[發(fā)明專利]一種蒸鍍坩堝以及蒸鍍裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710870205.9 | 申請日: | 2017-09-21 |
| 公開(公告)號: | CN107604317B | 公開(公告)日: | 2019-11-26 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 洪國榮;徐超 | 申請(專利權(quán))人: | 武漢華星光電半導(dǎo)體顯示技術(shù)有限公司 |
| 主分類號: | C23C14/24 | 分類號: | C23C14/24;C23C14/14 |
| 代理公司: | 44280 深圳市威世博知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) | 代理人: | 袁江龍<國際申請>=<國際公布>=<進入 |
| 地址: | 430000 湖北省武漢市東湖新技術(shù)*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 蒸鍍材料 墊片 坩堝 蒸鍍 汽化 待加工產(chǎn)品 固體雜質(zhì) 間隔設(shè)置 雜質(zhì)過濾 蒸鍍裝置 坩堝本體 良率 兩層 通孔 貫通 容納 體內(nèi) 阻擋 | ||
本發(fā)明公開了一種蒸鍍坩堝以及蒸鍍裝置,其中,所述蒸鍍坩堝包括:坩堝本體,用于容納蒸鍍材料;至少兩層墊片,間隔設(shè)置于所述坩堝本體內(nèi),每一所述墊片貫通開設(shè)多個通孔,以使得所述蒸鍍材料汽化后順利通過所述墊片,并阻擋所述蒸鍍材料中的固體雜質(zhì)。通過上述方式,本發(fā)明能夠?qū)⒄翦儾牧现械碾s質(zhì)過濾,減少待加工產(chǎn)品中的雜質(zhì),從而提高產(chǎn)品的良率。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及顯示屏制造技術(shù)領(lǐng)域,特別是涉及一種蒸鍍坩堝以及蒸鍍裝置。
背景技術(shù)
隨著有機發(fā)光二極管(OLED,Organic Light-Emitting Diode)顯示屏廣泛運用到手機屏上,越來越多的面板廠商開始建設(shè)OLED顯示屏量產(chǎn)線,其中蒸鍍工藝是影響OLED顯示屏良率的關(guān)鍵制程,是在量產(chǎn)線制備過程中需要重點控制的項目。
現(xiàn)有OLED器件主要包括有機膜層和金屬膜層,其中,金屬膜層主要使用鎂/銀共蒸作為OLED陽極。
本申請的發(fā)明人在長期的研發(fā)過程中,發(fā)現(xiàn)采用蒸鍍工藝在待加工產(chǎn)品上沉積鎂的過程中,在往坩堝本體內(nèi)添加鎂時,因鎂活性較高,與空氣接觸的鎂易被氧化成氧化鎂,同時鎂的純度高達99.99%,因提純困難導(dǎo)致起始原料鎂中含有部分雜質(zhì),如此,在沉積鎂的過程中,起始原料中的少量雜質(zhì)和氧化物氧化鎂會蒸鍍到產(chǎn)品上,從而導(dǎo)致代加工產(chǎn)品表面出現(xiàn)混色、黑點等情況,影響良品率。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明主要解決的技術(shù)問題是提供一種蒸鍍坩堝以及蒸鍍裝置,能夠?qū)⒄翦儾牧现械碾s質(zhì)過濾,減少待加工產(chǎn)品中的雜質(zhì),從而提高產(chǎn)品的良率。
為解決上述技術(shù)問題,本發(fā)明采用的一個技術(shù)方案是:提供一種蒸鍍坩堝,所述蒸鍍坩堝包括:
坩堝本體,用于容納蒸鍍材料;
至少兩層墊片,間隔設(shè)置于所述坩堝本體內(nèi),每一所述墊片貫通開設(shè)多個通孔,以使得所述蒸鍍材料汽化后順利通過所述墊片,并阻擋所述蒸鍍材料中的固體雜質(zhì)。
為解決上述技術(shù)問題,本發(fā)明采用的另一個技術(shù)方案是:提供一種蒸鍍裝置,包括蒸鍍坩堝,所述蒸鍍坩堝為上述所述的蒸鍍坩堝。
本發(fā)明的有益效果是:區(qū)別于現(xiàn)有技術(shù)的情況,本發(fā)明提供的蒸鍍坩堝包括坩堝本體,用于容納蒸鍍材料;至少兩層墊片,間隔設(shè)置于所述坩堝本體內(nèi),每一所述墊片貫通開設(shè)多個通孔,以使得所述蒸鍍材料汽化后順利通過所述墊片,并阻擋所述蒸鍍材料中的固體雜質(zhì)。通過在坩堝本體內(nèi)部間隔設(shè)置至少兩層墊片,且每一層墊片貫通開設(shè)有多個通孔,如此,在加熱過程中,坩堝本體內(nèi)的蒸鍍材料在達到一定溫度時,發(fā)生汽化,隨著墊片中的通孔而往上流動,而對待加工產(chǎn)品進行蒸鍍,而蒸鍍材料中所含雜質(zhì)則保持為固體顆粒,受到氣流的影響向上移動時,因墊片未開孔區(qū)域的阻擋作用,使得固體雜質(zhì)無法繼續(xù)向上移動,即使穿過通孔,則會再次受到下一層墊片的阻擋作用或重力作用而下降,從而將雜質(zhì)過濾掉,在蒸鍍過程中,能夠有效避免了氧固體雜質(zhì)蒸鍍到待加工產(chǎn)品上,從而有效提高良品率。
附圖說明
為了更清楚地說明本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案,下面將對實施例描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹,顯而易見地,下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例,對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講,在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下,還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。其中:
圖1是本發(fā)明蒸鍍坩堝一實施方式的結(jié)構(gòu)示意圖;
圖2是圖1所示的蒸鍍坩堝的分解示意圖。
具體實施方式
下面將結(jié)合本發(fā)明實施例中的附圖,對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述,顯然,所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例,而不是全部實施例。基于本發(fā)明中的實施例,本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性的勞動前提下所獲得的所有其他實施例,都屬于本發(fā)明保護的范圍。
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- 專利分類
C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C14-00 通過覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進行鍍覆
C23C14-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C14-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物
C23C14-06 .以鍍層材料為特征的
C23C14-22 .以鍍覆工藝為特征的
C23C14-58 .后處理





