[發(fā)明專利]單相橋式整流電路和三相橋式整流電路

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710858430.0
• 申請日: 2017-09-21
• 公開（公告）號: CN107464799A
• 公開（公告）日: 2017-12-12
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 陳文彬;羅小春
• 申請（專利權(quán)）人: 深圳市矽萊克半導(dǎo)體有限公司
• 主分類號: H01L23/495
• 分類號: H01L23/495;H01L25/07
• 代理公司: 廣州華進(jìn)聯(lián)合專利商標(biāo)代理有限公司44224
• 代理人: 吳平

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及交流輸入變?yōu)橹绷鬏敵龅碾娐罚貏e涉及一種單相橋式整流電路，還涉及一種三相橋式整流電路。

背景技術(shù)

橋式整流器(Bridge Rectifiers)，也叫做整流橋堆，是利用二極管的單向?qū)ㄐ赃M(jìn)行整流的最常用的電路，常用來將交流電轉(zhuǎn)變?yōu)橹绷麟姟?/p>

一種傳統(tǒng)的單相橋式整流器是由4只整流二極管作橋式連接，其中單只整流二極管為用絕緣塑料及導(dǎo)體引線封裝一個二極管芯片而成。然而，4只整流二極管封裝在一個裝置個體內(nèi)形成的單相橋式整流器，因為需要在封裝裝置本體內(nèi)形成共陽共陰及串聯(lián)的多層次關(guān)系，結(jié)構(gòu)較為復(fù)雜，因此一般只能采用全絕緣式封裝，導(dǎo)致散熱性差。且因芯片封裝加工需要反轉(zhuǎn)芯片等程序，亦較難使用全自動加工方式，加工過程較為繁瑣，產(chǎn)品一致性及可靠性較差。

發(fā)明內(nèi)容

基于此，有必要提供一種單相橋式整流電路。

一種單相橋式整流電路，包括直插式的元器件，所述元器件包括：引線框架，材質(zhì)為導(dǎo)體，包括第一引腳、第二引腳、第三引腳及用于設(shè)置芯片的芯片島，所述芯片島包括第一島和與第一島隔離的第二島；第一芯片，為二極管芯片，芯片的正面與背面的極性相反，設(shè)于所述第一島上；第二芯片，為二極管芯片，芯片的正面與背面的極性相反，設(shè)于所述第二島上，所述第一芯片和第二芯片通過相同的面與所述芯片島接觸，所述第一引腳電性連接至所述第一島，所述第二引腳電性連接至所述第二島，所述第一芯片背離所述第一島的一面和第二島連接，所述第二芯片背離所述第二島的一面電性連接至所述第三引腳；絕緣保護(hù)外層，覆蓋所述第一芯片和第二芯片，所述引線框架除所述第一、第二、第三引腳外的部分結(jié)構(gòu)不被絕緣保護(hù)外層包覆從而進(jìn)行散熱；所述單相橋式整流電路包括的所述元器件的數(shù)量為兩個，兩個元器件的第一引腳相互電性連接，作為所述單相橋式整流電路的第一直流輸出端；所述兩個元器件的第三引腳相互電性連接，作為所述單相橋式整流電路的第二直流輸出端；所述兩個元器件的第二引腳分別作為所述單相橋式整流電路的交流輸入端。

上述單相橋式整流電路，由兩個直插式的元器件組成，元器件散熱性良好，優(yōu)于傳統(tǒng)的由4只整流二極管封裝在一個芯片內(nèi)形成的單相橋式整流器。第一芯片和第二芯片通過相同的面與芯片島接觸，即都是P型半導(dǎo)體向上或都是N型半導(dǎo)體向上，因此封裝時不需要對芯片進(jìn)行翻轉(zhuǎn)，可以節(jié)省加工程序，節(jié)約成本、提高生產(chǎn)效率。

在其中一個實施例中，所述引線框架包括不被所述絕緣保護(hù)外層覆蓋的外露散熱部。

在其中一個實施例中，所述第一芯片和第二芯片均是通過陰極與所述芯片島接觸，所述第二芯片是陽極通過引線電性連接至所述第三引腳，所述第一芯片是陽極通過引線電性連接至所述第二島。

在其中一個實施例中，所述元器件的第一芯片和第二芯片是取自一塊晶圓上的相鄰兩個芯片。

在其中一個實施例中，所述第一島和第二島的正投影面積接近一致，以使得所述第一島對第一芯片的散熱性能與第二島對第二芯片的散熱性能趨于一致。

還有必要提供一種三相橋式整流電路。

一種三相橋式整流電路，包括直插式的元器件，所述元器件包括：引線框架，材質(zhì)為導(dǎo)體，包括第一引腳、第二引腳、第三引腳及用于設(shè)置芯片的芯片島，所述芯片島包括第一島和與第一島隔離的第二島；第一芯片，為二極管芯片，芯片的正面與背面的極性相反，設(shè)于所述第一島上；第二芯片，為二極管芯片，芯片的正面與背面的極性相反，設(shè)于所述第二島上，所述第一芯片和第二芯片通過相同的面與所述芯片島接觸，所述第一引腳電性連接至所述第一島，所述第二引腳電性連接至所述第二島，所述第一芯片背離所述第一島的一面和第二島連接，所述第二芯片背離所述第二島的一面連接至所述第三引腳；絕緣保護(hù)外層，覆蓋所述第一芯片和第二芯片，所述引線框架除所述第一、第二、第三引腳外的部分結(jié)構(gòu)不被絕緣保護(hù)外層包覆從而進(jìn)行散熱；所述三相橋式整流電路包括的所述元器件的數(shù)量為三個，三個元器件的第一引腳相互電性連接，作為所述三相橋式整流電路的第一直流輸出端；所述三個元器件的第三引腳相互電性連接，作為所述三相橋式整流電路的第二直流輸出端；所述三個元器件的第二引腳分別作為所述三相橋式整流電路的交流輸入端。

上述三相橋式整流電路，由三個直插式的元器件組成，元器件散熱性良好，優(yōu)于傳統(tǒng)的由6只整流二極管封裝在一個芯片內(nèi)形成的三相橋式整流器。第一芯片和第二芯片通過相同的面與芯片島接觸，即都是P型半導(dǎo)體向上或都是N型半導(dǎo)體向上，因此封裝時不需要對芯片進(jìn)行翻轉(zhuǎn)，可以節(jié)省加工程序，節(jié)約成本、提高生產(chǎn)效率。