[發(fā)明專(zhuān)利]單相橋式整流電路和三相橋式整流電路在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201710858430.0 | 申請(qǐng)日： | 2017-09-21 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN107464799A | 公開(kāi)（公告）日： | 2017-12-12 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 陳文彬;羅小春 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人： | 深圳市矽萊克半導(dǎo)體有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào)： | H01L23/495 | 分類(lèi)號(hào)： | H01L23/495;H01L25/07 |
| 代理公司： | 廣州華進(jìn)聯(lián)合專(zhuān)利商標(biāo)代理有限公司44224 | 代理人： | 吳平 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 單相 整流 電路 三相 | ||
1.一種單相橋式整流電路，其特征在于，包括直插式的元器件，所述元器件包括：
引線框架，材質(zhì)為導(dǎo)體，包括第一引腳、第二引腳、第三引腳及用于設(shè)置芯片的芯片島，所述芯片島包括第一島和與第一島隔離的第二島；
第一芯片，為二極管芯片，芯片的正面與背面的極性相反，設(shè)于所述第一島上；
第二芯片，為二極管芯片，芯片的正面與背面的極性相反，設(shè)于所述第二島上，所述第一芯片和第二芯片通過(guò)相同的面與所述芯片島接觸，所述第一引腳電性連接至所述第一島，所述第二引腳電性連接至所述第二島，所述第一芯片背離所述第一島的一面和第二島連接，所述第二芯片背離所述第二島的一面電性連接至所述第三引腳；
絕緣保護(hù)外層，覆蓋所述第一芯片和第二芯片，所述引線框架除所述第一、第二、第三引腳外的部分結(jié)構(gòu)不被絕緣保護(hù)外層包覆從而進(jìn)行散熱；
所述單相橋式整流電路包括的所述元器件的數(shù)量為兩個(gè)，兩個(gè)元器件的第一引腳相互電性連接，作為所述單相橋式整流電路的第一直流輸出端；所述兩個(gè)元器件的第三引腳相互電性連接，作為所述單相橋式整流電路的第二直流輸出端；所述兩個(gè)元器件的第二引腳分別作為所述單相橋式整流電路的交流輸入端。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的單相橋式整流電路，其特征在于，所述引線框架包括不被所述絕緣保護(hù)外層覆蓋的外露散熱部。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的單相橋式整流電路，其特征在于，所述第一芯片和第二芯片均是通過(guò)陰極與所述芯片島接觸，所述第二芯片是陽(yáng)極通過(guò)引線電性連接至所述第三引腳，所述第一芯片是陽(yáng)極通過(guò)引線電性連接至所述第二島。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的單相橋式整流電路，其特征在于，所述元器件的第一芯片和第二芯片是取自一塊晶圓上的相鄰兩個(gè)芯片。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的單相橋式整流電路，其特征在于，所述第一島和第二島的正投影面積接近一致，以使得所述第一島對(duì)第一芯片的散熱性能與第二島對(duì)第二芯片的散熱性能趨于一致。
6.一種三相橋式整流電路，其特征在于，包括直插式的元器件，所述元器件包括：
引線框架，材質(zhì)為導(dǎo)體，包括第一引腳、第二引腳、第三引腳及用于設(shè)置芯片的芯片島，所述芯片島包括第一島和與第一島隔離的第二島；
第一芯片，為二極管芯片，芯片的正面與背面的極性相反，設(shè)于所述第一島上；
第二芯片，為二極管芯片，芯片的正面與背面的極性相反，設(shè)于所述第二島上，所述第一芯片和第二芯片通過(guò)相同的面與所述芯片島接觸，所述第一引腳電性連接至所述第一島，所述第二引腳電性連接至所述第二島，所述第一芯片背離所述第一島的一面和第二島連接，所述第二芯片背離所述第二島的一面連接至所述第三引腳；
絕緣保護(hù)外層，覆蓋所述第一芯片和第二芯片，所述引線框架除所述第一、第二、第三引腳外的部分結(jié)構(gòu)不被絕緣保護(hù)外層包覆從而進(jìn)行散熱；
所述三相橋式整流電路包括的所述元器件的數(shù)量為三個(gè)，三個(gè)元器件的第一引腳相互電性連接，作為所述三相橋式整流電路的第一直流輸出端；所述三個(gè)元器件的第三引腳相互電性連接，作為所述三相橋式整流電路的第二直流輸出端；所述三個(gè)元器件的第二引腳分別作為所述三相橋式整流電路的交流輸入端。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的單相橋式整流電路，其特征在于，所述引線框架包括不被所述絕緣保護(hù)外層覆蓋的外露散熱部。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的單相橋式整流電路，其特征在于，所述第一芯片和第二芯片均是通過(guò)陰極與所述芯片島接觸，所述第二芯片是陽(yáng)極通過(guò)引線電性連接至所述第三引腳，所述第一芯片是陽(yáng)極通過(guò)引線電性連接至所述第二島。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的單相橋式整流電路，其特征在于，所述元器件的第一芯片和第二芯片是取自一塊晶圓上的相鄰兩個(gè)芯片。
10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的單相橋式整流電路，其特征在于，所述第一島和第二島的正投影面積接近一致，以使得所述第一島對(duì)第一芯片的散熱性能與第二島對(duì)第二芯片的散熱性能趨于一致。
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