[發(fā)明專利]靜電釋放保護架構

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710880846.2
• 申請日: 2017-09-26
• 公開（公告）號: CN107634055B
• 公開（公告）日: 2020-03-27
• 發(fā)明（設計）人: 白勝天;刑曉萍
• 申請（專利權）人: 中穎電子股份有限公司
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 胡林嶺

1.一種靜電釋放保護架構，其特征在于，靜電釋放保護架構包括多個晶粒DIE1…DIEn，其中n大于等于2；

晶粒DIE1至晶粒DIEn-1中的每個晶粒上具有虛擬電源線、正電源線、負電源線、靜電釋放電路、與虛擬電源線連接的用于內(nèi)部鍵合線的第一焊盤、與負電源線連接的用于內(nèi)部鍵合線的第二焊盤、與正電源線連接的用于連接芯片引腳的第一焊盤、與負電源線連接的用于連接芯片引腳的第二焊盤，其中，每個靜電釋放電路的一端與虛擬電源線連接，另一端與負電源線連接；

晶粒DIEn上具有正電源線、負電源線、與負電源線連接的用于內(nèi)部鍵合線的第二焊盤、與正電源線連接的用于連接芯片引腳的第一焊盤、與負電源線連接的用于連接芯片引腳的第二焊盤；

其中，相鄰晶粒之間通過內(nèi)部鍵合線連接，該內(nèi)部鍵合線的一端與前一個晶粒的第一用于內(nèi)部鍵合線的焊盤連接，另一端與后一個晶粒的第二用于內(nèi)部鍵合線的焊盤連接。

2.如權利要求1所述的靜電釋放保護架構，其特征在于，晶粒DIE1至晶粒DIEn中的每個晶粒上還具有二極管，所述二極管的兩端分別與所述用于連接芯片引腳的第一、第二焊盤連接。

3.如權利要求1所述的靜電釋放保護架構，其特征在于，晶粒DIEn包括靜電釋放電路。

4.如權利要求1所述的靜電釋放保護架構，其特征在于，當晶粒DIEn不包括靜電釋放電路，且單獨封裝在一個芯片上，則所述用于內(nèi)部鍵合線的第二焊盤連接在框架上或者連接在所述芯片的負電源引腳上。

5.如權利要求1所述的靜電釋放保護架構，其特征在于，所述靜電釋放保護架構用于多芯片組合封裝。

6.一種靜電釋放保護架構，其特征在于，靜電釋放保護架構包括多個晶粒DIE1…DIEn，其中n大于等于2；

晶粒DIE1至晶粒DIEn-1中的每個晶粒上具有虛擬電源線、正電源線、負電源線、靜電釋放電路、與虛擬電源線連接的用于內(nèi)部鍵合線的第一焊盤、與正電源線連接的用于內(nèi)部鍵合線的第二焊盤、與負電源線連接的用于連接芯片引腳的第一焊盤、與正電源線連接的用于連接芯片引腳的第二焊盤，其中，每個靜電釋放電路的一端與虛擬電源線連接，另一端與正電源線連接；

晶粒DIEn上具有正電源線、負電源線、與正電源線連接的用于內(nèi)部鍵合線的第二焊盤、與負電源線連接的用于連接芯片引腳的第一焊盤、與正電源線連接的用于連接芯片引腳的第二焊盤；

其中，相鄰晶粒之間通過內(nèi)部鍵合線連接，該內(nèi)部鍵合線的一端與前一個晶粒的用于內(nèi)部鍵合線的第一焊盤連接，另一端與后一個晶粒的用于內(nèi)部鍵合線的第二焊盤連接。

7.如權利要求6所述的靜電釋放保護架構，其特征在于，晶粒DIE1至晶粒DIEn中的每個晶粒上還具有二極管，所述二極管的兩端分別與所述用于連接芯片引腳的第一、第二焊盤連接。

8.如權利要求6所述的靜電釋放保護架構，其特征在于，晶粒DIEn包括靜電釋放電路。

9.如權利要求6所述的靜電釋放保護架構，其特征在于，當晶粒DIEn不包括靜電釋放電路，且單獨封裝在一個芯片上，則所述用于芯片內(nèi)部鍵合線的第二焊盤連接在所述芯片的正電源引腳上。

10.如權利要求6所述的靜電釋放保護架構，其特征在于，所述靜電釋放保護架構用于多芯片組合封裝。