[發明專利]半導體裝置的制作方法在審
| 申請號： | 201710851861.4 | 申請日： | 2017-09-19 |
| 公開（公告）號： | CN108231551A | 公開（公告）日： | 2018-06-29 |
| 發明（設計）人： | 劉朕與;張慶裕;林進祥 | 申請（專利權）人： | 臺灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/027 | 分類號： | H01L21/027 |
| 代理公司： | 隆天知識產權代理有限公司 72003 | 代理人： | 馮志云;王芝艷 |
| 地址： | 中國臺*** | 國省代碼： | 中國臺灣;71 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 硅基樹脂 交聯 半導體裝置 解交聯 圖案化 蝕刻 硝基苯甲基 交聯硅基 蝕刻掩模 有機溶液 射線源 下方層 烘烤 樹脂 基板 移除 制程 制作 照射 | ||
【權利要求書】：
1.一種半導體裝置的制作方法，包括：
形成一硅基樹脂于一基板上，其中該硅基樹脂包含硝基苯甲基；
進行一烘烤制程，以交聯該硅基樹脂；
圖案化交聯的該硅基樹脂，并采用圖案化的交聯的該硅基樹脂作為一蝕刻掩模，且蝕刻一下方層；
以一射線源照射該交聯的硅基樹脂，以解交聯該硅基樹脂；以及
采用一有機溶液移除解交聯的該硅基樹脂。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
