[發明專利]形成金手指結構的方法在審
| 申請號： | 201710897819.6 | 申請日： | 2017-09-28 |
| 公開（公告）號： | CN109587941A | 公開（公告）日： | 2019-04-05 |
| 發明（設計）人： | 楊偉雄;石漢青;范立文;胡峻榕;溫少群 | 申請（專利權）人： | 健鼎（無錫）電子有限公司 |
| 主分類號： | H05K1/11 | 分類號： | H05K1/11 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律師事務所 11105 | 代理人： | 陳小雯 |
| 地址： | 江蘇省無錫市*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 金屬層 基板 金手指結構 方向實質 激光處理 橫跨 平行 鄰近 暴露 延伸 | ||
1.一種制造金手指結構的方法，包含：
形成至少一金屬層于一基板上，該至少一金屬層鄰近該基板的一邊緣；以及
使用一激光處理該至少一金屬層以形成一第一凹槽于該至少一金屬層中并暴露出該基板，該第一凹槽的一延伸方向實質上平行于該基板的該邊緣且橫跨經處理的該至少一金屬層。
2.如權利要求1所述的方法，其中所述至少一金屬層包含一第一金屬層以及一第二金屬層，該第一金屬層與該第二金屬層彼此分離，且實質上彼此平行排列，該第一及該第二金屬層各自具有一矩形上視輪廓，且該第一及該第二金屬層各自的一短邊實質上平行于該基板的該邊緣，其中該第一凹槽位于該第一金屬層。
3.如權利要求2所述的方法，其中使用該激光處理該至少一金屬層的步驟包含：使用該激光處理該第二金屬層以形成一第二凹槽于該第二金屬層中并暴露出該基板，該第二凹槽與該基板的該邊緣之間的一距離不同于該第一凹槽與該基板的該邊緣之間的一距離。
4.如權利要求1所述的方法，其中形成該至少一金屬層的步驟包含：
形成一導電層于該基板上，該導電層包含銀層、銅層、金層、或鋁層；
形成一阻障層于該導電層上；以及
形成一硬金層于該阻障層上方。
5.如權利要求4所述的方法，在形成該阻障層后，但在形成該硬金層前，還包含形成一鈀層或金層于該阻障層上。
6.如權利要求1所述的方法，其中該第一凹槽的寬度介于2至6mil。
7.一種制造金手指結構的方法，包含：
形成至少一金屬層于一基板上，該至少一金屬層鄰近該基板的一邊緣，該至少一金屬層包含一導電層及一硬金層，該硬金層配置于該導電層上；
使用一激光處理該金屬層以形成一凹槽于該金屬層中，該凹槽暴露出該導電層，該凹槽的一延伸方向平行于該基板的該邊緣，且橫跨經處理的該至少一金屬層；以及
移除該凹槽的該導電層以暴露出該基板。
8.如權利要求7所述的方法，其中所述至少一金屬層包含一第一金屬層以及一第二金屬層，該第一金屬層與該第二金屬層彼此分離，且實質上彼此平行排列，該第一及該第二金屬層各自具有一矩形上視輪廓，且該第一及該第二金屬層各自的一短邊實質上平行于該基板的該邊緣，其中該第一凹槽位于該第一金屬層。
9.如權利要求8所述的方法，其中使用該激光處理該至少一金屬層的步驟包含：使用該激光處理該第二金屬層以形成一第二凹槽于該第二金屬層中并暴露出該基板，該第二凹槽與該基板的該邊緣之間的一距離不同于該第一凹槽與該基板的該邊緣之間的一距離。
10.如權利要求7所述的方法，其中該導電層的一厚度介于10至15μm。
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