B
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-05-05
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 周剛;楊小飛;沈武林
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 京東方科技集團(tuán)股份有限公司;成都京東方光電科技有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/12
• 分類號(hào): H01L27/12;G02F1/1368
• 代理公司: 北京同達(dá)信恒知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11291
• 代理人: 郭潤(rùn)湘

本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，公開(kāi)一種陣列基板的制備方法及陣列基板、顯示裝置。陣列基板的制備方法包括：在襯底基板的一側(cè)形成鈍化層的膜層；在所述鈍化層的膜層上形成金屬反射層的圖形；通過(guò)構(gòu)圖工藝在所述鈍化層的膜層上形成鈍化層過(guò)孔，并在所述金屬反射層中用于與源漏電極層連接的電極覆蓋區(qū)內(nèi)形成減薄區(qū)域。在形成鈍化層過(guò)孔的構(gòu)圖工藝過(guò)程中，同時(shí)在金屬反射層中用于與源漏電極層連接的電極覆蓋區(qū)內(nèi)形成減薄區(qū)域，可將電極覆蓋區(qū)內(nèi)的至少一部分保護(hù)膜去除，從而可提高電極覆蓋區(qū)域的導(dǎo)電性能，改善了由于金屬反射層的表面形成的保護(hù)膜導(dǎo)致的導(dǎo)電材料和金屬反射層之間的接觸導(dǎo)電性降低、進(jìn)而導(dǎo)致顯示裝置產(chǎn)生亮暗不均的問(wèn)題。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種陣列基板的制備方法及陣列基板、顯示裝置。

背景技術(shù)

液晶顯示裝置根據(jù)其使用的光源不同，可分為透射式、全反射式和半透半反式。其中，全反射式顯示裝置以前置光源或者環(huán)境光源作為光源，不需使用背光源，因此功耗較低。在TN(Twiste Dnematic)模式的全反射式液晶顯示裝置中，通過(guò)在其陣列基板的表面設(shè)置一層金屬反射層來(lái)對(duì)外界入射的光線進(jìn)行反射，該陣列基板需要通過(guò)6次光刻工藝制成，6次光刻工藝依次形成柵極層、有源層、源漏電極層、鈍化層、連接線層和金屬反射層的圖形，其中，金屬反射層還用作像素電極，在鈍化層上需形成過(guò)孔，具體包括陣列基板的顯示區(qū)域中連接薄膜晶體管漏極和像素電極的過(guò)孔、以及外圍集成電路區(qū)域中的轉(zhuǎn)接過(guò)孔，在轉(zhuǎn)接過(guò)孔內(nèi)設(shè)有連接線層。

在金屬反射層圖形的制備過(guò)程中，由于連接線層的致密性不足，轉(zhuǎn)接過(guò)孔內(nèi)的連接線層易被金屬反射層的刻蝕液腐蝕。現(xiàn)有的解決方法為在鈍化層的膜層形成之后首先形成金屬反射層的圖形，再形成鈍化層過(guò)孔，可避免金屬反射層的刻蝕液對(duì)連接線層過(guò)孔造成腐蝕。由于金屬反射層還用作像素電極，在后續(xù)制備過(guò)程中還需使用連接線層將金屬反射層與源漏電極層連接，但是，由于目前常用的金屬反射層材料為易發(fā)生鈍化反應(yīng)的鋁釹材料，因此金屬反射層的表面易形成一層致密的保護(hù)膜，該保護(hù)膜的導(dǎo)電性差，會(huì)降低連接線層和金屬反射層之間的接觸導(dǎo)電性，進(jìn)而導(dǎo)致顯示裝置產(chǎn)生亮暗不均的顯示問(wèn)題。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明提供了一種陣列基板的制備方法及陣列基板、顯示裝置，用以解決現(xiàn)有的陣列基板的制備方法中由于金屬反射層的表面形成的保護(hù)膜導(dǎo)致的導(dǎo)電材料和金屬反射層之間的接觸導(dǎo)電性降低、進(jìn)而導(dǎo)致顯示裝置產(chǎn)生亮暗不均的問(wèn)題。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供如下的技術(shù)方案：

一種陣列基板的制備方法，包括：

在襯底基板的一側(cè)形成鈍化層的膜層；

在所述鈍化層的膜層上形成金屬反射層的圖形；

通過(guò)構(gòu)圖工藝在所述鈍化層的膜層上形成鈍化層過(guò)孔，并在所述金屬反射層中用于與源漏電極層連接的電極覆蓋區(qū)內(nèi)形成減薄區(qū)域。

本發(fā)明提供的陣列基板的制備方法中，在形成鈍化層的膜層和金屬反射層的圖形之后，在形成鈍化層過(guò)孔的構(gòu)圖工藝過(guò)程中，同時(shí)在金屬反射層中用于與源漏電極層連接的電極覆蓋區(qū)內(nèi)形成減薄區(qū)域，可將電極覆蓋區(qū)內(nèi)的至少一部分保護(hù)膜去除，從而可提高電極覆蓋區(qū)域的導(dǎo)電性能，改善了由于金屬反射層的表面形成的保護(hù)膜導(dǎo)致的導(dǎo)電材料和金屬反射層之間的接觸導(dǎo)電性降低、進(jìn)而導(dǎo)致顯示裝置產(chǎn)生亮暗不均的問(wèn)題。

可選地，所述通過(guò)構(gòu)圖工藝在所述鈍化層的膜層上形成鈍化層過(guò)孔，并在所述金屬反射層中用于與源漏電極層連接的電極覆蓋區(qū)內(nèi)形成減薄區(qū)域，具體包括：

在所述金屬反射層和所述鈍化層上形成光刻膠層；

對(duì)所述光刻膠層進(jìn)行曝光顯影，去除所述光刻膠層中與所述鈍化層過(guò)孔對(duì)應(yīng)的區(qū)域、以及與所述電極覆蓋區(qū)的至少一部分對(duì)應(yīng)的區(qū)域；

對(duì)所述金屬反射層和所述鈍化層進(jìn)行刻蝕，在所述鈍化層的膜層上形成鈍化層過(guò)孔，并減薄所述電極覆蓋區(qū)的至少一部分。