[發(fā)明專利]靜電釋放保護(hù)架構(gòu)有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201710880846.2 | 申請(qǐng)日： | 2017-09-26 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN107634055B | 公開(kāi)（公告）日： | 2020-03-27 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 白勝天;刑曉萍 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 中穎電子股份有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L27/02 | 分類號(hào)： | H01L27/02 |
| 代理公司： | 上海專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 31100 | 代理人： | 胡林嶺 |
| 地址： | 200335 上*** | 國(guó)省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 靜電 釋放 保護(hù) 架構(gòu) | ||
1.一種靜電釋放保護(hù)架構(gòu)，其特征在于，靜電釋放保護(hù)架構(gòu)包括多個(gè)晶粒DIE1…DIEn，其中n大于等于2；
晶粒DIE1至晶粒DIEn-1中的每個(gè)晶粒上具有虛擬電源線、正電源線、負(fù)電源線、靜電釋放電路、與虛擬電源線連接的用于內(nèi)部鍵合線的第一焊盤(pán)、與負(fù)電源線連接的用于內(nèi)部鍵合線的第二焊盤(pán)、與正電源線連接的用于連接芯片引腳的第一焊盤(pán)、與負(fù)電源線連接的用于連接芯片引腳的第二焊盤(pán)，其中，每個(gè)靜電釋放電路的一端與虛擬電源線連接，另一端與負(fù)電源線連接；
晶粒DIEn上具有正電源線、負(fù)電源線、與負(fù)電源線連接的用于內(nèi)部鍵合線的第二焊盤(pán)、與正電源線連接的用于連接芯片引腳的第一焊盤(pán)、與負(fù)電源線連接的用于連接芯片引腳的第二焊盤(pán)；
其中，相鄰晶粒之間通過(guò)內(nèi)部鍵合線連接，該內(nèi)部鍵合線的一端與前一個(gè)晶粒的第一用于內(nèi)部鍵合線的焊盤(pán)連接，另一端與后一個(gè)晶粒的第二用于內(nèi)部鍵合線的焊盤(pán)連接。
2.如權(quán)利要求1所述的靜電釋放保護(hù)架構(gòu)，其特征在于，晶粒DIE1至晶粒DIEn中的每個(gè)晶粒上還具有二極管，所述二極管的兩端分別與所述用于連接芯片引腳的第一、第二焊盤(pán)連接。
3.如權(quán)利要求1所述的靜電釋放保護(hù)架構(gòu)，其特征在于，晶粒DIEn包括靜電釋放電路。
4.如權(quán)利要求1所述的靜電釋放保護(hù)架構(gòu)，其特征在于，當(dāng)晶粒DIEn不包括靜電釋放電路，且單獨(dú)封裝在一個(gè)芯片上，則所述用于內(nèi)部鍵合線的第二焊盤(pán)連接在框架上或者連接在所述芯片的負(fù)電源引腳上。
5.如權(quán)利要求1所述的靜電釋放保護(hù)架構(gòu)，其特征在于，所述靜電釋放保護(hù)架構(gòu)用于多芯片組合封裝。
6.一種靜電釋放保護(hù)架構(gòu)，其特征在于，靜電釋放保護(hù)架構(gòu)包括多個(gè)晶粒DIE1…DIEn，其中n大于等于2；
晶粒DIE1至晶粒DIEn-1中的每個(gè)晶粒上具有虛擬電源線、正電源線、負(fù)電源線、靜電釋放電路、與虛擬電源線連接的用于內(nèi)部鍵合線的第一焊盤(pán)、與正電源線連接的用于內(nèi)部鍵合線的第二焊盤(pán)、與負(fù)電源線連接的用于連接芯片引腳的第一焊盤(pán)、與正電源線連接的用于連接芯片引腳的第二焊盤(pán)，其中，每個(gè)靜電釋放電路的一端與虛擬電源線連接，另一端與正電源線連接；
晶粒DIEn上具有正電源線、負(fù)電源線、與正電源線連接的用于內(nèi)部鍵合線的第二焊盤(pán)、與負(fù)電源線連接的用于連接芯片引腳的第一焊盤(pán)、與正電源線連接的用于連接芯片引腳的第二焊盤(pán)；
其中，相鄰晶粒之間通過(guò)內(nèi)部鍵合線連接，該內(nèi)部鍵合線的一端與前一個(gè)晶粒的用于內(nèi)部鍵合線的第一焊盤(pán)連接，另一端與后一個(gè)晶粒的用于內(nèi)部鍵合線的第二焊盤(pán)連接。
7.如權(quán)利要求6所述的靜電釋放保護(hù)架構(gòu)，其特征在于，晶粒DIE1至晶粒DIEn中的每個(gè)晶粒上還具有二極管，所述二極管的兩端分別與所述用于連接芯片引腳的第一、第二焊盤(pán)連接。
8.如權(quán)利要求6所述的靜電釋放保護(hù)架構(gòu)，其特征在于，晶粒DIEn包括靜電釋放電路。
9.如權(quán)利要求6所述的靜電釋放保護(hù)架構(gòu)，其特征在于，當(dāng)晶粒DIEn不包括靜電釋放電路，且單獨(dú)封裝在一個(gè)芯片上，則所述用于芯片內(nèi)部鍵合線的第二焊盤(pán)連接在所述芯片的正電源引腳上。
10.如權(quán)利要求6所述的靜電釋放保護(hù)架構(gòu)，其特征在于，所述靜電釋放保護(hù)架構(gòu)用于多芯片組合封裝。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無(wú)源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門(mén)適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的；包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無(wú)源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門(mén)適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或適用于通過(guò)這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門(mén)適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的；包括有熱磁組件的
