[發(fā)明專利]四面扁平無引腳半導(dǎo)體封裝件、其制造方法及其制造用遮蔽片有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201710867062.6 | 申請(qǐng)日： | 2017-09-22 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN108573946B | 公開（公告）日： | 2021-12-24 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 沈昌勛;崔城煥;黃仁赫 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | IHN實(shí)驗(yàn)室有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L23/495 | 分類號(hào)： | H01L23/495 |
| 代理公司： | 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227 | 代理人： | 蔡勝有;鄭毅 |
| 地址： | 韓國大*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 四面 扁平 引腳 半導(dǎo)體 封裝 制造 方法 及其 遮蔽 | ||
1.一種四面扁平無引腳半導(dǎo)體封裝件，其通過在遮蔽片上壓印引線框的層壓工藝，通過在所述遮蔽片的粘結(jié)層上形成0.5μm至3μm的接觸深度而制造，其通過在所述引線框與所述粘結(jié)層之間的接觸深度而具有夾持效果，
其中，所述層壓工藝包括：
第一步驟，在能夠沿垂直方向加壓和加熱的加壓裝置中，使四面扁平無引腳半導(dǎo)體用金屬引線框與所述遮蔽片對(duì)齊；
第二步驟，在30℃至220℃的溫度下，進(jìn)行15秒或更短的預(yù)熱處理；
第三步驟，在200℃至250℃的溫度下加熱所述遮蔽片的表面，在190℃至230℃的溫度下加熱所述引線框的表面，施加1巴至3巴的壓力5秒至15秒，來使所述遮蔽片附著至所述引線框。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的四面扁平無引腳半導(dǎo)體封裝件，其中，所述遮蔽片包括基膜和在所述基膜的一個(gè)或兩個(gè)表面上的熱塑性聚酰亞胺粘結(jié)層，所述熱塑性聚酰亞胺粘結(jié)層的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度為150℃至230℃，在主鏈中包含酰胺基或醚基。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的四面扁平無引腳半導(dǎo)體封裝件，其中，所述遮蔽片的所述基膜為由聚酰亞胺、聚酰胺、聚醚砜、聚苯硫醚、聚醚酮、聚醚醚酮、三乙酰纖維素、或聚醚酰亞胺制成的膜，由金、銀、銅、鉑、鋁、鎂、鈦、鉻、錳、鐵、鈷、鎳、鋅、鈀、銦或錫制成的箔，或包含以上金屬作為主要組分的合金箔或鍍箔。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的四面扁平無引腳半導(dǎo)體封裝件，其中，所述遮蔽片的所述基膜的厚度為7μm至50μm，所述基膜在150℃至230℃的溫度下的熱膨脹系數(shù)為5ppm/℃至50ppm/℃。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的四面扁平無引腳半導(dǎo)體封裝件，其中所述熱塑性聚酰亞胺粘結(jié)層在主鏈中包含羥基和羧基中的一種。
6.一種制造四面扁平無引腳半導(dǎo)體封裝件的方法，所述四面扁平無引腳半導(dǎo)體封裝件通過在遮蔽片上壓印引線框的層壓工藝，來在所述遮蔽片的粘結(jié)層上形成0.5μm至3μm的接觸深度而制造，其通過在所述引線框與所述粘結(jié)層之間的接觸深度而具有夾持效果，
其中，所述層壓工藝包括如下步驟：
第一步驟，在能夠沿垂直方向加壓和加熱的加壓裝置中，使四面扁平無引腳半導(dǎo)體用金屬引線框與所述遮蔽片對(duì)齊；
第二步驟，在30℃至220℃溫度下，進(jìn)行15秒或更短的預(yù)熱處理；
第三步驟，在200℃至250℃的溫度下加熱所述遮蔽片的表面，在190℃至230℃的溫度下加熱所述引線框的表面，施加1巴至3巴的壓力5秒至15秒，來使所述遮蔽片附著至所述引線框。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中，所述遮蔽片包括基膜及設(shè)置于所述基膜的一個(gè)或兩個(gè)表面上的厚度為1μm至10μm的熱塑性聚酰亞胺粘結(jié)層，所述熱塑性聚酰亞胺粘結(jié)層的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度為150℃至230℃，在主鏈中包含酰胺基或醚基。
8.根據(jù)權(quán)利要求6和7中任一項(xiàng)所述的方法，包括：
所述層壓工藝；
將半導(dǎo)體芯片接合至所述遮蔽片所附著的所述引線框；
使所述半導(dǎo)體芯片與配線接合和連接；
用密封樹脂對(duì)所述半導(dǎo)體芯片進(jìn)行密封；和
完成所述密封之后，從所述引線框剝離并去除所述遮蔽片。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中所述熱塑性聚酰亞胺粘結(jié)層在主鏈中包含羥基和羧基中的一種。
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