[發明專利]基板處理方法以及基板處理裝置

有效

• 申請號: 201710854370.5
• 申請日: 2017-09-20
• 公開（公告）號: CN107871656B
• 公開（公告）日: 2021-09-14
• 發明（設計）人: 山口侑二;基村雅洋
• 申請（專利權）人: 株式會社斯庫林集團
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L21/67
• 代理公司: 隆天知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 向勇;崔炳哲

本發明提供基板處理方法及基板處理裝置。降低干燥處理中進行疏水化處理時疏水劑的使用量。本發明的基板處理方法用于干燥表面形成有規定圖案的基板。此外，本發明的基板處理方法包括：清洗工序，將清洗液存儲在密閉的腔室內的處理槽并將所述基板浸漬于所述清洗液中清洗；減壓工序，對所述腔室內進行減壓；提升工序，將所述基板從所述處理槽的所述清洗液中提升出來；排液工序，從處理槽中排出清洗液；疏水化工序，將腔室內的氣氛置換為疏水劑并對所述基板的表面進行疏水化處理。

技術領域

本發明涉及一種對半導體晶片等基板實施規定處理的基板處理方法以及基板處理裝置。

背景技術

半導體裝置的制造工序，包括：通過將半導體晶片等基板浸漬于處理槽，對該基板實施蝕刻處理、清洗處理的工序，以及實施從基板表面去除處理液的干燥處理的工序。這種工序通過具有多個處理槽的基板處理裝置來執行。

在干燥處理中，形成于基板表面的圖案有時會發生塌陷。圖案塌陷的原因，推測為：由于基板上形成的圖案中不均勻地殘留有清洗液，導致表面張力的不均衡，發生圖案的塌陷。

現有技術中，已經提出了通過氮氣供給來置換腔室內氣體的同時，用排氣泵進行氣體的排出，從而縮短置換氣體所需時間的技術(例如，專利文獻1)。此外，提出了通過降低純水的表面張力，防止細微圖案塌陷的基板處理裝置以及基板處理方法(例如，專利文獻2)。此外，還提出了：為了縮短干燥時間，進行疏水化工序之后蒸發附著在基板的疏水劑，從而使基板干燥的技術(例如，專利文獻3)。此外，還提出了：將由有機溶劑置換了表面的基板浸漬于存儲在處理槽的防水劑中，進行防水處理的技術(例如，專利文獻4)。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開2009-21420號公報

專利文獻2：日本特開2011-71172號公報

專利文獻3：日本特開2013-157625號公報

專利文獻4：日本特開2016-72446號公報

發明內容

現有技術中，已經提出了通過在基板表面實施疏水化處理，降低干燥基板表面的過程中產生的表面張力，抑制圖案的塌陷的技術。然而，在處理多個基板的批量處理中，當通過在疏水劑中浸漬而實施疏水化處理時，存在著疏水劑的消耗量大的問題。

在此，本發明的目的在于，降低基板的干燥處理中進行疏水化處理時的疏水劑使用量。

為了解決上述課題，本發明具有以下構成。

一種基板處理方法，用于干燥表面形成有規定圖案的基板，包括：清洗工序，將清洗液存儲在密閉腔室內的處理槽，將所述基板浸漬于所述清洗液而進行清洗；減壓工序，對所述腔室內進行減壓；提升工序，將所述基板從所述處理槽的所述清洗液提升；排液工序，從處理槽排出清洗液；以及疏水化工序，將腔室內的氣氛置換為疏水劑，對所述基板的表面進行疏水化處理。

通過對腔室內進行減壓，使得疏水劑的氣化變得容易。并且，通過在疏水化工序中使基板暴露于疏水劑氣氛中，可以在基板表面實施疏水化處理。通過采用疏水劑氣氛實施疏水化處理，例如，與將基板浸漬于疏水劑液體中的情況相比，能夠大幅度降低疏水劑的使用量。即，能夠減少基板的干燥處理中進行疏水化處理時的疏水劑使用量。

此外，還可以包括第一有機溶劑氣氛形成工序，在清洗工序之后，且在減壓工序之前，將腔室內的氣氛置換為有機溶劑。如果將基板表面的水分直接置換為疏水劑，則疏水劑可能會失活或可能產生雜質。通過將基板表面的水分先置換為有機溶劑，然后再置換為疏水劑，能夠解決這些問題。