[發明專利]一種顯示面板和顯示裝置有效
| 申請號: | 201710862180.8 | 申請日: | 2017-09-21 |
| 公開(公告)號: | CN107680974B | 公開(公告)日: | 2020-12-29 |
| 發明(設計)人: | 王幸 | 申請(專利權)人: | 武漢華星光電半導體顯示技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12;H01L21/77 |
| 代理公司: | 深圳匯智容達專利商標事務所(普通合伙) 44238 | 代理人: | 孫威;潘中毅 |
| 地址: | 430000 湖北省武漢市東湖新技術*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 顯示 面板 顯示裝置 | ||
本發明公開了一種顯示面板,包括:基板薄膜層;設置在基板薄膜層上的有機薄膜層;有機薄膜層至少包括:緩沖層、第一金屬層、柵極絕緣層和柵極金屬層,緩沖層設置在基板薄膜層上,緩沖層包括:依次形成在基板薄膜層上的第一緩沖層和第二緩沖層,第一金屬層形成在所述第一緩沖層和所述第二緩沖層之間;所述第一金屬層、柵極絕緣層和柵極金屬層構成一用于消除靜電的電容;以及設置于有機薄膜層上的功能層,功能層至少包括陽級膜層。本發明還公開了一種顯示裝置。實施本發明的顯示面板和顯示裝置,可消除面板制作過程中累計的靜電,避免膜層腐蝕等不良,保證畫面正常顯示,提高顯示面板的產出良率。
技術領域
本發明涉及顯示面板制造領域,尤其涉及一種顯示面板和顯示裝置。
背景技術
柔性顯示技術是下一代的主流顯示技術。現有技術中柔性顯示面板主要采用有源矩陣低溫多晶硅薄膜晶體管進行驅動,在制作過程中,累計的靜電容易造成fanout區金屬柵極層擊傷,導致信號傳輸線腐蝕或者斷裂,造成柔性顯示面板畫面顯示異常的情況。
發明內容
本發明所要解決的技術問題在于,提供一種顯示面板和顯示裝置,可消除面板制作過程中累計的靜電,避免膜層腐蝕等不良,保證畫面正常顯示,提高柔性顯示面板的產出良率。
為了解決上述技術問題,本發明的實施例提供了一種顯示面板,包括:基板薄膜層;設置在基板薄膜層上的有機薄膜層;有機薄膜層至少包括:緩沖層、第一金屬層、柵極絕緣層和柵極金屬層,緩沖層設置在基板薄膜層上,緩沖層包括:依次形成在基板薄膜層上的第一緩沖層和第二緩沖層,第一金屬層形成在第一緩沖層和第二緩沖層之間;柵極絕緣層形成在第二緩沖層上,柵極絕緣層和第二緩沖層之間設有有源層,柵極金屬層形成在柵極絕緣層上,所述第一金屬層、柵極絕緣層和柵極金屬層構成一用于消除靜電的電容,電容在第一金屬層圖案形成之后,沉積第二緩沖層和有源層,利用光刻和干法刻蝕技術形成有源層的圖形之后,沉積柵極絕緣層以及柵極金屬層,利用光刻和干法刻蝕技術形成圖形;以及設置于有機薄膜層上的功能層,功能層至少包括陽級膜層;有機薄膜層還包括:依次形成在柵極金屬層上的第二絕緣層、形成在第二絕緣層上的第二金屬層以及形成在第二金屬層上的層間絕緣層,其中,通過光刻和干法刻蝕工藝將第二絕緣層和第二金屬層圖案化。
其中,電容為圓形或者方形。
其中,有機薄膜層與功能層之間設置有平坦層,平坦層使用的材料為聚酰亞胺,其厚度尺寸范圍為1.5~3um。
其中,第一緩沖層的厚度尺寸范圍為200~400nm,第一金屬層的材料為金屬Mo,其厚度尺寸范圍為150~250nm,第二緩沖層的厚度尺寸范圍為200~300nm;有源層的厚度尺寸范圍為40~50nm、柵極絕緣層的厚度尺寸范圍為50~200nm,柵極金屬層的材料為金屬Mo,其厚度尺寸范圍為150~250nm。
其中,有機薄膜層還包括:依次形成在柵極絕緣層、第二絕緣層以及層間絕緣層上的源漏極金屬層,其中,源漏極金屬層位于平坦層的下方,其中:源漏極金屬層使用的材料為鈦和/或鋁,其厚度尺寸范圍為400~600nm。
其中,功能層還包括:依次形成在陽極膜層上的像素定義層和PS層;其中:像素定義層使用的材料為聚酰亞胺,其厚度尺寸范圍為1.5~3um,PS層使用的材料為聚酰亞胺,其厚度尺寸范圍為1.5~3um;陽極膜層使用的材料為氧化銦和銀,陽極膜層的厚度尺寸范圍為100~250nm。
其中,基板薄膜層的材料為聚酰亞胺,其厚度尺寸范圍為10~20um。
本發明還公開了一種顯示裝置。
實施本發明所提供的顯示面板和顯示裝置,具有如下有益效果:
第一、顯示面板包括電容,其依次形成在第一金屬層、柵極絕緣層和柵極金屬層三者之間,利用光刻和干法刻蝕技術形成圖形,以保護柔性顯示面板在制作過程中不被靜電擊傷。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于武漢華星光電半導體顯示技術有限公司,未經武漢華星光電半導體顯示技術有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201710862180.8/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





