[發明專利]封裝方法有效
| 申請號: | 201710858693.1 | 申請日: | 2017-09-21 |
| 公開(公告)號: | CN107706119B | 公開(公告)日: | 2019-10-22 |
| 發明(設計)人: | 周曉鋒;陳升東;張雪峰;柯賢軍;蘇君海;李建華 | 申請(專利權)人: | 信利(惠州)智能顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/56 | 分類號: | H01L21/56 |
| 代理公司: | 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224 | 代理人: | 葉劍 |
| 地址: | 516029 廣東*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 封裝 方法 | ||
1.一種封裝方法,其特征在于,包括如下步驟:
在基板上涂覆聚酰亞胺層,其中,所述基板上具有鉆孔區以及圍繞所述鉆孔區設置的顯示區;
對所述聚酰亞胺層進行曝光顯影操作后,在所述鉆孔區的邊緣形成圈狀圖案層,在所述顯示區上形成點狀圖案層;
在所述基板上蒸鍍有機材料層;
在后蓋板上于所述顯示區的邊緣涂覆外圈封裝材料層,在所述后蓋板上于所述圈狀圖案層的內側涂覆內圈封裝材料層,將后蓋板安裝在所述基板上;
采用激光燒結方式使所述外圈封裝材料層分別與所述基板及所述后蓋板粘接,以及使所述內圈封裝材料層分別與所述基板及所述后蓋板粘接。
2.根據權利要求1所述的封裝方法,其特征在于,在所述鉆孔區的邊緣形成多個圈狀圖案層,各所述圈狀圖案層的內徑由靠近所述鉆孔區向遠離所述鉆孔區的方向逐漸增大。
3.根據權利要求2所述的封裝方法,其特征在于,所述內圈封裝材料層具有圓環狀結構。
4.根據權利要求3所述的封裝方法,其特征在于,所述圈狀圖案層具有圓環狀結構,各所述圈狀圖案層及所述內圈封裝材料層形成同心圓結構。
5.根據權利要求1所述的封裝方法,其特征在于,所述圈狀圖案層具有中空圓柱狀或中空棱柱狀結構。
6.根據權利要求1所述的封裝方法,其特征在于,所述鉆孔區具有圓形、方形或菱形的結構。
7.根據權利要求1所述的封裝方法,其特征在于,所述圈狀圖案層的厚度為1μm~5μm,所述內圈封裝材料層的厚度為5μm~12μm。
8.根據權利要求7所述的封裝方法,其特征在于,所述圈狀圖案層的厚度為1.5μm,所述內圈封裝材料層的厚度為7μm。
9.根據權利要求1所述的封裝方法,其特征在于,各所述點狀圖案層上的點狀圖案間隔分布于所述顯示區上。
10.根據權利要求1所述的封裝方法,其特征在于,采用掩膜板對光刻膠層進行曝光操作,所述掩膜板上設置有點狀遮擋層及環狀遮擋層,所述點狀遮擋層與所述點狀圖案層相對齊,所述環狀遮擋層與所述圈狀圖案層相對齊。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





