[發(fā)明專利]一種LED芯片、陣列基板、顯示面板和顯示裝置

有效

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• 申請日: 2017-09-25
• 公開（公告）號: CN107610604B
• 公開（公告）日: 2020-03-17
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 張義榮;孫忠祥;張君;鄔劍波
• 申請（專利權(quán)）人: 上海九山電子科技有限公司
• 主分類號: G09F9/33
• 分類號: G09F9/33;G09G3/32
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司 11332
• 代理人: 孟金喆

1.一種LED芯片，其特征在于，包括：

襯底，所述襯底包括第一面和與所述第一面相對的第二面；

PN發(fā)光結(jié)構(gòu)，位于所述襯底的所述第一面上；

開關(guān)電路，位于所述襯底的所述第二面上，所述開關(guān)電路與存儲電容及所述PN發(fā)光結(jié)構(gòu)電連接，所述開關(guān)電路開啟時為所述存儲電容充電；

所述存儲電容，至少包括第一電容電極和第二電容電極，用于為所述PN發(fā)光結(jié)構(gòu)提供恒定發(fā)光電流；

所述PN發(fā)光結(jié)構(gòu)包括依次層疊的N型半導(dǎo)體層和P型半導(dǎo)體層，以及形成于所述N型半導(dǎo)體層和所述P型半導(dǎo)體層之間的復(fù)合層；

所述PN發(fā)光結(jié)構(gòu)還包括形成于所述P型半導(dǎo)體層遠(yuǎn)離所述襯底一側(cè)的P型電極，所述P型電極與所述P型半導(dǎo)體層電接觸，所述第一電容電極復(fù)用所述P型電極。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述PN發(fā)光結(jié)構(gòu)的主體材料為GaN。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的LED芯片，其特征在于，所述PN發(fā)光結(jié)構(gòu)采用有機(jī)金屬化學(xué)氣相沉積工藝形成。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述開關(guān)電路至少包括一個薄膜晶體管。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的LED芯片，其特征在于，所述薄膜晶體管包括形成于所述襯底的所述第二面上的柵極、位于所述襯底和所述柵極遠(yuǎn)離所述PN發(fā)光結(jié)構(gòu)一側(cè)的第一絕緣層、位于所述第一絕緣層遠(yuǎn)離所述襯底一側(cè)的半導(dǎo)體層以及位于所述半導(dǎo)體層兩端的源極和漏極，其中，所述漏極與所述P型半導(dǎo)體層電連接。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的LED芯片，其特征在于，所述第一電容電極形成于所述P型半導(dǎo)體層遠(yuǎn)離所述N型半導(dǎo)體層一側(cè)的表面，所述第一電容通過第一導(dǎo)電材電連接至所述漏極，且所述第一導(dǎo)電材與所述N型半導(dǎo)體層絕緣。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的LED芯片，其特征在于，所述漏極與所述第一電容之間形成有第一通孔，所述第一導(dǎo)電材填充于所述第一通孔中，且所述第一導(dǎo)電材與所述第一通孔之間形成有第二絕緣層；

或者，所述第一導(dǎo)電材形成于所述LED芯片的一側(cè)，且所述第一導(dǎo)電材與所述LED芯片的側(cè)壁之間形成有第三絕緣層。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的LED芯片，其特征在于，所述第二電容電極與所述柵極同層設(shè)置，所述第二電容電極通過所述襯底中的第二通孔與所述N型半導(dǎo)體層電連接。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述P型半導(dǎo)體層刻蝕有凹槽，以暴露出所述N型半導(dǎo)體層。

10.一種陣列基板，其特征在于，包括多條掃描線、多條數(shù)據(jù)線、多條公共線和如權(quán)利要求1-9任一項所述的LED芯片；

所述掃描線及所述公共線，與所述數(shù)據(jù)線絕緣相交限定出像素區(qū)域，所述LED芯片設(shè)置于所述像素區(qū)域中，所述掃描線電連接所述開關(guān)電路的控制端，所述數(shù)據(jù)線電連接所述開關(guān)電路的數(shù)據(jù)輸入端，所述公共線電連接所述PN發(fā)光結(jié)構(gòu)的輸出端。

11.一種顯示面板，其特征在于，包括如權(quán)利要求10所述的陣列基板。

12.一種顯示裝置，其特征在于，包括如權(quán)利要求11所述的顯示面板。