[發明專利]掩膜板和曝光設備

有效

• 申請號: 201710895606.X
• 申請日: 2017-09-28
• 公開（公告）號: CN107807493B
• 公開（公告）日: 2020-08-07
• 發明（設計）人: 徐元杰;祁小敬;高山
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司;成都京東方光電科技有限公司
• 主分類號: G03F1/32
• 分類號: G03F1/32
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 姜春咸;陳源

本發明提供一種掩膜板，用于對陣列基板進行曝光，所述陣列基板包括顯示區域和環繞所述顯示區域的周邊區域，所述顯示區域包括多個顯示有源區，所述周邊區域包括多個周邊有源區，所述周邊有源區的長度大于所述顯示有源區的長度，所述掩膜板包括掩膜層，所述掩膜層包括對應于所述周邊有源區的第一掩膜部，所述第一掩膜部包括多個彼此間隔的掩膜條；在所述第一掩膜部中，所述掩膜條的透光程度與其他部分的透光程度不同。相應地，本發明還提供一種曝光設備，本發明能夠提高對陣列基板有源區曝光的均勻性。

技術領域

本發明涉及顯示裝置的制作領域，具體涉及一種掩膜板和曝光

設備。

背景技術

在陣列基板中，顯示區設置有多個用于顯示的薄膜晶體管，非顯示區設置有多個用于防靜電的薄膜晶體管。通常，顯示區的薄膜晶體管的有源層寬度通常較小，以減少漏電；非顯示區的薄膜晶體管的有源層寬度較大，以提高防靜電效果。在陣列基板的制作過程中，為了減少工藝步驟，越來越多的廠商將薄膜晶體管的有源層和源漏電極采用一張半色調掩膜板(Half Tone Mask，HTM)來制作。半色調掩膜板包括透光區、半透光區和不透光區，其中，半透光區設置有半透光膜(透光率優選為50％)。以采用正性光刻膠為例，在曝光時，將半色調掩膜板的不透光區對應源漏電極區；半透光區對應有源區；透光區對應其他區域；以使顯影后，有源區的光刻膠保留一部分，源漏電極區的光刻膠全部保留，其他區域的光刻膠被去除。但是，在曝光過程中，光源是從掩膜板的一側向另一側掃描的，掃描時會產生拖影，即，光線從不透光區剛進入半透光區以及即將進入不透光區時，透光率會有一定的過渡，進而導致半透光區的實際透光率較大，中間的實際透光率較小。如圖1所示的是利用半透光膜對長度較大的有源區進行曝光時各位置的透光率示意圖，圖中實線為理論透光率曲線，虛線為實際透光率曲線，可以看出，在實際曝光時，半透光膜的實際透光率逐漸過渡為50％時，還會有一定程度的增加，從而出現過曝光，而有源區的長度越大，過曝光的區域越長，有源區長度方向的中部的過曝光程度越大甚至斷裂，進而降低后續刻蝕構圖的均勻性。

發明內容

本發明旨在至少解決現有技術中存在的技術問題之一，提出了一種掩膜板和曝光設備，以提高有源區的曝光均一性。

為了解決上述技術問題之一，本發明提供一種掩膜板，用于對陣列基板進行曝光，所述陣列基板包括顯示區域和環繞所述顯示區域的周邊區域，所述顯示區域包括多個顯示有源區，所述周邊區域包括多個周邊有源區，所述周邊有源區的長度大于所述顯示有源區的長度，所述掩膜板包括掩膜層，所述掩膜層包括對應于所述周邊有源區的第一掩膜部，所述第一掩膜部包括多個彼此間隔的掩膜條；在所述第一掩膜部中，所述掩膜條的透光程度與其他部分的透光程度不同。

優選地，所述掩膜層還包括與所述顯示有源區對應的第二掩膜部，該第二掩膜部為半透光膜。

優選地，所述陣列基板還包括多個顯示源極區和多個顯示漏極區，每個顯示有源區均對應一個顯示漏極區和一個顯示漏極區，每個顯示有源區均位于相應的顯示漏極區和相應的顯示漏極區之間，

所述掩膜層還包括與所述顯示有源區對應的第二掩膜部、與所述顯示源極區對應的第三掩膜部、與顯示漏極區對應的第四掩膜部和分別設置在所述第二掩膜部兩端的兩個遮光塊；所述第三掩膜部和所述第四掩膜部均不透光，所述第二掩膜部全透光，所述第三掩膜部、所述第四掩膜部和兩個所述遮光塊環繞所述第二掩膜部設置。

優選地，在所述第一掩膜部中，所述掩膜條的透光程度低于其他部分的透光程度。

優選地，在所述第一掩膜部中，

所述掩膜條不透光，其他部分全透光；

或者，所述掩膜條半透光，其他部分全透光；

或者，所述掩膜條不透光，其他部分半透光。