[發(fā)明專利]薄膜晶體管及其制作方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710852897.4
• 申請日: 2017-09-20
• 公開（公告）號: CN107644916B
• 公開（公告）日: 2020-05-08
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張建業(yè);李偉;顧鵬飛;李偉;張星;孫宏達(dá)
• 申請（專利權(quán)）人: 京東方科技集團(tuán)股份有限公司
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;H01L21/34
• 代理公司: 北京天昊聯(lián)合知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11112
• 代理人: 彭瑞欣;張?zhí)焓?/td>

本發(fā)明提供一種薄膜晶體管及其制作方法，該薄膜晶體管包括基板和設(shè)置在基板的第一面上的緩沖層，還包括抗紫外層，該抗紫外層設(shè)置在基板與緩沖層之間，和/或設(shè)置在緩沖層之上，和/或在所述基板的第二面之上。本發(fā)明提供的薄膜晶體管及其制作方法的技術(shù)方案中，可以避免因受到紫外光的影響而出現(xiàn)閾值電壓負(fù)向移動和關(guān)態(tài)電流升高的問題，從而可以改善薄膜晶體管的性能。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，具體地，涉及一種薄膜晶體管及其制作方法。

背景技術(shù)

薄膜晶體管(TFT)是有源矩陣液晶顯示屏(AMLCD)和有源矩陣有機(jī)發(fā)光二極管(AMOLED)顯示屏的像素驅(qū)動部件，在實(shí)現(xiàn)大尺寸、高清晰度、高幀頻率的顯示中起著重要作用。目前TFT的有源層材料主要有氫化非晶硅、低溫多晶硅、有機(jī)半導(dǎo)體和氧化物半導(dǎo)體，其中，氧化物半導(dǎo)體具有較高的電子遷移率和好的均勻性，適用于驅(qū)動AMLCD和AMOLED。

有機(jī)電致發(fā)光器件根據(jù)光出射方向的不同，可以分為兩種不同的類型，分別為底發(fā)射型器件(BEOLED)和頂發(fā)射型器件(OLED)。其中，頂發(fā)射型器件能夠有效提高開口率，從而有利于獲得顯示亮度高、高分辨率的有機(jī)電致發(fā)光器件，同時(shí)也有利于器件與底部驅(qū)動電路的集成。

但是，在上述頂發(fā)射型器件的制作工藝中，薄膜晶體管(有源層的溝道處)會受到外界光的影響而產(chǎn)生不同程度的損傷，從而會出現(xiàn)閾值電壓負(fù)向移動和關(guān)態(tài)電流升高的問題。并且，光的波長越小，影響越嚴(yán)重，尤其是460nm以下的紫外光波段對薄膜晶體管的影響最為嚴(yán)重。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明旨在至少解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的技術(shù)問題之一，提出了一種薄膜晶體管及其制作方法，其可以避免因受到紫外光的影響而出現(xiàn)閾值電壓負(fù)向移動和關(guān)態(tài)電流升高的問題，從而可以改善薄膜晶體管的性能。

為實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的目的而提供一種薄膜晶體管，包括基板和設(shè)置在所述基板的第一面上的緩沖層，還包括抗紫外層，所述抗紫外層設(shè)置在所述基板與所述緩沖層之間，和/或設(shè)置在所述緩沖層之上，和/或在所述基板的第二面之上。

優(yōu)選的，所述抗紫外層為二氧化鈦薄膜。

優(yōu)選的，所述抗紫外層為單層，所述抗紫外層設(shè)置在所述基板與所述緩沖層之間，或者設(shè)置在所述緩沖層之上；或者，

所述抗紫外層為兩層，且均設(shè)置在所述基板與所述緩沖層之間，或者均設(shè)置在所述緩沖層之上；兩層所述抗紫外層分別為第一抗紫外層和設(shè)置在所述第一抗紫外層上的第二抗紫外層，并且所述第二抗紫外層的粒徑小于所述第一抗紫外層的粒徑。

優(yōu)選的，所述抗紫外層為兩層，分別為第一抗紫外層和第二抗紫外層，二者分別設(shè)置在所述基板與所述緩沖層之間，和所述緩沖層之上；

所述第二抗紫外層的粒徑小于所述第一抗紫外層的粒徑。

優(yōu)選的，所述抗紫外層為單層，所述抗紫外層設(shè)置在所述基板的第二面之上；或者，

所述抗紫外層為兩層，且均設(shè)置在所述基板的第二面之上；兩層所述抗紫外層分別為設(shè)置在所述基板的第二面上的第二抗紫外層和設(shè)置在所述第二抗紫外層上的第一抗紫外層，并且所述第二抗紫外層的粒徑小于所述第一抗紫外層的粒徑；或者，所述抗紫外層為兩層，分別為第一抗紫外層和第二抗紫外層，其中，所述第一抗紫外層設(shè)置在所述基板的第二面之上；所述第二抗紫外層設(shè)置在所述基板與所述緩沖層之間；并且所述第二抗紫外層的粒徑小于所述第一抗紫外層的粒徑。

優(yōu)選的，所述第二抗紫外層的粒徑的取值范圍在10nm～50nm；所述第一抗紫外層的粒徑的取值范圍在50nm～100nm。

作為另一個(gè)技術(shù)方案，本發(fā)明還提供一種薄膜晶體管的制作方法，包括：

在基板上形成緩沖層和抗紫外層；