[發(fā)明專利]薄膜晶體管及其制作方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710852897.4 | 申請日： | 2017-09-20 |
| 公開（公告）號： | CN107644916B | 公開（公告）日： | 2020-05-08 |
| 發(fā)明（設計）人： | 張建業(yè);李偉;顧鵬飛;李偉;張星;孫宏達 | 申請（專利權）人： | 京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/786 | 分類號： | H01L29/786;H01L21/34 |
| 代理公司： | 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112 | 代理人： | 彭瑞欣;張?zhí)焓?/td> |
| 地址： | 100015 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 薄膜晶體管 及其 制作方法 | ||
1.一種薄膜晶體管，包括基板和設置在所述基板的第一面上的緩沖層，其特征在于，還包括抗紫外層，所述抗紫外層設置在所述基板與所述緩沖層之間，和/或設置在所述緩沖層之上，和/或在所述基板的第二面之上；
所述抗紫外層為兩層，且均為二氧化鈦薄膜，并且兩層所述抗紫外層分別為第一抗紫外層和第二抗紫外層，且所述第二抗紫外層的粒徑小于所述第一抗紫外層的粒徑。
2.根據權利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，
兩層所述抗紫外層均設置在所述基板與所述緩沖層之間，或者均設置在所述緩沖層之上；所述第二抗紫外層設置在所述第一抗紫外層上。
3.根據權利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述第一抗紫外層和第二抗紫外層分別設置在所述基板與所述緩沖層之間，和所述緩沖層之上。
4.根據權利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，
兩層所述抗紫外層均設置在所述基板的第二面之上；所述第二抗紫外層設置在所述基板的第二面上，所述第一抗紫外層設置在所述第二抗紫外層上；或者，所述第一抗紫外層設置在所述基板的第二面之上；所述第二抗紫外層設置在所述基板與所述緩沖層之間。
5.根據權利要求1-4任意一項所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述第二抗紫外層的粒徑的取值范圍在10nm～50nm；所述第一抗紫外層的粒徑的取值范圍在50nm～100nm。
6.一種薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，包括：
在基板上形成緩沖層和抗紫外層；
其中，所述緩沖層設置在所述基板上；所述抗紫外層設置在所述基板與所述緩沖層之間，和/或設置在所述緩沖層之上，和/或在所述基板的第二面之上；
所述抗紫外層為兩層，且兩層所述抗紫外層的形成包括：
形成二氧化鈦薄膜；
其中，兩層所述抗紫外層分別為第一抗紫外層和第二抗紫外層，且所述第二抗紫外層的粒徑小于所述第一抗紫外層的粒徑。
7.根據權利要求6所述的薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，采用氣相沉積方法沉積所述抗紫外層；
所述氣相沉積方法是在高溫條件下，通過氧氣和四氯化鈦發(fā)生反應生成所述二氧化鈦薄膜；
通過控制所述氧氣的溫度來調節(jié)所述二氧化鈦薄膜的粒徑大小。
8.根據權利要求6所述的薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，采用蒸鍍方法沉積所述抗紫外層；
所述蒸鍍方法是利用保持預設壓力的惰性氣體對四氯化鈦進行加熱形成蒸汽，并對所述蒸汽進行冷凝形成所述二氧化鈦薄膜；
通過控制所述預設壓力和加熱溫度來調節(jié)所述二氧化鈦薄膜的粒徑大小。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專門適用于整流、放大、振蕩或切換，并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的半導體器件；具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘，例如PN結耗盡層或載流子集結層的電容器或電阻器；半導體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導體器件的類型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過對一個不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進行控制的
H01L29-82 ..通過施加于器件的磁場變化可控的
