[發(fā)明專利]一種具有納米顆粒膜的負溫度系數(shù)熱敏電阻及其制備方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710873153.0
• 申請日: 2017-09-25
• 公開（公告）號: CN107622851B
• 公開（公告）日: 2019-06-18
• 發(fā)明（設計）人: 汪洋
• 申請（專利權）人: 江蘇時恒電子科技有限公司
• 主分類號: H01C7/04
• 分類號: H01C7/04;H01C1/14
• 代理公司: 南京經(jīng)緯專利商標代理有限公司 32200
• 代理人: 樓高潮

1.一種具有納米顆粒膜的負溫度系數(shù)熱敏電阻，其特征在于，包括陶瓷基體、設置在陶瓷基體上的電極層、陶瓷基體外部的保護層以及保護層下端的引腳，所述的電極層為濺射形成的銅電極層，所述銅電極層與陶瓷基體表面結合，銅電極層上堆棧有保護層；所述保護層為納米氧化鋁膜形成的保護層；制備方法包括如下步驟：

(1)將陶瓷基體先用5％氫氟酸浸泡5min，再用丙酮、酒精和去離子水超聲清洗10min，清洗干凈后利用氮氣吹掃，密封待用；

(2)采用磁控濺射的方式在陶瓷基體的表面濺射一層金屬銅形成銅電極層；

(3)將步驟(2)中銅電極接好引腳后，在銅電極層表面采用磁控濺射的方式濺射一層納米鋁膜，在弱氧化氣氛下燒結，形成納米氧化鋁膜。

2.根據(jù)權利要求1所述的具有納米顆粒膜的負溫度系數(shù)熱敏電阻，其特征在于，所述步驟(1)中陶瓷基體清洗干燥后先預濺射清除陶瓷基體表面氧化層，后涂覆一層金屬鎳形成過渡層。

3.根據(jù)權利要求1所述的具有納米顆粒膜的負溫度系數(shù)熱敏電阻，其特征在于，所述步驟(2)中銅電極層的厚度為1-2μm。

4.根據(jù)權利要求1所述的具有納米顆粒膜的負溫度系數(shù)熱敏電阻，其特征在于，所述步驟(3)中濺射納米鋁膜所用襯底溫度為100-200℃，所用氣壓為2-3Pa。

5.根據(jù)權利要求1所述的具有納米顆粒膜的負溫度系數(shù)熱敏電阻，其特征在于，所述步驟(3)中納米鋁膜的厚度為100-500nm之間。

6.根據(jù)權利要求1所述的具有納米顆粒膜的負溫度系數(shù)熱敏電阻，其特征在于，所述步驟(3)中弱氧化氣氛下燒結的具體步驟如下：將濺射納米鋁膜的熱敏電阻置于真空爐中，同時以0.05L/min的流速通入氧氣，以5℃/min的升溫速度到720℃并保溫12min，然后以5℃/min的降溫速度降溫到室溫。