[發明專利]頂發射顯示面板、顯示裝置及其制作方法在審
| 申請號: | 201710875624.1 | 申請日: | 2017-09-25 |
| 公開(公告)號: | CN108364976A | 公開(公告)日: | 2018-08-03 |
| 發明(設計)人: | 陳亞文;宋晶堯;付東 | 申請(專利權)人: | 廣東聚華印刷顯示技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/50;H01L51/52 |
| 代理公司: | 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224 | 代理人: | 萬志香 |
| 地址: | 510000 廣東省廣州市廣州*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示面板 頂電極 頂發射 像素界定層 顯示裝置 透明 導電性 發光功能層 電接 基板 電流注入路徑 發光均勻性 驅動 導電連接 相鄰像素 底電極 電壓降 減小 界定 反射 制作 | ||
1.一種頂發射顯示面板,其特征在于,包括
具有驅動TFT陣列的基板;
反射底電極,所述反射底電極設于所述基板上;
像素界定層,所述像素界定層設于所述基板上并位于相鄰所述反射底電極之間以用于限定相鄰子像素單元的發光區域,所述像素界定層上設有電接孔;
發光功能層,所述發光功能層至少包括發光層,所述發光功能層設于所述反射底電極上并位于相鄰的所述像素界定層之間;
透明頂電極,所述透明頂電極設于所述像素界定層和所述發光功功能層上,且所述透明頂電極通過所述電接孔與所述驅動TFT陣列連接。
2.根據權利要求1所述的頂發射顯示面板,其特征在于,還包括隔離柱;
所述隔離柱設于所述像素界定層上以用于隔斷相鄰所述子像素單元上的所述透明頂電極,并且在每個所述子像素單元內的所述透明頂電極均通過所述電接孔與所述驅動TFT陣列連接。
3.根據權利要求1或2所述的頂發射顯示面板,其特征在于,還包括平坦層,所述平坦層設于所述基板和所述反射底電極之間。
4.根據權利要求1或2所述的頂發射顯示面板,其特征在于,所述發光功能層為有機電致發光功能層、量子點發光功能層或有機電致發光功能層和量子點發光功能層所形成的混合發光功能層。
5.根據權利要求4所述的頂發射顯示面板,其特征在于,所述發光功能層包括依次層疊設置的空穴注入層、空穴傳輸層、電子阻擋層、所述發光層、空穴阻擋層、激子限定層和電子注入層。
6.根據權利要求1或2所述的頂發射顯示面板,其特征在于,所述電接孔的橫截面呈倒梯形。
7.根據權利要求1至3任一項所述的頂發射顯示面板,其特征在于,所述反射底電極的材質為鋁、銀、鋁合金或銀合金。
8.一種顯示裝置,其特征在于,包括權利要求1至8任一項所述的頂發射顯示面板。
9.一種頂發射顯示面板的制作方法,其特征在于,包括如下步驟:
提供具有驅動TFT陣列的基板;
在所述基板上制作反射底電極;
在所述基板上相鄰的所述反射底電極之間制作像素界定層,在所述像素界定層上開設電接孔;
在相鄰的所述像素界定層之間形成發光功能層;
在所述像素界定層和所述發光功能層上制作所述透明頂電極,并使所述透明頂電極通過所述電接孔與所述驅動TFT陣列連接。
10.根據權利要求9所述的頂發射顯示面板的制作方法,其特征在于,在在所述像素界定層和所述發光功能層上制作所述透明頂電極步驟之前,還包括在所述像素界定層上制作用于隔斷相鄰子像素單元上的所述透明頂電極的隔離柱。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于廣東聚華印刷顯示技術有限公司,未經廣東聚華印刷顯示技術有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201710875624.1/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:顯示基板、顯示面板、顯示器及其制作方法
- 下一篇:顯示面板的制造方法
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





