[發明專利]一種液態石墨烯應用于GaN基材料及器件的方法在審
| 申請號： | 201710887677.5 | 申請日： | 2017-09-27 |
| 公開（公告）號： | CN107808819A | 公開（公告）日： | 2018-03-16 |
| 發明（設計）人： | 孫曉娟;黎大兵;賈玉萍;劉賀男;宋航;李志明;陳一仁;繆國慶;蔣紅;張志偉 | 申請（專利權）人： | 中國科學院長春光學精密機械與物理研究所 |
| 主分類號： | H01L21/02 | 分類號： | H01L21/02;H01L21/3205 |
| 代理公司： | 長春菁華專利商標代理事務所(普通合伙)22210 | 代理人： | 南小平 |
| 地址： | 130033 吉*** | 國省代碼： | 吉林;22 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 液態 石墨 應用于 gan 基材 料及 器件 方法 | ||
1.一種液態石墨烯應用于GaN基材料及器件的方法，其特征在于，包括以下步驟：
步驟1、生長GaN基材料；
步驟2、配置石墨烯溶液；
步驟3、在GaN基材料表面界定石墨烯窗口；
步驟4、通過旋涂或者滴定的方式，將步驟2配置的石墨烯溶液滴加到GaN基材料表面界定石墨烯窗口中；
步驟5、揮發溶劑，實現基于石墨烯的GaN基器件。
2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，步驟1具體為：在基底上利用MOCVD方法，通過兩步生長法生長GaN基材料。
3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述基底為藍寶石、硅或碳化硅。
4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，GaN基材料為GaN、AlN、InN以及他們所構成的三元或多元合金材料中的一種。
5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，步驟2配置石墨烯溶液的具體步驟為，選用固態石墨烯，溶劑為去離子水、酒精或者二甲基甲酰胺，通過恒溫超聲波振動的方式配置得到石墨烯溶液。
6.根據權利要求5所述的方法，其特征在于，所述石墨烯溶液的濃度為0.1mg/mL的石墨烯水溶液，是選用固態石墨烯，溶劑為去離子水，在35度恒溫下，超聲波振動72小時得到的。
7.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，步驟3具體為：利用光刻的方式在GaN基材料表面界定石墨烯窗口的位置和尺寸。
8.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，步驟4中所述旋涂的速度為300r/s。
9.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，步驟5中所述揮發溶劑具體步驟為：利用自然風干、熱板加熱或者烤箱烘烤的方式揮發石墨烯中的溶劑。
10.根據權利要求1-9任意一項所述的方法，其特征在于，所述石墨烯既可以作為GaN基器件的接觸電極，又可以作為光吸收層或電流傳導層。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
