[發明專利]一種蒸鍍坩堝以及蒸鍍裝置

有效

• 申請號: 201710870205.9
• 申請日: 2017-09-21
• 公開（公告）號: CN107604317B
• 公開（公告）日: 2019-11-26
• 發明（設計）人: 洪國榮;徐超
• 申請（專利權）人: 武漢華星光電半導體顯示技術有限公司
• 主分類號: C23C14/24
• 分類號: C23C14/24;C23C14/14
• 代理公司: 44280 深圳市威世博知識產權代理事務所(普通合伙)
• 代理人: 袁江龍<國際申請>=<國際公布>=<進入

1.一種蒸鍍坩堝，其特征在于，所述蒸鍍坩堝包括：

坩堝本體，用于容納蒸鍍材料；

至少兩層墊片，間隔設置于所述坩堝本體內，每一所述墊片貫通開設多個通孔，以使得所述蒸鍍材料汽化后順利通過所述墊片，并阻擋所述蒸鍍材料中的固體雜質；

多個支撐件，可拆卸地設置于所述坩堝本體內，每一所述墊片置于對應的所述支撐件上；

其中，所述坩堝本體內底層的所述墊片、頂層的所述墊片中至少一層的所述墊片的通孔密度大于底層的所述墊片與頂層的所述墊片之間的所述墊片的通孔密度，其中所述底層的墊片定義為最靠近所述坩堝本體底部的所述墊片，所述頂層的墊片定義為最靠近所述坩堝本體頂部的所述墊片；所述坩堝本體內底層的所述墊片或/和頂層的所述墊片的通孔的直徑范圍為3-5毫米，底層的所述墊片與頂層的所述墊片之間的所述墊片的通孔的直徑范圍為5-10毫米；

所述底層的墊片的通孔密度與所述頂層的墊片的通孔密度相等；

所述支撐件為支撐環，所述支撐環為中空的圓柱體，所述支撐環的外徑與所述坩堝本體的側壁的內徑相等，多個所述支撐件的高度相同，或者多個所述支撐件的高度自下而上依次減小，以使相鄰的兩層所述墊片之間的距離相等或者自下而上依次減小。

2.根據權利要求1所述的蒸鍍坩堝，其特征在于，所述墊片的材料、所述支撐件的材料與所述蒸鍍坩堝的材料相同。

3.根據權利要求1所述的蒸鍍坩堝，其特征在于，所述坩堝本體內間隔設置的所述墊片層數范圍為3-10層。

4.根據權利要求1所述的蒸鍍坩堝，其特征在于，相鄰的兩層所述墊片的所述通孔相互錯開設置。

5.根據權利要求1所述的蒸鍍坩堝，其特征在于，每一所述墊片的多個所述通孔的面積和占所述墊片的面積的30-50％。

6.一種蒸鍍裝置，包括蒸鍍坩堝，其特征在于，所述蒸鍍坩堝為權利要求1-5中任一項所述的蒸鍍坩堝。