[發明專利]基板處理方法以及基板處理裝置

有效

• 申請號: 201710854370.5
• 申請日: 2017-09-20
• 公開（公告）號: CN107871656B
• 公開（公告）日: 2021-09-14
• 發明（設計）人: 山口侑二;基村雅洋
• 申請（專利權）人: 株式會社斯庫林集團
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L21/67
• 代理公司: 隆天知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 向勇;崔炳哲

1.一種基板處理方法，用于干燥在表面形成有規定圖案的基板，其中，包括：

清洗工序，將清洗液存儲在密閉的腔室內的處理槽，將所述基板浸漬于所述清洗液中清洗；

減壓工序，在所述清洗工序之后，對所述腔室內進行減壓；

提升工序，在所述減壓工序中，將所述基板從所述處理槽的所述清洗液提升出來；

排液工序，在所述減壓工序中且所述提升工序之后，從所述處理槽排出所述清洗液；以及

疏水化工序，在所述減壓工序中且所述排液工序之后，將腔室內的氣氛置換為疏水劑，對所述基板的表面進行疏水化處理。

2.根據權利要求1所述的基板處理方法，其中，

還包括第一有機溶劑氣氛形成工序，在所述清洗工序之后，且在所述減壓工序之前，將所述腔室內的氣氛置換為有機溶劑。

3.根據權利要求1所述的基板處理方法，其中，

還包括第二有機溶劑氣氛形成工序，在所述疏水化工序之后，將所述腔室內的氣氛置換為有機溶劑。

4.根據權利要求3所述的基板處理方法，其中，

在持續進行在所述減壓工序中已開始的對所述腔室內進行減壓的處理的狀態下，進行所述第二有機溶劑氣氛形成工序。

5.根據權利要求3所述的基板處理方法，其中，

停止在所述減壓工序中已開始的對所述腔室內的減壓，來進行所述第二有機溶劑氣氛形成工序。

6.根據權利要求1所述的基板處理方法，其中，

在所述疏水化工序中，所述疏水劑的至少一部分以液體形式供給至所述處理槽。

7.根據權利要求1所述的基板處理方法，其中，

還具有貯液部，能夠在所述腔室內存儲液體，

在所述疏水化工序中，所述疏水劑的至少一部分以液體形式供給至所述貯液部。

8.根據權利要求7所述的基板處理方法，其中，

將第一藥劑和第二藥劑混合而發揮所述疏水劑的作用，

在所述疏水化工序中，將所述第一藥劑供給至所述處理槽，將所述第二藥劑供給至所述貯液部。

9.根據權利要求7所述的基板處理方法，其中，

具有遮蔽部件，用于分隔所述腔室的內部空間，

相對于所述遮蔽部件，所述貯液部設置于與在提升工序中將所述基板提升出來之后的基板相同的一側。

10.一種基板處理裝置，用于干燥表面形成有規定圖案的基板，其中，具備：

密閉的腔室；

處理槽，設置于所述腔室內，存儲清洗液來對所述基板進行清洗；

減壓裝置，在所述處理槽對所述基板進行清洗之后，對所述腔室內進行減壓；

升降裝置，在利用所述減壓裝置對所述腔室內進行減壓的減壓工序中，從所述處理槽的所述清洗液提升出所述基板；

排液裝置，在所述減壓工序中且在所述升降裝置從所述處理槽的所述清洗液提升出所述基板之后，從所述處理槽排出清洗液；以及

疏水裝置，在所述減壓工序中且在所述排液裝置排液之后，將腔室內的氣氛置換為疏水劑。