[發(fā)明專利]一種負(fù)溫度系數(shù)熱敏電阻及其制備方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710873135.2
• 申請(qǐng)日: 2017-09-25
• 公開（公告）號(hào): CN107799247B
• 公開（公告）日: 2020-03-10
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 汪洋
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 江蘇時(shí)恒電子科技有限公司
• 主分類號(hào): H01C7/04
• 分類號(hào): H01C7/04;H01C1/14;H01C17/06
• 代理公司: 南京經(jīng)緯專利商標(biāo)代理有限公司 32200
• 代理人: 樓高潮

本發(fā)明公開了一種負(fù)溫度系數(shù)熱敏電阻及其制備方法，熱敏電阻陶瓷基片外側(cè)依次真空蒸鍍過渡層、電極層，電極層外側(cè)還設(shè)有保護(hù)層，所述過渡層為厚度1?2μm的納米鎳層，納米鎳粒度在300?500nm之間，所述電極層為銅電極層；其制備方法為：(1)選取陶瓷基片；(2)采用真空蒸鍍方式制備納米鎳薄膜，其中真空度5×10^?1?2×10^?7Pa，沉積速度1?10nm/s；(3)采用真空蒸鍍方式在陶瓷基片表面制備表電極層，電極層厚度在1?2μm；(4)燒結(jié)處理；(5)陶瓷基片表面印刷保護(hù)層；(6)將陶瓷基片在250?300℃條件下固化處理，時(shí)間30?50min；(7)激光對(duì)電阻體進(jìn)行S形切割；(8)經(jīng)過裂片、端封和表面處理，即得。本發(fā)明制備的NTC熱敏電阻工藝簡單、產(chǎn)品質(zhì)量穩(wěn)定，便于企業(yè)自動(dòng)化生產(chǎn)。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明公開了一種負(fù)溫度系數(shù)熱敏電阻及其制備方法，屬于熱敏電阻技術(shù)領(lǐng)域。

背景技術(shù)

負(fù)溫度系數(shù)(NTC)熱敏電阻是一類隨著溫度升高阻值逐漸下降的電阻，具有溫度系數(shù)高、反應(yīng)靈敏度高、且可靠性高、相應(yīng)快、互換性好、能夠抗無線電干擾等優(yōu)點(diǎn)，被廣泛應(yīng)用于測溫、控溫、溫壓、遙控和時(shí)間延遲等設(shè)備中。

傳統(tǒng)NTC熱敏電阻電極材料國內(nèi)外廠家普遍采用銀漿，通過印刷燒結(jié)工藝涂覆在熱敏電阻表面，雖然滿足生產(chǎn)工藝要求，但缺點(diǎn)也很明顯：首先銀燒結(jié)溫度高時(shí)間長，燒結(jié)過程中可能會(huì)產(chǎn)生裂片；其次銀屬于貴金屬，無法提供高性價(jià)比的產(chǎn)品。

申請(qǐng)?zhí)朇N201410532483X的中國專利申請(qǐng)公開了一種負(fù)溫度系數(shù)熱敏電阻芯片電極的制造方法，先將NTC熱敏電阻陶瓷基片在有機(jī)溶劑中清洗干凈后，涂覆上一層銅漿；在銅電極中間層上再涂覆一層銀漿，得到了銅電極中間層和銀電極層，該文章指出經(jīng)過此種結(jié)合，整個(gè)電極溫度都可以控制在750℃以下，但銅、銀金屬都有擴(kuò)散性，使用過程中會(huì)產(chǎn)生電極的遷移。

發(fā)明內(nèi)容

針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的不足，本發(fā)明的目的是提供一種負(fù)溫度系數(shù)熱敏電阻及其制備方法，本發(fā)明采用銅作為電極層，選用納米鎳與銅形成固溶合金，加大了電極層和納米鎳的結(jié)合強(qiáng)度，選用真空蒸鍍的方式制備過渡層、電極層，加強(qiáng)了陶瓷基體和電極的結(jié)合強(qiáng)度，降低了生產(chǎn)成本。

本發(fā)明解決其技術(shù)問題采用的技術(shù)方案是：

一種負(fù)溫度系數(shù)熱敏電阻，陶瓷基片外側(cè)依次真空蒸鍍過渡層、電極層，電極層外側(cè)還設(shè)有保護(hù)層，所述過渡層為厚度1-2μm的納米鎳層，納米鎳粒度在 300-500nm之間，所述電極層為銅電極層。

一種負(fù)溫度系數(shù)熱敏電阻的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：

(1)選取陶瓷基片，待用；

(2)采用真空蒸鍍的方式制備納米鎳薄膜，其中真空度在5×10^-1-2×10^-7Pa，沉積速度在1-10nm/s；

(3)采用真空蒸鍍方式在陶瓷基片表面制備電極層，電極層厚度在1-2μm；

(4)對(duì)步驟(3)處理的陶瓷基片做燒結(jié)處理；

(5)對(duì)步驟(4)處理的陶瓷基片表面印刷保護(hù)層；

(6)將步驟(5)處理的陶瓷基片在250-300℃條件下固化處理，時(shí)間30-50min, 冷卻至室溫；

(7)前述阻值和特性穩(wěn)定的前提下，利用多刀精調(diào)的方式對(duì)電阻體阻值進(jìn)行修正，并采用激光對(duì)電阻體進(jìn)行S形切割；

(8)經(jīng)過裂片、端封和表面處理，即得。

作為本申請(qǐng)的一種優(yōu)選技術(shù)方案，所述步驟(1)中選取的陶瓷基片在使用前先對(duì)陶瓷基片進(jìn)行打磨，清洗，使陶瓷基片表面粗糙度小于40nm。