[發明專利]一種陣列基板及其斷線修復方法、顯示裝置在審
| 申請號: | 201710861463.0 | 申請日: | 2017-09-21 |
| 公開(公告)號: | CN107479290A | 公開(公告)日: | 2017-12-15 |
| 發明(設計)人: | 韓磊 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司;合肥鑫晟光電科技有限公司 |
| 主分類號: | G02F1/1362 | 分類號: | G02F1/1362;G02F1/1368;G02F1/13;H01L27/12 |
| 代理公司: | 北京中博世達專利商標代理有限公司11274 | 代理人: | 申健 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 陣列 及其 斷線 修復 方法 顯示裝置 | ||
1.一種陣列基板,包括:襯底基板;位于所述襯底基板上的多條掃描線與多條數據線;所述掃描線與所述數據線交叉限定出陣列排布的多個像素單元;位于每個像素單元中的薄膜晶體管和像素電極;所述薄膜晶體管的源極與所述數據線相連,所述薄膜晶體管的漏極與所述像素電極電性連接;其特征在于,每行所述像素單元位于相鄰兩條所述掃描線之間;所述陣列基板還包括:與除最后一條所述掃描線之外的每條所述掃描線相連的多個延伸部;
其中,每行所述像素單元中的所述像素電極與靠近的上一條所述掃描線上連接的所述延伸部一一對應,且所述延伸部在垂直于所述襯底基板的板面的方向上與靠近的所述像素電極有重疊區域;
每行所述像素單元中的所述薄膜晶體管的柵極與靠近的下一條所述掃描線相連;
在連接有所述延伸部的所述掃描線中,所述柵極與所述延伸部分別位于所述掃描線長度方向上的兩側。
2.根據權利要求1所述的陣列基板,其特征在于,所述掃描線在與所述數據線的交叉區域上具有鏤空區域;其中,所述鏤空區域與所述掃描線沿長度方向上的兩側均有間距。
3.根據權利要求1所述的陣列基板,其特征在于,相對于所述襯底基板,所述掃描線位于所述數據線下方。
4.一種如權利要求1至3任一項所述的陣列基板的斷線修復方法,其特征在于,所述斷線修復方法包括:
當所述陣列基板中的數據線和/或掃描線發生斷線時,確定斷線位置;
當所述數據線發生斷線時,根據所述斷線位置確定未能接收到所述數據線信號的第一個像素單元;
通過第一修復掃描線,以及所述第一個像素單元中的薄膜晶體管、所述像素電極將所述斷線位置沿所述數據線長度方向上的兩端進行電性連接,切割所述第一個像素電極中的所述薄膜晶體管的柵極與對應掃描線的連接區域,并對所述第一修復掃描線靠近于所述第一個像素單元的區域進行部分切割,以使所述第一修復掃描線能傳輸信號;其中,所述第一修復掃描線為與所述第一個像素單元中的所述像素電極對應的延伸部相連的一條掃描線;
當所述掃描線發生斷線時,根據所述斷線位置確定能接收到所述掃描線信號的最后一個像素單元、與所述最后一個像素單元相鄰且在所述掃描線長度方向上的相鄰像素單元;
通過第二修復掃描線、所述第二修復掃描線上相連的延伸部,以及所述最后一個像素單元中的薄膜晶體管、像素電極,以及所述相鄰像素單元中的薄膜晶體管、像素電極將所述斷線位置沿所述掃描線長度方向上的兩端進行電性連接,分別切割所述最后一個像素單元和所述相鄰像素單元中的所述薄膜晶體管的源極與對應數據線的連接區域,并對所述第二修復掃描線在靠近于所述最后一個像素單元中的所述像素電極和所述相鄰像素單元中的所述像素電極的區域進行部分切割,以使所述第二修復掃描線能傳輸信號;其中,所述第二修復掃描線為發生斷線的所述掃描線在靠近于所述最后一個像素單元一側的前一條未發生斷線的掃描線。
5.根據權利要求4所述的斷線修復方法,其特征在于,所述通過第一修復掃描線,以及所述第一個像素單元中的薄膜晶體管、所述像素電極將所述斷線位置沿所述數據線長度方向上的兩端進行電性連接,切割所述第一個像素電極中的所述薄膜晶體管的柵極與對應掃描線的連接區域,并對所述第一修復掃描線靠近于所述第一個像素單元的區域進行部分切割,以使所述第一修復掃描線能傳輸信號;其中,所述第一修復掃描線為與所述第一個像素單元中的所述像素電極對應的延伸部相連的一條掃描線的步驟包括:
確定與所述第一個像素單元中的所述像素電極對應的延伸部相連的一條掃描線為第一修復掃描線;
將所述第一修復掃描線分別沿所述掃描線長度方向和沿垂直于所述掃描線長度方向進行切割,形成第一修復掃描線第一部分和第一修復掃描線第二部分;其中,所述第一修復掃描線第一部分為所述第一修復掃描線上與所述第一個像素單元中的所述像素電極對應的延伸部相連的部分;所述第一修復掃描線第二部分用于傳輸所述第一修復掃描線上的信號;
熔接所述第一個像素單元中的所述像素電極與對應的所述延伸部在垂直于襯底基板的板面的方向上的重疊區域,以及所述第一修復掃描線第一部分上與所述數據線交叉的區域;
分別熔接所述第一個像素單元中的所述薄膜晶體管的源極、漏極與對應的柵極;
切割所述第一個像素單元中的所述薄膜晶體管的所述柵極與對應掃描線的連接區域。
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