[發(fā)明專利]有機發(fā)光二極管基板及其制造方法

有效

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• 申請日: 2017-09-20
• 公開（公告）號: CN107611280B
• 公開（公告）日: 2020-04-28
• 發(fā)明（設計）人: 吳海東;李彥松;杜小波
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司;鄂爾多斯市源盛光電有限責任公司
• 主分類號: H01L51/52
• 分類號: H01L51/52;H01L51/56
• 代理公司: 北京安信方達知識產(chǎn)權代理有限公司 11262
• 代理人: 曲鵬;張京波

本發(fā)明提供了一種有機發(fā)光二極管基板及其制造方法。有機發(fā)光二極管基板包括：設置在基底上像素定義層，以及設置在像素區(qū)域內(nèi)的陽極、有機發(fā)光二極管OLED功能層和陰極，所述像素定義層包括依次疊設的第一像素定義層、輔助陰極和第二像素定義層，所述輔助陰極與所述陰極連接。本發(fā)明通過在兩個像素定義層之間形成輔助陰極，在像素區(qū)域形成陰極，且陰極與輔助陰極連接，不僅有效改善了視角色偏問題，而且陰極電壓分布均勻，具有較高的亮度均勻性，同時提高了OLED的透光性和導電性。

技術領域

本發(fā)明涉及顯示技術領域，具體涉及一種有機發(fā)光二極管基板及其制造方法。

背景技術

在顯示技術領域，液晶(Liquid Crystal Display，LCD)顯示裝置和有機發(fā)光二極管(Organic Light Emitting Diode，OLED)顯示裝置已經(jīng)逐步取代CRT顯示器。由于OLED顯示裝置具有亮度高、色彩飽和、輕薄、可彎曲和成本低等優(yōu)點，有望成為繼LCD顯示技術之后的下一代平板顯示技術，是平板顯示技術中倍受關注的技術之一。有源矩陣有機發(fā)光二極管(Active Matrix Organic Light Emitting Diode，AMOLED)顯示裝置是OLED顯示裝置的一種，主要由薄膜晶體管(Thin Film Transistor，TFT)和OLED構成。

按照出光方向，OLED基板可以分為三種：底發(fā)射OLED、頂發(fā)射OLED與雙面發(fā)射OLED。具體的，底發(fā)射OLED中光從基板射出，頂發(fā)射OLED中光從頂部方向射出，雙面發(fā)射OLED中光同時從基板和頂部射出。其中，與底發(fā)射OLED相比，頂發(fā)射OLED具有開口率高、色純度高、容易實現(xiàn)高分辨率(Pixels per inch，PPI)等優(yōu)點，因此成為目前主流的有機電致發(fā)光器件結構。

對于頂發(fā)射OLED，由于出光方向在陰極一側，因此陰極的設計對顯示性能有至關重要的影響。目前設計中，要求陰極具有較好的透光性和導電性，但同時滿足透光性和導電性要求則存在較大的難度。例如，為了滿足透光性要求，必然要求陰極的厚度較薄，但此時陰極的電阻較大，不僅會導致電壓上升、功耗增大的問題，而且導致陰極上各處電壓分布不均勻，出現(xiàn)亮度不均勻的問題。為了滿足導電性要求，必然要求陰極的厚度較大，但此時陰極的透過率較低，會出現(xiàn)視角色偏問題。

因此，頂發(fā)射OLED結構設計中如何同時提高透光性和導電性，是本領域亟待解決的技術問題。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明實施例所要解決的技術問題是，提供一種有機發(fā)光二極管基板及其制造方法，以同時提高透光性和導電性。

為了解決上述技術問題，本發(fā)明實施例提供了一種有機發(fā)光二極管基板，包括：

設置在基底上像素定義層，以及設置在像素區(qū)域內(nèi)的陽極、有機發(fā)光二極管OLED功能層和陰極，所述像素定義層包括依次疊設的第一像素定義層、輔助陰極和第二像素定義層，所述輔助陰極與所述陰極連接。

可選地，所述第一像素定義層的厚度為300～350nm，所述第一像素界定層邊緣的坡度角和第二像素定義層邊緣的坡度角為85°～90°。

可選地，所述陽極與所述輔助陰極同層設置且通過一次工藝形成。

可選地，所述陰極的厚度為6～10nm。

可選地，所述輔助陰極包括依次疊設的厚度為5～20nm的第一透明導電層、厚度為130～170nm的金屬層和厚度為5～20nm的第二透明導電層。