[發明專利]半導體裝置的制作方法

在審

• 申請號: 201710851861.4
• 申請日: 2017-09-19
• 公開（公告）號: CN108231551A
• 公開（公告）日: 2018-06-29
• 發明（設計）人: 劉朕與;張慶裕;林進祥
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/027
• 分類號: H01L21/027
• 代理公司: 隆天知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 馮志云;王芝艷

提供一種半導體裝置及其制作方法，包含形成硅基樹脂于基板上。在多種實施例中，硅基樹脂包含硝基苯甲基。在一些實施例中，進行烘烤制程以交聯硅基樹脂。之后圖案化交聯的硅基樹脂，并采用圖案化的交聯的硅基樹脂作為蝕刻掩模，并蝕刻下方層。在多種例子中，以射線源照射交聯的硅基樹脂，使交聯的硅基樹脂解交聯。在一些實施例中，采用有機溶液移除解交聯的硅基樹脂。

技術領域

本發明實施例關于半導體裝置的制作方法，更特別關于部份微影制程的材料組成。

背景技術

電子產業對較小與較快的電子裝置的需求增加，且電子裝置同時提供大量的復雜功能。綜上所述，半導體產業的持續趨勢為制作低成本、高效能、與低能耗的集成電路。通過縮小半導體的集成電路尺寸(如最小結構尺寸)可達這些遠程目標，進而改良產能與降低相關成本。然而縮小尺寸也會增加集成電路制程的復雜性。為了實現半導體集成電路與裝置的持續進展，需要在半導體制程與技術上具有類似進展。

舉例來說，一般微影制程可包含形成圖案化的光阻層于硬掩模層上。接著可進行蝕刻制程，其采用圖案化的光阻層作為蝕刻掩模并蝕刻硬掩模層，以將圖案轉移至硬掩模層。后續步驟可將圖案轉移至基板。隨著集成電路尺寸持續縮小，光阻層亦縮小而面臨新的挑戰。在一些例子中，光阻圖案變的較窄且較高，而高深寬比造成光阻圖案易于崩塌。此外，光阻層厚度縮小至不足以將光阻圖案充份地轉移至下方層。在一些情況下，上述問題可能來自于光阻層的抗蝕刻性不足。多種雙層或多層(如三層)光阻結構已用于實施成像薄層，其可克服上述的一或多個問題。然而在至少一些狀況下，移除雙層或多層光阻結構的一或多層時，亦可能蝕刻(即損傷)下方層。

如此一來，現有技術無法完全滿足所有方面。

發明內容

本發明一實施例提供的半導體裝置的制作方法，包括：形成硅基樹脂于基板上，其中硅基樹脂包含硝基苯甲基；進行烘烤制程，以交聯硅基樹脂；圖案化交聯的硅基樹脂，并采用圖案化的交聯的硅基樹脂作為蝕刻掩模，且蝕刻下方層；以射線源照射交聯的硅基樹脂，以解交聯硅基樹脂；以及采用有機溶液移除解交聯的硅基樹脂。

附圖說明

圖1是一些實施例中，多層光阻結構的剖視圖。

圖2A、2B、與2C是一些實施例中，圖案化的多層光阻結構的剖視圖。

圖3與4是一些實施例中，烘烤步驟之前與之后的材料組成。

圖5與6是一些實施例中，以射線源照射之前與之后的材料組成。

圖7是多種實施例中，半導體制程方法的流程圖。

圖8A至8H是依據圖7的方法制作與處理的裝置于中間階段的剖視圖。

【符號說明】

BL 底層

ML 中間層

PR 光阻

302 烘烤步驟

502 紫外線

700 方法

702、704、706、712、714、716、718、720 步驟

800 半導體裝置

802 基板