[發明專利]一種晶體管、鉗位電路及集成電路有效
| 申請號： | 201710874226.8 | 申請日： | 2017-09-25 |
| 公開（公告）號： | CN108039364B | 公開（公告）日： | 2021-01-12 |
| 發明（設計）人： | 蔡小五;羅家俊;劉海南;曾傳濱;卜建輝;陸江;趙海濤 | 申請（專利權）人： | 中國科學院微電子研究所 |
| 主分類號： | H01L29/423 | 分類號： | H01L29/423;H01L29/78;H03K19/003 |
| 代理公司： | 北京華沛德權律師事務所 11302 | 代理人： | 房德權 |
| 地址： | 100029 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 晶體管 電路 集成電路 | ||
1.一種金屬氧化物半導體場效應晶體管，其特征在于，包括：
襯底、位于所述襯底上的氧化物層和位于所述氧化物層上的硅層；
其中，
所述硅層上設置有源區和漏區，所述源區和所述漏區之間為溝道區，其中，所述源區和所述漏區均為第一摻雜類型的重摻雜；
所述溝道區上設置有多晶硅，所述多晶硅為所述金屬氧化物半導體場效應晶體管的柵極，其中，所述柵極的兩個端部為非摻雜多晶硅，所述柵極的中部為第二摻雜類型的重摻雜，所述第一摻雜類型與所述第二摻雜類型不相同；
在所述柵極未加電的條件下，所述溝道區域與所述源區之間形成第一交疊區，所述溝道區域與所述漏區之間形成第二交疊區；其中，所述非摻雜多晶硅全部覆蓋所述第一交疊區和所述第二交疊區。
2.如權利要求1所述的晶體管，其特征在于，所述晶體管為溝道寬度大于2000um的場效應晶體管BigFET。
3.如權利要求1所述的晶體管，其特征在于：
所述第一摻雜類型為N+摻雜，所述第二摻雜類型為P+摻雜；或者，
所述第一摻雜類型為P+摻雜，所述第二摻雜類型為N+摻雜。
4.如權利要求1所述的晶體管，其特征在于，所述多晶硅和所述溝道區之間設置有二氧化硅層。
5.如權利要求1所述的晶體管，其特征在于，所述晶體管用于鉗位電路。
6.一種鉗位電路，其特征在于，所述鉗位電路包括金屬氧化物半導體場效應晶體管，所述金屬氧化物半導體場效應晶體管包括：
襯底、位于所述襯底上的氧化物層、位于所述氧化物層上的硅層；
所述硅層上設置有源區和漏區，所述源區和所述漏區之間為溝道區，其中，所述源區和所述漏區均為第一摻雜類型的重摻雜；
所述溝道區上設置有多晶硅，所述多晶硅為所述金屬氧化物半導體場效應晶體管的柵極，其中，所述柵極的兩個端部為非摻雜多晶硅，所述柵極的中部為第二摻雜類型的重摻雜，所述第一摻雜類型與所述第二摻雜類型不相同；
在所述柵極未加電的條件下，所述溝道區域與所述源區之間形成第一交疊區，所述溝道區域與所述漏區之間形成第二交疊區；其中，所述非摻雜多晶硅全部覆蓋所述第一交疊區和所述第二交疊區。
7.如權利要求6所述的鉗位電路，其特征在于，所述鉗位電路為檢測電路觸發型鉗位電路。
8.一種絕緣襯底上的硅SOI集成電路，其特征在于，所述電路包括用于靜電保護的鉗位電路，所述鉗位電路包括金屬氧化物半導體場效應晶體管，所述金屬氧化物半導體場效應晶體管包括：
襯底、位于所述襯底上的氧化物層、位于所述氧化物層上的硅層；
所述硅層上設置有源區和漏區，所述源區和所述漏區之間為溝道區，其中，所述源區和所述漏區均為第一摻雜類型的重摻雜；
所述溝道區上設置有多晶硅，所述多晶硅為所述金屬氧化物半導體場效應晶體管的柵極，其中，所述柵極的兩個端部為非摻雜多晶硅，所述柵極的中部為第二摻雜類型的重摻雜，所述第一摻雜類型與所述第二摻雜類型不相同；
在所述柵極未加電的條件下，所述溝道區域與所述源區之間形成第一交疊區，所述溝道區域與所述漏區之間形成第二交疊區；其中，所述非摻雜多晶硅全部覆蓋所述第一交疊區和所述第二交疊區。
9.如權利要求8所述的集成電路，其特征在于，所述鉗位電路為檢測電路觸發型鉗位電路。
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