[發(fā)明專利]一種陣列基板及其斷線修復(fù)方法、顯示裝置

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710861463.0
• 申請(qǐng)日: 2017-09-21
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN107479290A
• 公開(kāi)（公告）日: 2017-12-15
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 韓磊
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 京東方科技集團(tuán)股份有限公司;合肥鑫晟光電科技有限公司
• 主分類號(hào): G02F1/1362
• 分類號(hào): G02F1/1362;G02F1/1368;G02F1/13;H01L27/12
• 代理公司: 北京中博世達(dá)專利商標(biāo)代理有限公司11274
• 代理人: 申健

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種陣列基板及其斷線修復(fù)方法、顯示裝置。

背景技術(shù)

陣列基板是液晶顯示面板中的核心組成之一，如圖1所示，傳統(tǒng)的陣列基板包括：多條數(shù)據(jù)線(Data Line)101與掃描線(Gate Line)102，二者交叉設(shè)置限定出多個(gè)像素單元，位于每個(gè)像素單元中的像素電極104以及與數(shù)據(jù)線和掃描線電性連接的薄膜晶體管TFT(Thin Film Transistor)；其中，TFT源極105電性連接數(shù)據(jù)線101，TFT漏極106連接像素電極104，TFT柵極107電性連接掃描線102。掃描線102向TFT提供掃描信號(hào)，數(shù)據(jù)線101向TFT提供數(shù)據(jù)信號(hào)，以控制顯示面板的顯示畫(huà)面。陣列基板中還包括有與掃描線102平行設(shè)置的公共電極線(Common)103，公共電極線103靠近掃描線102，像素電極104與同側(cè)的公共電極線103之間具有重疊的區(qū)域，二者重疊部分以及之間的絕緣介質(zhì)構(gòu)成了存儲(chǔ)電容Cs，以維持像素電極在進(jìn)行下一次掃描時(shí)的正常充放電。這種存儲(chǔ)電容的設(shè)計(jì)方式稱為Cs on Common，即存儲(chǔ)電容設(shè)計(jì)在公共電極線上。

在上述設(shè)計(jì)中，由于每行像素單元中額外增加了一條公共電極線，降低了像素區(qū)的有效面積，導(dǎo)致顯示面板的開(kāi)口率減低。

為了提高顯示面板的開(kāi)口率，現(xiàn)有的另一種設(shè)計(jì)方式為，將陣列基板中的公共電極線去除以增加像素區(qū)的有效面積；同時(shí)，為了不影響存儲(chǔ)電容對(duì)像素電極的正常充放電，需要將掃描線與像素電極之間設(shè)計(jì)出相重疊的區(qū)域，即掃描線與像素電極二者重疊部分以及之間的絕緣介質(zhì)構(gòu)成了存儲(chǔ)電容Cs，這種存儲(chǔ)電容的設(shè)計(jì)方式稱為Cs on Gate，即存儲(chǔ)電容設(shè)計(jì)在掃描線上。

陣列基板與彩膜基板(或蓋板)對(duì)合形成大尺寸的液晶面板母板，對(duì)液晶面板母板進(jìn)行切割工藝以形成應(yīng)用顯示產(chǎn)品中的單個(gè)面板(Single Panel)后，需要對(duì)單個(gè)面板進(jìn)行檢測(cè)工序(Cell Test)，以對(duì)面板質(zhì)量進(jìn)行判定，并對(duì)面板中的信號(hào)線的斷線類不良進(jìn)行收集并予以修復(fù)以提高面板良率。

針對(duì)存儲(chǔ)電容的設(shè)計(jì)方式為Cs on Gate的陣列基板，由于像素電極的同側(cè)沒(méi)有無(wú)公共電極線，當(dāng)對(duì)單個(gè)面積進(jìn)行成盒厚的點(diǎn)燈檢測(cè)發(fā)現(xiàn)面板存在數(shù)據(jù)線斷線時(shí)，只能采用設(shè)置在有效顯示區(qū)域之外的外圍修復(fù)線(Repair Line)對(duì)發(fā)生斷線的數(shù)據(jù)線進(jìn)行修復(fù)。

這種修復(fù)方法主要存在以下問(wèn)題：

其一、修復(fù)數(shù)量有限：由于陣列基板中位于有效顯示區(qū)域之外的空間面積有限，因此所能設(shè)計(jì)的修復(fù)線數(shù)量是有限的，一般僅有2根左右，導(dǎo)致能夠修復(fù)的發(fā)生斷線的數(shù)據(jù)線也有限，使數(shù)據(jù)線的修復(fù)受修復(fù)線數(shù)量的限制；

其二，可修復(fù)斷線的種類單一：受限于目前外圍修復(fù)線的設(shè)計(jì)方式，只能修復(fù)數(shù)據(jù)線斷線，對(duì)掃描線斷線則無(wú)法進(jìn)行修復(fù)；

其三，存在信號(hào)延遲現(xiàn)象：采用外圍修復(fù)線修復(fù)時(shí)電信號(hào)傳輸路徑過(guò)長(zhǎng)，導(dǎo)致斷線兩端的信號(hào)不一致。

因此針對(duì)上述存儲(chǔ)電容為Cs on Gate設(shè)計(jì)方式，有必要設(shè)計(jì)一種可修復(fù)數(shù)據(jù)線及掃描線斷線的陣列基板。

發(fā)明內(nèi)容

鑒于此，為解決現(xiàn)有技術(shù)的問(wèn)題，本發(fā)明的實(shí)施例提供一種陣列基板及其斷線修復(fù)方法、顯示裝置，可對(duì)陣列基板中數(shù)據(jù)線和/或掃描線的斷線進(jìn)行修復(fù)，且對(duì)陣列基板中像素單元的正常發(fā)光影響很小，顯著提高了面板的生產(chǎn)良率。

為達(dá)到上述目的，本發(fā)明的實(shí)施例采用如下技術(shù)方案：

一方面、本發(fā)明實(shí)施例提供了一種陣列基板，包括：襯底基板；位于所述襯底基板上的多條掃描線與多條數(shù)據(jù)線；所述掃描線與所述數(shù)據(jù)線交叉限定出陣列排布的多個(gè)像素單元；位于每個(gè)像素單元中的薄膜晶體管和像素電極；所述薄膜晶體管的源極與所述數(shù)據(jù)線相連，所述薄膜晶體管的漏極與所述像素電極電性連接；每行所述像素單元位于相鄰兩條所述掃描線之間；所述陣列基板還包括：與除最后一條所述掃描線之外的每條所述掃描線相連的多個(gè)延伸部；其中，每行所述像素單元中的所述像素電極與靠近的上一條所述掃描線上連接的所述延伸部一一對(duì)應(yīng)，且所述延伸部在垂直于所述襯底基板的板面的方向上與靠近的所述像素電極有重疊區(qū)域；每行所述像素單元中的所述薄膜晶體管的柵極與靠近的下一條所述掃描線相連；在連接有所述延伸部的所述掃描線中，所述柵極與所述延伸部分別位于所述掃描線長(zhǎng)度方向上的兩側(cè)。

可選的，所述掃描線在與所述數(shù)據(jù)線的交叉區(qū)域上具有鏤空區(qū)域；其中，所述鏤空區(qū)域與所述掃描線沿長(zhǎng)度方向上的兩側(cè)均有間距。

可選的，相對(duì)于所述襯底基板，所述掃描線位于所述數(shù)據(jù)線下方。