[發(fā)明專利]一種陣列基板、掩膜板及陣列基板制作方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201710892062.1 | 申請(qǐng)日: | 2017-09-27 |
| 公開(公告)號(hào): | CN107731853A | 公開(公告)日: | 2018-02-23 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 劉興華 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 武漢華星光電技術(shù)有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L27/12 | 分類號(hào): | H01L27/12;H01L29/786;H01L21/77;G03F1/38 |
| 代理公司: | 廣州三環(huán)專利商標(biāo)代理有限公司44202 | 代理人: | 郝傳鑫,熊永強(qiáng) |
| 地址: | 430070 湖北省武漢市武*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 陣列 掩膜板 制作方法 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明屬于平板顯示技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種陣列基板、掩膜板及陣列基板制作方法。
背景技術(shù)
低溫多晶硅(Low Temperature Poly-silicon;簡(jiǎn)稱LTPS)薄膜晶體管液晶顯示器是在封裝過程中,利用準(zhǔn)分子鐳射作為熱源,鐳射光經(jīng)過投射系統(tǒng)后,會(huì)產(chǎn)生能量均勻分布的鐳射光束,投射于非晶硅結(jié)構(gòu)的玻璃基板上,當(dāng)非晶硅結(jié)構(gòu)玻璃基板吸收準(zhǔn)分子鐳射的能量后,會(huì)轉(zhuǎn)變成為多晶硅結(jié)構(gòu),它的最大優(yōu)勢(shì)在于超薄、重量輕、低耗電,可以提供更艷麗的色彩和更清晰的影像。業(yè)內(nèi)LTPS顯示器的封閉結(jié)構(gòu)通常包括一用于覆蓋源/漏極的平坦層,平坦層光阻膜厚2.5μm,烘烤后平坦光阻膜厚均一性在10%以內(nèi),可保證穿透率需求,從而滿足光學(xué)標(biāo)準(zhǔn)。在目前LTPS技術(shù)下,因平坦層采用平面結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì),導(dǎo)致面向背光源的內(nèi)表面反射率偏低,需求背光量大,成本較高。與此同時(shí),在外部光線比較強(qiáng)的情況下,采用平面結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)的平坦層的外表面很容易造成反光而影響觀看視屏效果。
發(fā)明內(nèi)容
為解決現(xiàn)有顯示屏平面結(jié)構(gòu)而造成反射率偏低、反光等問題,本發(fā)明提供一種陣列基板,具體技術(shù)方案如下:
一種陣列基板,包括基板、設(shè)在所述基板上的薄膜晶體管層以及設(shè)于所述薄膜晶體管層上方的平坦層;
所述平坦層遠(yuǎn)離所述薄膜晶體管層的一側(cè)表面形成有凸點(diǎn)。
優(yōu)選的,所述凸點(diǎn)為半球形、半橢圓形、四面錐形中的一種或者多種。
優(yōu)選的,所述半球形的凸點(diǎn)的直徑大小為5-6μm。
上述凸點(diǎn)形成有規(guī)則性凹凸面,后續(xù)各層保持規(guī)則的凹凸面,當(dāng)外界光線照射在顯示屏上時(shí),凹凸面形成漫反射層,從而提高光線反射率,降低背光需求,同時(shí)也弱化了顯示屏面反光現(xiàn)象,觀看效果更佳。
優(yōu)選的,所述薄膜晶體管層包括:
設(shè)于所述基板上的緩沖層;
設(shè)于所述緩沖層上的有源層;
設(shè)于所述緩沖層上并包覆所述有源層的柵極絕緣層;
設(shè)于所述柵極絕緣層上的柵極;
設(shè)于所述柵極絕緣層上并包覆所述柵極的層間絕緣層,以及設(shè)于層間絕緣層上的金屬源/漏極。
優(yōu)選的,所述平坦層遠(yuǎn)離所述薄膜晶體管層的一側(cè)的表面還形成有凹點(diǎn),所述凹點(diǎn)和所述凸點(diǎn)交替設(shè)置。
優(yōu)選的,所述凹點(diǎn)與所述凸點(diǎn)之間通過曲線過度銜接。
優(yōu)選的,所述凸點(diǎn)之間的間距小于所述凸點(diǎn)的寬度。
優(yōu)選的,所述凹點(diǎn)的最低點(diǎn)到所述凸點(diǎn)最高點(diǎn)的高度為0.7-1.3μm。
本發(fā)明還提供一種掩膜板,所述掩膜板包括不透光區(qū)和可透光區(qū),所述不透光區(qū)和可透光區(qū)相互間隔呈周期性布置,所述可透光區(qū)為透光區(qū)或者半透光區(qū)。
優(yōu)選的,所述不透光區(qū)和可透光區(qū)呈近似蜂窩狀結(jié)構(gòu)分布,所述近似蜂窩狀結(jié)構(gòu)包括黑色格,所述黑色格通過白色邊緣間隔開,所述黑色格為不透光區(qū)所在區(qū)域,所述白色邊緣為可透光區(qū)所在區(qū)域;所述黑色格為邊長(zhǎng)為5-7μm的方格,所述白色邊緣的寬度小于黑色格的邊長(zhǎng)。
優(yōu)選的,所述不透光區(qū)和可透光區(qū)呈棋盤式結(jié)構(gòu)分布,所述棋盤式結(jié)構(gòu)包括黑色格和白色格,所述黑色格和白色格相互間隔交錯(cuò)設(shè)置,所述黑色格為不透光區(qū)所在區(qū)域,所述白色格為可透光區(qū)所在區(qū)域;所述黑色格為邊長(zhǎng)為5-7μm的方格,所述白色格為邊長(zhǎng)為5-7μm的方格。
本發(fā)明還提供一種陣列基板的制作方法,該方法包括步驟:
提供基板;依次在基板上沉積緩沖層、有源層,后續(xù)依次形成柵極絕緣層、柵極、層間絕緣層、金屬源/漏極、平坦層,在所述平坦層遠(yuǎn)離金屬源/漏極的一面上通過光罩法做成有凸點(diǎn),所述光罩法是采用了上面所述的掩膜板,將所述掩膜板置于平坦層的上方,通過黃光、蝕刻制程形成所述凸點(diǎn)。
優(yōu)選的,所述有源層是在緩沖層沉積非晶硅層,然后使非晶硅層轉(zhuǎn)變成多晶硅層并圖案化形成多晶硅段,并在多晶硅段兩端形成源/漏極接觸區(qū)。
本發(fā)明的有益效果:
(1)將產(chǎn)品平坦層做成有規(guī)則的凹凸面,從而使后續(xù)各層保持規(guī)則的凹凸面。在規(guī)定視角內(nèi)可有效提高光線漫反射,降低在光強(qiáng)下背光量的需求;降低能耗,針對(duì)產(chǎn)品可有效提高產(chǎn)品電源續(xù)航能力,延長(zhǎng)背光部件使用壽命,并降低背光部件成本等。當(dāng)背光源的光線會(huì)照射的平坦層凹凸點(diǎn)的反面時(shí),背光源的光線在凹凸點(diǎn)的反面會(huì)有反射和折射現(xiàn)象,從而增加了光線亮度,進(jìn)而降低了背光需求。
(2)改善顯示屏表面在外部光線比較強(qiáng)的情況下反光嚴(yán)重的問題,使顯示屏圖像更清晰,觀看效果更佳。
(3)且采用凹凸點(diǎn)排列方式更易做出漫反射鏡面,工藝上更易實(shí)現(xiàn)。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的





