[發明專利]半導體器件

有效

• 申請號: 201710887882.1
• 申請日: 2013-03-26
• 公開（公告）號: CN107658297B
• 公開（公告）日: 2021-08-20
• 發明（設計）人: 井口總一郎
• 申請（專利權）人: 瑞薩電子株式會社
• 主分類號: H01L27/088
• 分類號: H01L27/088;H01L27/092;H01L29/06;H01L29/08;H01L29/423;H01L29/78;H01L21/336;H01L21/8234
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 陳偉;李文嶼

1.一種半導體器件，其特征在于，包括：

半導體層；

第1導電型的源極區域及漏極區域，所述第1導電型的源極區域及漏極區域相互隔開間隔地設置在所述半導體層上；

第1導電型的源極偏移區域，所述第1導電型的源極偏移區域與所述半導體層中的所述源極區域接觸，且由比所述源極區域及所述漏極區域低的濃度形成；

第1導電型的漏極偏移區域，所述第1導電型的漏極偏移區域與所述半導體層中的所述漏極區域接觸并與所述源極偏移區域隔開間隔地配置，且由比所述源極區域及所述漏極區域低的濃度形成；

槽部，所述槽部設在所述半導體層中的俯視時至少位于所述源極偏移區域與所述漏極偏移區域之間，且在俯視時沿從所述源極偏移區域朝向所述漏極偏移區域的源極漏極方向而設置；

柵極絕緣膜，所述柵極絕緣膜覆蓋所述槽部的側面及底面；以及

柵電極，所述柵電極至少設在所述槽部內，且與所述柵極絕緣膜接觸，

其中，所述半導體器件還包括接點，所述接點與所述柵電極接觸，在俯視時相對于沿所述源極漏極方向延伸的所述槽部內的中心線而在垂直于所述源極漏極方向的第1方向上偏離地配置，并且俯視時設在所述槽部內。

2.如權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，

剖面觀察時，在所述柵電極中的所述槽部的上端側形成有凹部，

所述接點的中心形成為從所述柵電極的所述槽部偏離。

3.如權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，還包括：

第1晶體管，所述第1晶體管具有第1源極區域、第1漏極區域、所述源極偏移區域、所述漏極偏移區域、第1柵極絕緣膜和設在所述槽部中的第1柵電極；以及

第2晶體管，所述第2晶體管具有在所述半導體層上相互隔開間隔地設置的第1導電型或第2導電型的第2源極區域及第2漏極區域、設在由所述第2源極區域及所述第2漏極區域所夾著的位置之上的第2柵極絕緣膜、及設在所述第2柵極絕緣膜之上的第2柵電極，

其中，所述第2晶體管設在與所述第1晶體管相同的所述半導體層上，且在俯視時與所述第1晶體管位于不同的位置上。

4.如權利要求3所述的半導體器件，其特征在于，還包括：

元件隔離用槽部，其設在所述第1晶體管與所述第2晶體管之間，所述元件隔離用槽部以與所述槽部相同的深度而形成；

溝槽絕緣膜，其覆蓋所述元件隔離用槽部的側面及底面，所述溝槽絕緣膜用與所述柵極絕緣膜相同的材料形成；以及

溝槽填埋膜，其在俯視時僅設在所述元件隔離用槽部中，所述溝槽填埋膜與所述溝槽絕緣膜接觸，且由與所述柵電極相同的導電性材料形成。