[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710887882.1
• 申請(qǐng)日: 2013-03-26
• 公開（公告）號(hào): CN107658297B
• 公開（公告）日: 2021-08-20
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 井口總一郎
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 瑞薩電子株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01L27/088
• 分類號(hào): H01L27/088;H01L27/092;H01L29/06;H01L29/08;H01L29/423;H01L29/78;H01L21/336;H01L21/8234
• 代理公司: 北京市金杜律師事務(wù)所 11256
• 代理人: 陳偉;李文嶼

本發(fā)明公開了一種在抑制接觸電阻上升的同時(shí)，提高槽部的端部附近的耐壓的半導(dǎo)體器件。槽部(GT)設(shè)在半導(dǎo)體層中在俯視時(shí)至少位于源極偏移區(qū)域和漏極偏移區(qū)域之間，且設(shè)置在俯視時(shí)從源極偏移區(qū)域朝向漏極偏移區(qū)域的源極漏極方向上。柵極絕緣膜GI覆蓋槽部GT的側(cè)面及底面。柵電極(GE)至少在俯視時(shí)設(shè)在槽部(GT)內(nèi)，且與柵極絕緣膜(GI)接觸。接點(diǎn)GC與柵電極GE接觸。而且，在俯視時(shí)，接點(diǎn)GC配置在相對(duì)于沿源極漏極方向延伸的槽部GT內(nèi)的中心線來說偏離于與源極漏極方向垂直的第1方向、且在俯視時(shí)設(shè)在槽部GT內(nèi)。

本申請(qǐng)是申請(qǐng)?zhí)枮?01310115242.0、申請(qǐng)日為2013年3月26日、發(fā)明名稱為“半導(dǎo)體器件及半導(dǎo)體器件的制造方法”的發(fā)明專利申請(qǐng)的分案申請(qǐng)。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體器件及半導(dǎo)體器件的制造方法。

背景技術(shù)

近年來，隨著半導(dǎo)體器件的高度集成化，為了縮小半導(dǎo)體器件的面積，提出了各種半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)。例如，在以下專利文獻(xiàn)中，公開了在槽部內(nèi)設(shè)置柵電極的晶體管的技術(shù)。

在專利文獻(xiàn)1(日本特開平11-103058號(hào)公報(bào))中，公開了以下所述的半導(dǎo)體器件。在N型高電阻層的表面形成有溝槽(槽部)。在溝槽內(nèi)，隔著柵極絕緣膜填埋有柵電極。由此，便可在使元件面積保持不變的狀態(tài)下增大溝道的面積，因此能夠降低導(dǎo)通電阻。

另外，在以下的專利文獻(xiàn)中，公開了層疊多個(gè)接點(diǎn)的所謂“堆疊接點(diǎn)結(jié)構(gòu)”的技術(shù)。

在專利文獻(xiàn)2(日本特開2009-252924號(hào)公報(bào))中，公開了具有如下所述的堆疊接點(diǎn)結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件。在第1接點(diǎn)上設(shè)有第2及第3接點(diǎn)。第2接點(diǎn)偏離于第1接點(diǎn)的中心位置而配置在左側(cè)。另一方面，第3接點(diǎn)偏離于第1接點(diǎn)的中心位置而配置在右側(cè)。由此，即使在第1接點(diǎn)的上部產(chǎn)生凹部(即所謂的接縫(seam))的情況下，也能避免接觸電阻異常或接觸不良。

在專利文獻(xiàn)3(日本特開2005-332978號(hào)公報(bào))中，公開了具有如下所述的堆疊接點(diǎn)結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件。第1接點(diǎn)沿上下方向貫穿第1層間絕緣膜，上端部的剖面形狀為環(huán)狀。第2接點(diǎn)沿上下方向貫穿設(shè)在第1層間絕緣膜上的第2層間絕緣膜。第2接點(diǎn)的下表面的中心部與第1接點(diǎn)中呈環(huán)狀的上表面接觸。由此，能夠切實(shí)地實(shí)現(xiàn)層疊的接點(diǎn)之間的電連接。

專利文獻(xiàn)1：日本特開平11-103058號(hào)公報(bào)

專利文獻(xiàn)2：日本特開2009-252924號(hào)公報(bào)

專利文獻(xiàn)3：日本特開2005-332978號(hào)公報(bào)

發(fā)明內(nèi)容

本案發(fā)明人發(fā)現(xiàn)了如下所述的新問題。即使在如專利文獻(xiàn)1的于槽部的內(nèi)部設(shè)有柵電極的結(jié)構(gòu)中，也有時(shí)會(huì)在柵電極中的槽部的上端側(cè)產(chǎn)生凹部。在此情況下，當(dāng)連接于柵電極的接點(diǎn)配置在所述凹部上時(shí)，有可能會(huì)因接點(diǎn)與柵電極的接觸面積下降等理由，而導(dǎo)致接觸電阻上升。相反，當(dāng)接點(diǎn)偏離所述凹部，且較柵電極進(jìn)一步突出到外側(cè)而配置時(shí)，電場有可能集中于突出的接點(diǎn)的下端。如上所述，本案發(fā)明人發(fā)現(xiàn)的新問題如下，即：難以在抑制接觸電阻上升的同時(shí)提高槽部GT的端部附近的耐壓。本發(fā)明的其它問題及新特征將在本說明書的描述及附圖說明中寫明。

根據(jù)上述一實(shí)施方式，半導(dǎo)體器件具有半導(dǎo)體層、源極區(qū)域、漏極區(qū)域、源極偏移區(qū)域、漏極偏移區(qū)域、槽部、柵極絕緣膜、柵電極及填埋區(qū)域。第1導(dǎo)電型的源極區(qū)域及漏極區(qū)域在半導(dǎo)體層上彼此隔開而設(shè)。第1導(dǎo)電型的源極偏移區(qū)域與半導(dǎo)體層中的源極區(qū)域接觸，且由比源極區(qū)域及漏極區(qū)域低的濃度形成。第1導(dǎo)電型的漏極偏移區(qū)域與半導(dǎo)體層中的漏極區(qū)域接觸，與源極偏移區(qū)域隔開而配置，且由比源極區(qū)域及漏極區(qū)域低的濃度形成。槽部設(shè)在半導(dǎo)體層中在俯視時(shí)至少位于源極偏移區(qū)域和漏極偏移區(qū)域之間，且沿俯視時(shí)從源極偏移區(qū)域朝向漏極偏移區(qū)域的源極漏極方向設(shè)置。柵極絕緣膜覆蓋槽部的側(cè)面及底面。柵電極至少設(shè)在槽部內(nèi)，且與柵極絕緣膜接觸。接點(diǎn)與柵電極接觸。而且，接點(diǎn)設(shè)置在俯視時(shí)相對(duì)于沿源極漏極方向延伸的槽部內(nèi)的中心線而與垂直于源極漏極方向的第1方向偏離的位置上，并且在俯視時(shí)設(shè)在槽部內(nèi)。