[發明專利]基板處理裝置和處理液供給方法有效
| 申請號: | 201710864350.6 | 申請日: | 2017-09-22 |
| 公開(公告)號: | CN107871693B | 公開(公告)日: | 2023-05-23 |
| 發明(設計)人: | 東島治郎;緒方信博;橋本佑介 | 申請(專利權)人: | 東京毅力科創株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 劉新宇 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 處理 裝置 供給 方法 | ||
1.一種基板處理裝置,其特征在于,具備:
處理液供給機構,其將硫酸和過氧化氫水混合來生成硫酸過氧化氫混合物液,并從噴出部向基板供給所生成的硫酸過氧化氫混合物液;
溫度調整部,其對從所述處理液供給機構向所述基板供給時的所述硫酸過氧化氫混合物液的溫度進行調整;
獲取部,其獲取所述基板的表面上的所述硫酸過氧化氫混合物液的溫度信息;以及
控制部,其根據由所述獲取部獲取到的所述溫度信息來設定所述溫度調整部中的調整量,
其中,所述溫度調整部基于由所述控制部設定的調整量來對從所述處理液供給機構向所述基板供給時的所述硫酸過氧化氫混合物液的溫度進行調整,
所述獲取部為測量基板上的硫酸過氧化氫混合物液的溫度分布的溫度傳感器,
所述控制部基于根據在使所述噴出部的所述硫酸過氧化氫混合物液的噴出位置在所述基板的中心與周緣之間反復移動的情況下獲取到的溫度信息求出的溫度分布特性,來計算所述基板的整個表面的硫酸過氧化氫混合物液的溫度值的平均值,并根據計算出的所述平均值與期望的硫酸過氧化氫混合物液的溫度之間的差來決定所述溫度調整部的調整量。
2.根據權利要求1所述的基板處理裝置,其特征在于,
所述處理液供給機構具有:
第一路徑,其供硫酸流通;
第二路徑,其供過氧化氫水流通;
混合部,其將來自所述第一路徑的硫酸和來自所述第二路徑的過氧化氫水以規定的混合比混合來生成硫酸過氧化氫混合物液;以及
噴出部,其對基板噴出由所述混合部生成的硫酸過氧化氫混合物液,
所述溫度調整部設置于所述第一路徑以對流通的硫酸的溫度進行調整。
3.根據權利要求1所述的基板處理裝置,其特征在于,
所述處理液供給機構具有:
第一流路,其供硫酸流通;
第二流路,其供過氧化氫水流通;
混合部,其將來自所述第一流路的硫酸和來自所述第二流路的過氧化氫水以規定的混合比混合來生成硫酸過氧化氫混合物液;以及
噴出部,其對基板噴出由所述混合部生成的硫酸過氧化氫混合物液,
所述溫度調整部為所述混合部,根據由所述獲取部獲取到的硫酸過氧化氫混合物液的溫度信息來變更所述混合比,由此調整硫酸過氧化氫混合物液的溫度。
4.根據權利要求1至3中的任一項所述的基板處理裝置,其特征在于,
所述獲取部在正在向一張基板供給硫酸過氧化氫混合物液時獲取所述溫度信息,
所述控制部在正在向所述一張基板供給硫酸過氧化氫混合物液時對所述溫度調整部中的調整量進行控制。
5.根據權利要求1所述的基板處理裝置,其特征在于,
所述處理液供給機構具有:
貯存部,其貯存硫酸;
循環路徑,其使所述貯存部的硫酸循環;
分支路徑,其從所述循環路徑分支出來,使硫酸流通;
混合部,其將過氧化氫水和在所述分支路徑中流通的硫酸以規定的混合比混合來生成硫酸過氧化氫混合物液;以及
噴出部,其對所述基板噴出由所述混合部生成的硫酸過氧化氫混合物液,
所述溫度調整部對在所述循環路徑中流通的硫酸的溫度進行調整。
6.一種處理液供給方法,用于將硫酸和過氧化氫水混合來生成硫酸過氧化氫混合物液,從噴出部向基板供給生成的所述硫酸過氧化氫混合物液,該處理液供給方法的特征在于,包括以下工序:
獲取工序,獲取部獲取基板的表面上的所述硫酸過氧化氫混合物液的溫度信息;
設定工序,控制部根據在所述獲取工序中獲取到的硫酸過氧化氫混合物液的溫度信息來設定向所述基板供給時的硫酸過氧化氫混合物液的溫度的調整量;以及
調整工序,溫度調整部基于在所述設定工序中設定的調整量來調整向所述基板供給時的硫酸過氧化氫混合物液的溫度,
所述獲取部為測量基板上的硫酸過氧化氫混合物液的溫度分布的溫度傳感器,
所述控制部基于根據在使所述噴出部的所述硫酸過氧化氫混合物液的噴出位置在所述基板的中心與周緣之間反復移動的情況下獲取到的溫度信息求出的溫度分布特性,來計算所述基板的整個表面的硫酸過氧化氫混合物液的溫度值的平均值,并根據計算出的所述平均值與期望的硫酸過氧化氫混合物液的溫度之間的差來決定所述溫度調整部的調整量。
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H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





