[發明專利]一種顯示面板和顯示裝置有效
| 申請號: | 201710862180.8 | 申請日: | 2017-09-21 |
| 公開(公告)號: | CN107680974B | 公開(公告)日: | 2020-12-29 |
| 發明(設計)人: | 王幸 | 申請(專利權)人: | 武漢華星光電半導體顯示技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12;H01L21/77 |
| 代理公司: | 深圳匯智容達專利商標事務所(普通合伙) 44238 | 代理人: | 孫威;潘中毅 |
| 地址: | 430000 湖北省武漢市東湖新技術*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 顯示 面板 顯示裝置 | ||
1.一種顯示面板,其特征在于,包括:
基板薄膜層;
設置在所述基板薄膜層上的有機薄膜層;所述有機薄膜層至少包括:緩沖層、第一金屬層、柵極絕緣層和柵極金屬層,所述緩沖層設置在基板薄膜層上,所述緩沖層包括:依次形成在所述基板薄膜層上的第一緩沖層和第二緩沖層,所述第一金屬層形成在所述第一緩沖層和所述第二緩沖層之間;所述柵極絕緣層形成在所述第二緩沖層上,所述柵極絕緣層和所述第二緩沖層之間設有有源層,所述柵極金屬層形成在所述柵極絕緣層上,所述第一金屬層、柵極絕緣層和柵極金屬層構成一用于消除靜電的電容,所述電容在第一金屬層圖案形成之后,沉積第二緩沖層和有源層,利用光刻和干法刻蝕技術形成有源層的圖形之后,沉積柵極絕緣層以及柵極金屬層,利用光刻和干法刻蝕技術形成圖形;以及
設置于所述有機薄膜層上的功能層,所述功能層至少包括陽極膜層;所述有機薄膜層還包括:依次形成在所述柵極金屬層上的第二絕緣層、形成在所述第二絕緣層上的第二金屬層以及形成在所述第二金屬層上的層間絕緣層,其中,通過光刻和干法刻蝕工藝將所述第二絕緣層和所述第二金屬層圖案化。
2.如權利要求1所述的顯示面板,其特征在于,所述電容為圓形或者方形。
3.如權利要求1所述的顯示面板,其特征在于,所述有機薄膜層與所述功能層之間設置有平坦層,所述平坦層使用的材料為聚酰亞胺,其厚度尺寸范圍為1.5~3um。
4.如權利要求1所述的顯示面板,其特征在于,
所述第一緩沖層的厚度尺寸范圍為200~400nm,所述第一金屬層的材料為金屬Mo,其厚度尺寸范圍為150~250nm,所述第二緩沖層的厚度尺寸范圍為200~300nm;
所述有源層的厚度尺寸范圍為40~50nm、所述柵極絕緣層的厚度尺寸范圍為50~200nm,所述柵極金屬層的材料為金屬Mo,其厚度尺寸范圍為150~250nm。
5.如權利要求3所述的顯示面板,其特征在于,所述有機薄膜層還包括:依次形成在所述柵極絕緣層、所述第二絕緣層以及所述層間絕緣層上的源漏極金屬層,其中,所述源漏極金屬層位于所述平坦層的下方,其中:
所述源漏極金屬層使用的材料為鈦和/或鋁,其厚度尺寸范圍為400~600nm。
6.如權利要求1所述的顯示面板,其特征在于,所述功能層還包括:
依次形成在所述陽極膜層上的像素定義層和PS層;其中:所述像素定義層使用的材料為聚酰亞胺,其厚度尺寸范圍為1.5~3um,所述PS層使用的材料為聚酰亞胺,其厚度尺寸范圍為1.5~3um;
所述陽極膜層使用的材料為氧化銦和銀,所述陽極膜層的厚度尺寸范圍為100~250nm。
7.如權利要求1所述的顯示面板,其特征在于,所述基板薄膜層的材料為聚酰亞胺,其厚度尺寸范圍為10~20um。
8.一種顯示裝置,其特征在于,所述顯示裝置包括如權利要求1-7任一項所述的顯示面板。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





