[發(fā)明專利]一種低溫制備Ag電極測試BZT陶瓷的方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710859975.3 | 申請日： | 2017-09-21 |
| 公開（公告）號： | CN107817283A | 公開（公告）日： | 2018-03-20 |
| 發(fā)明（設計）人： | 李玲霞;鄭浩然;于仕輝;陳思亮;孫正 | 申請（專利權）人： | 天津大學 |
| 主分類號： | G01N27/30 | 分類號： | G01N27/30;C23C14/35;C23C14/18 |
| 代理公司： | 天津市北洋有限責任專利代理事務所12201 | 代理人： | 張宏祥 |
| 地址： | 300072*** | 國省代碼： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 低溫 制備 ag 電極 測試 bzt 陶瓷 方法 | ||
1.一種低溫制備Ag電極測試BZT陶瓷的方法，具體步驟如下：
(1)采用固相燒結法制備BZT陶瓷
按BaZr0.2Ti0.8O3的化學計量比，稱取原料BaCO3、ZrO2和TiO2，充分混合后壓制成型為坯體，坯體置于電爐中于1350℃燒制成BZT陶瓷；
(2)將BZT陶瓷制品放入磁控濺射制品臺上，裝上金屬銀靶材；
(3)將磁控濺射系統(tǒng)的本底真空度抽至P＜1.0×10-3Pa；
(4)在步驟(3)系統(tǒng)中，使用Ar作為濺射氣體，直流濺射電流為100～400mA，沉積時間為1500～7200s，在BZT陶瓷制品表面沉積得到厚度為1～4μm的Ag電極；
(5)取出樣品；
(6)利用砂紙打磨BZT陶瓷制品側面Ag包覆層，打磨后即制得用于測試BZT陶瓷的Ag電極。
2.根據(jù)權利要求1所述的一種低溫制備Ag電極測試BZT陶瓷的方法，其特征在于，所述步驟(1)的原料純度在99％以上。
3.根據(jù)權利要求1所述的一種低溫制備Ag電極測試BZT陶瓷的方法，其特征在于，所述步驟(2)的金屬銀靶材純度為99.99％。
4.根據(jù)權利要求1所述的一種低溫制備Ag電極測試BZT陶瓷的方法，其特征在于，所述步驟(4)的濺射氣體Ar的純度在99.99％以上。
5.根據(jù)權利要求1所述的一種低溫制備Ag電極測試BZT陶瓷的方法，其特征在于，所述步驟(4)通過調(diào)節(jié)直流濺射電流或者沉積時間控制Ag電極的厚度。
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