[發明專利]一種半導體器件及其制造方法有效
| 申請號： | 201710880697.X | 申請日： | 2017-09-26 |
| 公開（公告）號： | CN107818947B | 公開（公告）日： | 2021-10-01 |
| 發明（設計）人： | 韓廣濤;陸陽;周遜偉 | 申請（專利權）人： | 杰華特微電子股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/8238 | 分類號： | H01L21/8238;H01L27/092 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 310030 浙江省杭州市西湖區三墩鎮*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 半導體器件 及其 制造 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種半導體器件的制造方法，包括以下步驟：
在襯底上形成多晶硅，并在多晶硅的側面形成側墻；
在襯底上淀積氧化物阻擋層；
通過N+和P+的兩次光刻，分別刻蝕相應位置的氧化物阻擋層并注入形成N+和P+區域；
在N+和P+區域上方生長形成金屬硅化物層。
2.根據權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其特征在于：在形成N+和P+區域后，先去掉膠層，襯底表面淀積金屬層，并經第一溫度退火，再刻蝕掉不需要的金屬層，然后經第二溫度退火，上述過程中，所述金屬層與襯底表面的硅反應，從而在N+和P+區域上方形成金屬硅化物層。
3.根據權利要求2所述的半導體器件的制造方法，其特征在于：所述的第一溫度為450~600攝氏度，所述的第二溫度為750~900攝氏度。
4.一種半導體器件的制造方法，其特征在于：
在襯底上形成多晶硅；
在襯底上淀積氧化物阻擋層；
通過N+和P+的兩次光刻，分別刻蝕相應位置的氧化物阻擋層并在多晶硅的側面形成側墻，然后再分別注入形成N+和P+區域；
在N+和P+區域上方生長形成金屬硅化物層。
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- 專利分類
H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
