[發(fā)明專利]一種陣列基板、掩膜板及陣列基板制作方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710892062.1
• 申請(qǐng)日: 2017-09-27
• 公開（公告）號(hào): CN107731853A
• 公開（公告）日: 2018-02-23
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 劉興華
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 武漢華星光電技術(shù)有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/12
• 分類號(hào): H01L27/12;H01L29/786;H01L21/77;G03F1/38
• 代理公司: 廣州三環(huán)專利商標(biāo)代理有限公司44202
• 代理人: 郝傳鑫,熊永強(qiáng)

1.一種陣列基板，其特征在于，包括基板、設(shè)在所述基板上的薄膜晶體管層以及設(shè)于所述薄膜晶體管層上方的平坦層；

所述平坦層遠(yuǎn)離所述薄膜晶體管層的一側(cè)表面形成有凸點(diǎn)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述薄膜晶體管層包括：

設(shè)于所述基板上的緩沖層；

設(shè)于所述緩沖層上的有源層；

設(shè)于所述緩沖層上并包覆所述有源層的柵極絕緣層；

設(shè)于所述柵極絕緣層上的柵極；

設(shè)于所述柵極絕緣層上并包覆所述柵極的層間絕緣層，以及設(shè)于層間絕緣層上的金屬源/漏極。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述平坦層遠(yuǎn)離所述薄膜晶體管層的一側(cè)的表面還形成有凹點(diǎn)，所述凹點(diǎn)和所述凸點(diǎn)交替設(shè)置。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的陣列基板，其特征在于，所述凹點(diǎn)與所述凸點(diǎn)之間通過曲線過度銜接。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述凸點(diǎn)之間的間距小于所述凸點(diǎn)的寬度。

6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的陣列基板，其特征在于，所述凹點(diǎn)的最低點(diǎn)到所述凸點(diǎn)最高點(diǎn)的高度為0.7-1.3μm。

7.一種掩膜板，其特征在于，所述掩膜板包括不透光區(qū)和可透光區(qū)，所述不透光區(qū)和可透光區(qū)相互間隔呈周期性布置，所述可透光區(qū)為透光區(qū)或者半透光區(qū)。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的掩膜板，其特征在于，所述不透光區(qū)和可透光區(qū)呈近似蜂窩狀結(jié)構(gòu)分布，所述近似蜂窩狀結(jié)構(gòu)包括黑色格，所述黑色格通過白色邊緣間隔開，所述黑色格為不透光區(qū)所在區(qū)域，所述白色邊緣為可透光區(qū)所在區(qū)域；所述黑色格為邊長(zhǎng)為5-7μm的方格，所述白色邊緣的寬度小于黑色格的邊長(zhǎng)。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的掩膜板，其特征在于，所述不透光區(qū)和可透光區(qū)呈棋盤式結(jié)構(gòu)分布，所述棋盤式結(jié)構(gòu)包括黑色格和白色格，所述黑色格和白色格相互間隔交錯(cuò)設(shè)置，所述黑色格為不透光區(qū)所在區(qū)域，所述白色格為可透光區(qū)所在區(qū)域；所述黑色格為邊長(zhǎng)為5-7μm的方格，所述白色格為邊長(zhǎng)為5-7μm的方格。

10.一種陣列基板的制作方法，其特征在于，該方法包括步驟：

提供基板；依次在基板上沉積緩沖層、有源層，后續(xù)依次形成柵極絕緣層、柵極、層間絕緣層、金屬源/漏極、平坦層，在所述平坦層遠(yuǎn)離金屬源/漏極的一面上通過光罩法做成有凸點(diǎn)，所述光罩法是采用了權(quán)利要求7-9任一項(xiàng)所述的掩膜板，將所述掩膜板置于平坦層的上方，通過黃光、蝕刻制程形成所述凸點(diǎn)。