[發(fā)明專利]一種陣列基板的制備方法及陣列基板、顯示裝置

有效

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• 申請日: 2017-09-28
• 公開（公告）號: CN107731854B
• 公開（公告）日: 2020-05-05
• 發(fā)明（設計）人: 周剛;楊小飛;沈武林
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司;成都京東方光電科技有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;G02F1/1368
• 代理公司: 北京同達信恒知識產權代理有限公司 11291
• 代理人: 郭潤湘

1.一種陣列基板的制備方法，其特征在于，包括：

在襯底基板的一側形成鈍化層的膜層；在所述鈍化層的膜層上形成有金屬反射層及金屬反射層圖形，且所述金屬反射層圖形能夠令所述鈍化層的一部分露出所述金屬反射層；

通過構圖工藝在所述鈍化層的膜層上形成鈍化層過孔，并在所述金屬反射層中用于與源漏電極層連接的電極覆蓋區(qū)內形成減薄區(qū)域。

2.根據(jù)權利要求1所述的陣列基板的制備方法，其特征在于，所述通過構圖工藝在所述鈍化層的膜層上形成鈍化層過孔，并在所述金屬反射層中用于與源漏電極層連接的電極覆蓋區(qū)內形成減薄區(qū)域，具體包括：

在所述金屬反射層和所述鈍化層上形成光刻膠層；

對所述光刻膠層進行曝光顯影，去除所述光刻膠層中與所述鈍化層過孔對應的區(qū)域、以及與所述電極覆蓋區(qū)的至少一部分對應的區(qū)域；

對所述金屬反射層和所述鈍化層進行刻蝕，在所述鈍化層的膜層上形成鈍化層過孔，并減薄所述電極覆蓋區(qū)的至少一部分。

3.根據(jù)權利要求2所述的陣列基板的制備方法，其特征在于，所述減薄區(qū)域的面積小于所述電極覆蓋區(qū)的面積。

4.根據(jù)權利要求2所述的陣列基板的制備方法，其特征在于，所述減薄區(qū)域的面積大于或等于所述電極覆蓋區(qū)的面積。

5.根據(jù)權利要求2所述的陣列基板的制備方法，其特征在于，所述鈍化層過孔包括位于顯示區(qū)域中用于連接像素電極和薄膜晶體管漏極的連接過孔、以及位于外圍集成電路區(qū)域中的轉接過孔。

6.根據(jù)權利要求5所述的陣列基板的制備方法，其特征在于，所述通過構圖工藝在所述鈍化層的膜層上形成鈍化層過孔，并減薄所述金屬反射層中用于與源漏電極層連接的區(qū)域中的至少一部分之后，還包括：

在所述連接過孔和所述轉接過孔內形成連接線層。

7.根據(jù)權利要求1所述的陣列基板的制備方法，其特征在于，所述在襯底基板上形成鈍化層的膜層之前，還包括：

在所述襯底基板上依次形成柵極層的圖形、柵絕緣層、有源層的圖形和源漏電極層的圖形。

8.一種陣列基板，其特征在于，包括襯底基板和依次設置于所述襯底基板上的鈍化層、金屬反射層和連接線層，其中：

所述金屬反射層中用于與源漏電極層連接的電極覆蓋區(qū)內形成有減薄區(qū)域。

9.根據(jù)權利要求8所述的陣列基板，其特征在于，所述減薄區(qū)域的面積小于所述電極覆蓋區(qū)的面積；或，減薄區(qū)域的面積大于或等于所述電極覆蓋區(qū)的面積。

10.一種顯示裝置，其特征在于，包括如權利要求8或權利要求9所述的陣列基板。