[發明專利]單相橋式整流電路和三相橋式整流電路

在審

• 申請號: 201710858430.0
• 申請日: 2017-09-21
• 公開（公告）號: CN107464799A
• 公開（公告）日: 2017-12-12
• 發明（設計）人: 陳文彬;羅小春
• 申請（專利權）人: 深圳市矽萊克半導體有限公司
• 主分類號: H01L23/495
• 分類號: H01L23/495;H01L25/07
• 代理公司: 廣州華進聯合專利商標代理有限公司44224
• 代理人: 吳平

1.一種單相橋式整流電路，其特征在于，包括直插式的元器件，所述元器件包括：

引線框架，材質為導體，包括第一引腳、第二引腳、第三引腳及用于設置芯片的芯片島，所述芯片島包括第一島和與第一島隔離的第二島；

第一芯片，為二極管芯片，芯片的正面與背面的極性相反，設于所述第一島上；

第二芯片，為二極管芯片，芯片的正面與背面的極性相反，設于所述第二島上，所述第一芯片和第二芯片通過相同的面與所述芯片島接觸，所述第一引腳電性連接至所述第一島，所述第二引腳電性連接至所述第二島，所述第一芯片背離所述第一島的一面和第二島連接，所述第二芯片背離所述第二島的一面電性連接至所述第三引腳；

絕緣保護外層，覆蓋所述第一芯片和第二芯片，所述引線框架除所述第一、第二、第三引腳外的部分結構不被絕緣保護外層包覆從而進行散熱；

所述單相橋式整流電路包括的所述元器件的數量為兩個，兩個元器件的第一引腳相互電性連接，作為所述單相橋式整流電路的第一直流輸出端；所述兩個元器件的第三引腳相互電性連接，作為所述單相橋式整流電路的第二直流輸出端；所述兩個元器件的第二引腳分別作為所述單相橋式整流電路的交流輸入端。

2.根據權利要求1所述的單相橋式整流電路，其特征在于，所述引線框架包括不被所述絕緣保護外層覆蓋的外露散熱部。

3.根據權利要求1所述的單相橋式整流電路，其特征在于，所述第一芯片和第二芯片均是通過陰極與所述芯片島接觸，所述第二芯片是陽極通過引線電性連接至所述第三引腳，所述第一芯片是陽極通過引線電性連接至所述第二島。

4.根據權利要求1所述的單相橋式整流電路，其特征在于，所述元器件的第一芯片和第二芯片是取自一塊晶圓上的相鄰兩個芯片。

5.根據權利要求1所述的單相橋式整流電路，其特征在于，所述第一島和第二島的正投影面積接近一致，以使得所述第一島對第一芯片的散熱性能與第二島對第二芯片的散熱性能趨于一致。

6.一種三相橋式整流電路，其特征在于，包括直插式的元器件，所述元器件包括：

引線框架，材質為導體，包括第一引腳、第二引腳、第三引腳及用于設置芯片的芯片島，所述芯片島包括第一島和與第一島隔離的第二島；

第一芯片，為二極管芯片，芯片的正面與背面的極性相反，設于所述第一島上；

第二芯片，為二極管芯片，芯片的正面與背面的極性相反，設于所述第二島上，所述第一芯片和第二芯片通過相同的面與所述芯片島接觸，所述第一引腳電性連接至所述第一島，所述第二引腳電性連接至所述第二島，所述第一芯片背離所述第一島的一面和第二島連接，所述第二芯片背離所述第二島的一面連接至所述第三引腳；

絕緣保護外層，覆蓋所述第一芯片和第二芯片，所述引線框架除所述第一、第二、第三引腳外的部分結構不被絕緣保護外層包覆從而進行散熱；

所述三相橋式整流電路包括的所述元器件的數量為三個，三個元器件的第一引腳相互電性連接，作為所述三相橋式整流電路的第一直流輸出端；所述三個元器件的第三引腳相互電性連接，作為所述三相橋式整流電路的第二直流輸出端；所述三個元器件的第二引腳分別作為所述三相橋式整流電路的交流輸入端。

7.根據權利要求6所述的單相橋式整流電路，其特征在于，所述引線框架包括不被所述絕緣保護外層覆蓋的外露散熱部。

8.根據權利要求6所述的單相橋式整流電路，其特征在于，所述第一芯片和第二芯片均是通過陰極與所述芯片島接觸，所述第二芯片是陽極通過引線電性連接至所述第三引腳，所述第一芯片是陽極通過引線電性連接至所述第二島。

9.根據權利要求6所述的單相橋式整流電路，其特征在于，所述元器件的第一芯片和第二芯片是取自一塊晶圓上的相鄰兩個芯片。

10.根據權利要求6所述的單相橋式整流電路，其特征在于，所述第一島和第二島的正投影面積接近一致，以使得所述第一島對第一芯片的散熱性能與第二島對第二芯片的散熱性能趨于一致。