[發明專利]基板處理裝置

有效

• 申請號: 201710879504.9
• 申請日: 2017-09-26
• 公開（公告）號: CN107887300B
• 公開（公告）日: 2021-09-14
• 發明（設計）人: 長島裕次;林航之介
• 申請（專利權）人: 芝浦機械電子株式會社
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 徐殿軍

提供一種能夠抑制基板的污染的基板處理裝置。有關實施方式的基板處理裝置具備：處理室(20)，空氣從上方向下方流動；支承部(40)，設在處理室(20)內，支承具有被處理面(Wa)的基板(W)；加熱部(80)，避開支承部(40)的上方而設置，射出加熱用的光；光學部件(90)，避開支承部(40)的上方而設在處理室(20)內，將由加熱部(80)射出并通過支承部(40)的上方的光向被支承部(40)支承的基板(W)的被處理面(Wa)引導。

技術領域

本發明涉及基板處理裝置。

背景技術

基板處理裝置是在半導體或液晶面板等的制造工序中將晶片或液晶基板等的基板的被處理面用藥液處理、將藥液處理后的基板的被處理面用漂洗液沖洗、將漂洗液處理后的基板干燥的裝置。

在干燥處理工序中，由于近年來的半導體的伴隨著高集成化及高容量化的微細化，例如發生存儲單元或柵極周圍的圖案破壞的問題。這是起因于圖案彼此的間隔及構造、漂洗液的表面張力等。

所以，為了抑制上述的圖案破壞，提出了使用表面張力比漂洗液(例如DIW：超純水)小的揮發性溶媒(例如IPA：2－丙醇，異丙醇)的基板干燥方法。在該基板干燥方法中，將基板的被處理面上的漂洗液替換為揮發性溶媒而進行基板干燥。此時，為了促進干燥，有用位于基板的被處理面的上方的燈將基板加熱而進行基板干燥的情況。

此外，在藥液處理工序中，有進行使用硫酸或磷酸等作為藥液的150℃以上的高溫處理的情況。在此情況下，由于將藥液加熱到150℃以上而用于處理，所以由位于基板的被處理面的上方的燈將基板的被處理面上的藥液加熱到150℃以上的高溫。

但是，在上述干燥處理工序及藥液處理工序中，由于燈位于基板的被處理面的上方，所以在基板處理中處理液的霧或微粒附著在燈表面上。有該處理液的霧或微粒等的附著物從燈表面落下而附著到基板的被處理面上、基板被污染的情況。

另一方面，在通常的基板處理裝置中，設有ULPA(Ultra Low Penetration Air、超高效空氣)過濾器或HEPA(High Efficiency Particulate Air、高效粒子空氣)過濾器。通過了該過濾器的清潔的空氣作為下降流(垂直層流)在基板處理裝置內流動，基板處理裝置內被保持為清潔。由此，能夠抑制微粒附著在基板處理裝置內特別是基板的被處理面上。

但是，在上述基板處理裝置中，由于燈位于基板的被處理面的上方，所以從過濾器朝向基板的被處理面的清潔的空氣被燈妨礙，沒有被向基板的被處理面充分地供給。因此，難以從基板的被處理面或其周圍將微粒除去，基板被污染。

發明內容

本發明所要解決的課題是提供一種能夠抑制基板的污染的基板處理裝置。

有關本發明的實施方式的基板處理裝置具備：處理室，空氣從上方向下方流動；支承部，設在處理室內，支承具有被處理面的基板；加熱部，避開支承部的上方而設置，射出加熱用的光；光學部件，避開支承部的上方而設在處理室內，將由加熱部射出并通過了支承部的上方的光向被支承部所支承的基板的被處理面引導。

根據有關上述實施方式的基板處理裝置，能夠抑制基板的污染。

附圖說明

圖1是表示有關第1實施方式的基板處理裝置的概略結構的圖。

圖2是表示有關第1實施方式的基板處理部的概略結構的圖。

圖3是表示有關第1實施方式的基板處理部的基板處理的流程的流程圖。

圖4是表示有關第2實施方式的基板處理裝置的概略結構的圖。

圖5是表示有關第2實施方式的相鄰的兩個基板處理部的概略結構的圖。

圖6是表示有關第3實施方式的基板處理部的一部分的圖。