[發明專利]基板處理裝置和處理液供給方法

有效

• 申請號: 201710864350.6
• 申請日: 2017-09-22
• 公開（公告）號: CN107871693B
• 公開（公告）日: 2023-05-23
• 發明（設計）人: 東島治郎;緒方信博;橋本佑介
• 申請（專利權）人: 東京毅力科創株式會社
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67
• 代理公司: 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇

提供一種基板處理裝置和處理液供給方法。能夠更準確地進行利用期望的溫度的SPM液的處理。該基板處理裝置具備：處理液供給機構(70)，其向基板供給SPM液；溫度調整部(加熱器)(303)，其用于對從處理液供給機構(70)向基板供給時的SPM液的溫度進行調整；獲取部(溫度傳感器)(80)，其用于獲取基板的表面上的SPM液的溫度信息；以及控制部(18)，其根據由獲取部(溫度傳感器)(80)獲取到的SPM液的溫度信息來設定溫度調整部(加熱器)(303)中的調整量，其中，溫度調整部(加熱器)(303)基于由控制部(18)設定的調整量來對向基板供給時的SPM液的溫度進行調整。

技術領域

本發明涉及一種將加熱后的處理液供給到基板來對基板進行處理的技術。

背景技術

在半導體器件的制造工序中，在形成于半導體晶圓等基板(以下也簡稱為“晶圓”)的處理對象膜之上以規定圖案形成抗蝕劑膜，將該抗蝕劑膜作為掩模來對處理對象膜實施蝕刻、離子注入等處理。處理后，從晶圓上去除不需要的抗蝕劑膜。作為抗蝕劑膜的去除方法，經常使用SPM處理。SPM處理是通過向抗蝕劑膜供給將硫酸和過氧化氫水混合所得到的高溫的SPM(Sulfuric?Acid?Hydrogen?Peroxide?Mixture：硫酸過氧化氫混合物)液來進行的。

在專利文獻1中公開了如下一種基板處理裝置：使用設置于硫酸供給路的加熱器來進行硫酸的溫度調整，由此生成期望的溫度的SPM液后向基板供給該SPM液。關于此處的加熱器的運用條件，事前通過實驗來掌握混合之前的硫酸溫度與從SPM噴嘴噴出的SPM液的溫度之間的關系，基于該關系來決定該加熱器的運用條件。

專利文獻1：日本特開2013-207080號公報

發明內容

發明要解決的問題

然而，當基板的轉速、排氣流量、處理液的硫酸濃度等處理條件精細地不同時，存在只在通過實驗決定的運用條件下無法向基板上高精度地供給期望的溫度的SPM液的擔憂。

本發明是用于解決上述的問題而完成的，其目的在于能夠更準確地進行利用期望的溫度的SPM液的處理。

用于解決問題的方案

為了解決上述的問題，本發明的基板處理裝置的特征在于，具備：處理液供給機構，其將硫酸和過氧化氫水混合來生成硫酸過氧化氫混合物液，并向基板供給所生成的硫酸過氧化氫混合物液；溫度調整部，其對從所述處理液供給機構向所述基板供給時的所述硫酸過氧化氫混合物液的溫度進行調整；獲取部，其獲取所述基板的表面上的所述硫酸過氧化氫混合物液的溫度信息；以及控制部，其根據由所述獲取部獲取到的所述溫度信息來設定所述溫度調整部中的調整量，其中，所述溫度調整部基于由所述控制部設定的調整量來對從所述處理液供給機構向所述基板供給時的所述硫酸過氧化氫混合物液的溫度進行調整。

發明的效果

本發明具有能夠更準確地進行利用期望的溫度的SPM液的處理的效果。

附圖說明

圖1是表示本發明的實施方式所涉及的基板處理系統的概要結構的圖。

圖2是表示本發明的實施方式所涉及的處理單元的概要結構的圖。

圖3是第一實施方式所涉及的基板處理系統中的處理液供給系統的具體的結構例。

圖4是對本實施方式所涉及的處理單元所執行的基板處理的內容進行說明的圖。

圖5是表示作為溫度信息的晶圓上的SPM液的溫度分布的一例的圖。

圖6是對第一實施方式中的SPM液的溫度調整的控制進行說明的流程圖。