[發明專利]高壓工藝集成電路方法在審
| 申請號： | 201710851519.4 | 申請日： | 2017-09-19 |
| 公開（公告）號： | CN107785324A | 公開（公告）日： | 2018-03-09 |
| 發明（設計）人： | 王惠惠;金鋒;鄧彤 | 申請（專利權）人： | 上海華虹宏力半導體制造有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/8249 | 分類號： | H01L21/8249 |
| 代理公司： | 上海浦一知識產權代理有限公司31211 | 代理人： | 戴廣志 |
| 地址： | 201203 上海市浦東*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 高壓 工藝 集成電路 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種高壓工藝集成電路方法，其特征在于：包含如下的步驟：
步驟1，按照高壓BCD工藝，在P型襯底上注入形成N型深阱,以及注入形成P阱；在高阻區域形成熱氧化層；
步驟2，對器件表面進行雜質的整體注入，調整N型深阱區硅表面摻雜的濃度，進而調整PMOS閾值電壓達到設計要求；
步驟3，淀積柵極熱氧化層及多晶硅，進行低摻雜注入，調節多晶硅電阻值達到高值電阻的阻值要求；完成多晶硅柵極及高值電阻的刻蝕成型；完成CMOS中PMOS和NMOS的源漏極注入；
步驟4,淀積層間介質，刻蝕接觸孔并制作電極、引出。
2.如權利要求1所述的高壓工藝集成電路方法，其特征在于：所述步驟1中，利用N型深阱的注入替代N阱的注入，通過器件表面整體注入調節PMOS的閾值電壓。
3.如權利要求2所述的高壓工藝集成電路方法，其特征在于：所述的器件表面整體注入的雜質為砷，注入能量為80～120keV,注入劑量為9E11～5E12cm-2。
4.如權利要求1所述的高壓工藝集成電路方法，其特征在于：所述步驟2中，整體注入的雜質為砷或磷,注入能量為80～140keV,注入劑量為1E11～6E11cm-2。
5.如權利要求1所述的高壓工藝集成電路方法，其特征在于：所述步驟3中，同時利用PMOS和NMOS的源漏極的注入來完成多晶硅柵極的摻雜，調節多晶硅柵極的阻值。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
