[發明專利]一種LED芯片、陣列基板、顯示面板和顯示裝置

有效

• 申請號: 201710873131.4
• 申請日: 2017-09-25
• 公開（公告）號: CN107610604B
• 公開（公告）日: 2020-03-17
• 發明（設計）人: 張義榮;孫忠祥;張君;鄔劍波
• 申請（專利權）人: 上海九山電子科技有限公司
• 主分類號: G09F9/33
• 分類號: G09F9/33;G09G3/32
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司 11332
• 代理人: 孟金喆

本發明公開了一種LED芯片、陣列基板、顯示面板和顯示裝置。一種LED芯片，包括：襯底，所述襯底包括第一面和與所述第一面相對的第二面；PN發光結構，位于所述襯底的所述第一面上；開關電路，位于所述襯底的所述第二面上，所述開關電路與存儲電容及所述PN發光結構電連接，所述開關電路開啟時為存儲電容充電；存儲電容，至少包括第一電容電極和第二電容電極，用于為所述PN發光結構提供恒定發光電流。本發明通過LED芯片結構中的存儲電容為PN發光結構提供恒定的發光電流，使得通過每個LED的電流值相等，從而實現每個LED芯片的發光亮度均勻。

技術領域

本發明實施例涉及LED顯示技術領域，尤其涉及一種LED芯片、陣列基板、顯示面板和顯示裝置。

背景技術

LED(Light Emitting Diode，發光二極管)是半導體二極管的一種，是一種依靠半導體PN結的單向導電性發光的光電元件，LED燈是目前世界范圍市場上廣泛使用的照明燈具，具有體積小，亮度高，耗電量低，發熱少，使用壽命長，環保等優點，并且具有豐富多彩的顏色種類，深受消費者的喜愛。與此同時，LED芯片作為背光源在手機，電視機等需要顯示屏的電子產品中發揮著不可或缺的作用，隨著電子產品的尺寸的不斷縮小，也要求LED芯片的尺寸能夠大幅減小。

目前主動驅動的Micro LED結構都是在傳統的薄膜晶體管(Thin FilmTransistor,TFT)基板上做TFT陣列電路，然后把LED轉移到對應的像素單元中。因為LED是電流驅動，電流的大小直接影響LED的亮度，為了保證像素單元的發光亮度均勻，則通過每個LED的電流值必須相等?，F有技術中為了保證 LED陣列里通過每個LED的電流相等，通過改變線路阻值等方法彌補通過不同 LED的電流差異，但是在大尺寸高分辨率的顯示面板中，采用上述方法仍然存在LED亮度不均勻的問題。

發明內容

本發明提供一種LED芯片、陣列基板、顯示面板和顯示裝置，以實現LED 芯片的發光亮度均勻。

為達此目的，第一方面，本發明實施例提供了一種LED芯片，該LED芯片包括：

襯底，所述襯底包括第一面和與所述第一面相對的第二面；

PN發光結構，位于所述襯底的所述第一面上；

開關電路，位于所述襯底的所述第二面上，所述開關電路與存儲電容及所述PN發光結構電連接，所述開關電路開啟時為存儲電容充電；

存儲電容，至少包括第一電容電極和第二電容電極，用于為所述PN發光結構提供恒定發光電流。

可選地，所述PN發光結構包括依次層疊的N型半導體層和P型半導體層，以及形成于所述N型半導體層和所述P型半導體層之間的復合層。

可選地，所述PN發光結構的主體材料為GaN。

可選地，所述PN發光結構采用有機金屬化學氣相沉積工藝形成。

可選地，所述開關電路至少包括一個薄膜晶體管。

可選地，所述薄膜晶體管包括形成于所述襯底的所述第二面上的柵極、位于所述襯底和所述柵極遠離所述PN發光結構一側的第一絕緣層、位于所述第一絕緣層遠離所述襯底一側的半導體層以及位于所述半導體層兩端的源極和漏極，其中，所述漏極與所述P型半導體層電連接。

可選地，所述第一電容電極形成于所述P型半導體層遠離所述N型半導體層一側的表面，所述第一電容通過第一導電材電連接至所述漏極，且所述第一導電材與所述N型半導體層絕緣。

可選地，所述漏極與所述第一電容之間形成有第一通孔，所述第一導電材填充于所述第一通孔中，且所述第一導電材與所述第一通孔之間形成有第二絕緣層；

或者，所述第一導電材形成于所述LED芯片的一側，且所述第一導電材與所述LED芯片的側壁之間形成有第三絕緣層。