[發明專利]掩膜板和曝光設備有效
| 申請號: | 201710895606.X | 申請日: | 2017-09-28 |
| 公開(公告)號: | CN107807493B | 公開(公告)日: | 2020-08-07 |
| 發明(設計)人: | 徐元杰;祁小敬;高山 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司;成都京東方光電科技有限公司 |
| 主分類號: | G03F1/32 | 分類號: | G03F1/32 |
| 代理公司: | 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112 | 代理人: | 姜春咸;陳源 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 掩膜板 曝光 設備 | ||
1.一種掩膜板,用于對陣列基板進行曝光,所述陣列基板包括顯示區域和環繞所述顯示區域的周邊區域,所述顯示區域包括多個顯示有源區,所述周邊區域包括多個周邊有源區,所述周邊有源區的長度大于所述顯示有源區的長度,所述掩膜板包括掩膜層,其特征在于,所述掩膜層包括對應于所述周邊有源區的第一掩膜部,所述第一掩膜部包括多個彼此間隔的掩膜條;在所述第一掩膜部中,所述掩膜條的透光程度與其他部分的透光程度不同;
所述掩膜層還包括與所述顯示有源區對應的第二掩膜部,該第二掩膜部為半透光膜或者由第三掩膜部、第四掩膜部和兩個遮光塊環繞的全透光區。
2.根據權利要求1所述的掩膜板,其特征在于,在所述第一掩膜部中,所述掩膜條的透光程度低于其他部分的透光程度。
3.根據權利要求2所述的掩膜板,其特征在于,在所述第一掩膜部中,
所述掩膜條不透光,其他部分全透光;
或者,所述掩膜條半透光,其他部分全透光;
或者,所述掩膜條不透光,其他部分半透光。
4.根據權利要求1所述的掩膜板,其特征在于,所述第一掩膜部包括沿其寬度方向排列的兩個所述掩膜條,所述掩膜條的延伸方向與所述第一掩膜部的寬度方向交叉;兩個所述掩膜條之間的距離大于所述周邊有源區的寬度;所述第一掩膜部中,所述掩膜條以外的部分半透光。
5.根據權利要求1所述的掩膜板,其特征在于,所述第一掩膜部包括沿其寬度方向排列的多個所述掩膜條,所述掩膜條的延伸方向與所述第一掩膜部的寬度方向相交叉,距離最遠的兩個第一掩膜條之間的距離小于所述周邊有源區的寬度;或者,
所述第一掩膜部包括沿其長度方向排列的多個所述掩膜條,所述掩膜條的延伸方向與所述第一掩膜部的長度方向相交叉,距離最遠的兩個掩膜條之間的距離小于所述周邊有源區的長度。
6.根據權利要求5所述的掩膜板,其特征在于,所述掩膜條的寬度在0.5μm~1.5μm之間,相鄰兩個掩膜條之間的間距在0.5μm~1.5μm之間。
7.一種曝光設備,其特征在于,包括掃描光源和權利要求1至6中任意一項所述的掩膜板。
8.根據權利要求7所述的曝光設備,其特征在于,當所述掩膜板為權利要求4所述的掩膜板時,所述掃描光源的掃描方向為所述第一掩膜部的長度方向;
當所述掩膜板為權利要求5所述的掩膜板時,所述掃描光源的掃描方向為所述掩膜條的排列方向。
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G03F 圖紋面的照相制版工藝,例如,印刷工藝、半導體器件的加工工藝;其所用材料;其所用原版;其所用專用設備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其專門適用于此的容器;其制備
G03F1-20 .用于通過帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如通過電子束;其制備
G03F1-22 .用于通過100nm或更短波長輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制備
G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜;其制備,例如光學臨近校正(OPC)設計工藝
G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜,例如用于校準或測試的特殊涂層或標記;其制備





