[發明專利]磁傳感器

有效

• 申請號: 201710892742.3
• 申請日: 2017-09-27
• 公開（公告）號: CN107871814B
• 公開（公告）日: 2021-02-12
• 發明（設計）人: 石田拓也
• 申請（專利權）人: 旭化成微電子株式會社
• 主分類號: H01L43/06
• 分類號: H01L43/06;H01L43/04;H01L43/14
• 代理公司: 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇;張會華

本發明提供一種能夠抑制霍爾元件的偏置電壓變動的磁傳感器。本發明的磁傳感器(100)具有霍爾元件(10)、第一面(51)和第二面(52)?；魻栐?10)具有基板(10)和形成在基板(10)上的活性層(12)。第一面(51)為使基板(11)側為下側時成為最上側的面。第二面(52)為使基板(11)側為下側時成為最下側的面。第一面(51)與活性層(12)的靠第一面(51)側的面之間的距離(D)為100μm以下。第一面(51)的算術平均粗糙度(Ra)為1μm以上且為20μm以下。

技術領域

本發明涉及一種磁傳感器。

背景技術

近年來，伴隨著電子設備的小型化，電子零件也在向小型化、薄型化發展。特別是對磁傳感器而言，多數情況下是傳感器的厚度影響著電子設備的厚度，因此，迫切需要使封裝薄型化。

關于使磁傳感器薄型化，例如，專利文獻1中提出了下述內容：將封裝做成無基島構造(省略了用于載置霍爾元件的基島部的構造)。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開2016－21549號公報

發明內容

發明要解決的問題

磁傳感器具有：霍爾元件，其具有基板和形成在基板上的活性層；第一面，其為使基板側為下側時成為最上側的面；及第二面，其為使基板側為下側時成為最下側的面。為了使磁傳感器薄型化，期望的是，縮短霍爾元件的上表面與磁傳感器的第一面之間的距離，但當該距離被縮短時，外部的光就變得容易到達霍爾元件的上表面。相伴于此，存在下述可能性：因光激發導致霍爾元件的偏置電壓Vu變動。

本發明的課題在于，提供一種能夠抑制霍爾元件的偏置電壓變動的磁傳感器。

用于解決問題的方案

為了解決上述課題，本發明的一技術方案的磁傳感器具有：霍爾元件，其具有基板和形成在所述基板上的活性層；第一面，其為使基板側為下側時成為最上側的面；及第二面，其為使基板側為下側時成為最下側的面，第一面與活性層的靠第一面側的面之間的距離為100μm以下，第一面的算術平均粗糙度(Ra)為1μm以上且為20μm以下。

發明的效果

采用本發明的一技術方案，能夠提供一種能夠抑制霍爾元件的偏置電壓變動的磁傳感器。

附圖說明

圖1的(a)是表示實施方式的磁傳感器的立體圖，圖1的(b)是表示實施方式的磁傳感器的俯視圖，圖1的(c)是表示沿圖1的(b)中的C－C截面所對應的剖視圖，圖1的(d)是表示實施方式的磁傳感器的仰視圖。

圖2是表示實施方式的磁傳感器的霍爾元件部分的放大剖視圖。

圖3是表示構成實施方式的磁傳感器的霍爾元件的俯視圖。

圖4是按工序順序來說明實施方式的磁傳感器的制造方法的俯視圖。

圖5是按工序順序來說明實施方式的磁傳感器的制造方法中的樹脂密封工序以及其之后的工序的圖。

附圖標記說明