[發(fā)明專利]頂發(fā)射顯示面板、顯示裝置及其制作方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710875624.1
• 申請(qǐng)日: 2017-09-25
• 公開（公告）號(hào): CN108364976A
• 公開（公告）日: 2018-08-03
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳亞文;宋晶堯;付東
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 廣東聚華印刷顯示技術(shù)有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/32
• 分類號(hào): H01L27/32;H01L51/50;H01L51/52
• 代理公司: 廣州華進(jìn)聯(lián)合專利商標(biāo)代理有限公司 44224
• 代理人: 萬(wàn)志香

本發(fā)明涉及一種頂發(fā)射顯示面板、顯示裝置及其制作方法。該頂發(fā)射顯示面板包括包具有驅(qū)動(dòng)TFT陣列的基板、設(shè)于基板上的反射底電極和像素界定層、位于相鄰像素界定層之間的發(fā)光功能層以及位于像素界定層和發(fā)光功能層上的透明頂電極，其中像素界定層上設(shè)有電接孔，透明頂電極和驅(qū)動(dòng)TFT陣列通過該電接孔直接導(dǎo)電連接。該頂發(fā)射顯示面板可顯著減小電流注入路徑，顯著提高透明頂電極的導(dǎo)電性，繼而能夠有效消除透明頂電極導(dǎo)電性不足引起的電壓降，能夠顯著改善顯示面板及顯示裝置的發(fā)光均勻性。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種頂發(fā)射顯示面板、顯示裝置及其制作方法。

背景技術(shù)

在信息社會(huì)的當(dāng)代，作為可視信息傳輸媒介的顯示裝置的重要性在進(jìn)一步加強(qiáng)。為了在未來(lái)占據(jù)主導(dǎo)地位，顯示裝置正朝著更輕、更薄、更低能耗、更低成本以及更好圖像質(zhì)量的趨勢(shì)發(fā)展。

其中，頂發(fā)射型顯示器件由于可以獲得更大的開口率，已成為近些年研究的熱點(diǎn)。但是，傳統(tǒng)的頂發(fā)射件由于需要增加光的透過率，透明頂電極的厚度一般較薄，導(dǎo)致電極方阻較大，導(dǎo)電性不足，電壓降嚴(yán)重，容易引起件的發(fā)光不均勻現(xiàn)象。

發(fā)明內(nèi)容

基于此，有必要提供一種能夠提高發(fā)光均勻性的頂發(fā)射顯示面板、顯示裝置及其制作方法。

一種頂發(fā)射顯示面板，包括

具有驅(qū)動(dòng)TFT陣列的基板；

反射底電極，所述反射底電極設(shè)于所述基板上；

像素界定層，所述像素界定層設(shè)于所述基板上并位于相鄰所述反射底電極之間以用于限定相鄰子像素單元的發(fā)光區(qū)域，所述像素界定層上設(shè)有電接孔；

發(fā)光功能層，所述發(fā)光功能層至少包括發(fā)光層，所述發(fā)光功能層設(shè)于所述反射底電極上并位于相鄰的所述像素界定層之間；

透明頂電極，所述透明頂電極設(shè)于所述像素界定層和所述發(fā)光功功能層上，且所述透明頂電極通過所述電接孔與所述驅(qū)動(dòng)TFT陣列連接。

在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述頂發(fā)射顯示面板還包括隔離柱；

所述隔離柱設(shè)于所述像素界定層上以用于隔斷相鄰所述子像素單元上的所述透明頂電極，并且在每個(gè)所述子像素單元內(nèi)的所述透明頂電極均通過所述電接孔與所述驅(qū)動(dòng)TFT陣列連接。

在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述頂發(fā)射顯示面板還包括平坦層，所述平坦層設(shè)于所述基板和所述反射底電極之間。

在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述發(fā)光功能層為有機(jī)電致發(fā)光功能層、量子點(diǎn)發(fā)光功能層或有機(jī)電致發(fā)光功能層和量子點(diǎn)發(fā)光功能層所形成的混合發(fā)光功能層。

在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述發(fā)光功能層包括依次層疊設(shè)置的空穴注入層、空穴傳輸層、電子阻擋層、所述發(fā)光層、空穴阻擋層、激子限定層和電子注入層。

在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述電接孔的橫截面呈倒梯形。

在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述反射底電極的材質(zhì)為鋁、銀、鋁合金或銀合金。

一種顯示裝置，其特征在于，包括上述任一實(shí)施例所述的頂發(fā)射顯示面板。

一種上述所述的頂發(fā)射顯示面板的制作方法，包括如下步驟：

提供具有驅(qū)動(dòng)TFT陣列的基板；

在所述基板上制作反射底電極；

在所述基板上相鄰的所述反射底電極之間制作像素界定層，在所述像素界定層上開設(shè)電接孔；

在相鄰的所述像素界定層之間形成發(fā)光功能層；

在所述像素界定層和所述發(fā)光功能層上制作所述透明頂電極，并使所述透明頂電極通過所述電接孔與所述驅(qū)動(dòng)TFT陣列連接。