[發明專利]發光二極管芯片的制造方法和發光二極管芯片

在審

• 申請號: 201710851015.2
• 申請日: 2017-09-20
• 公開（公告）號: CN107895714A
• 公開（公告）日: 2018-04-10
• 發明（設計）人: 岡村卓
• 申請（專利權）人: 株式會社迪思科
• 主分類號: H01L21/78
• 分類號: H01L21/78;H01L33/00;H01L33/20
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司11127
• 代理人: 李輝,黃綸偉

技術領域

本發明涉及發光二極管芯片的制造方法和發光二極管芯片。

背景技術

在藍寶石基板、GaN基板、SiC基板等晶體生長用基板的正面上形成有層疊體層，該層疊體層通過將n型半導體層、發光層以及p型半導體層層疊多層而形成，將在該層疊體層上由交叉的多條分割預定線劃分出的區域內形成有多個LED(Light Emitting Diode：發光二極管)等發光器件的晶片沿著分割預定線切斷而分割成各個發光器件芯片，分割得到的發光器件芯片被廣泛地應用在移動電話、個人計算機、照明設備等各種電子設備中。

由于從發光器件芯片的發光層射出的光具有各向同性的性質，所以光也會照射到晶體生長用基板的內部從而也會從基板的背面和側面出射。然而存在如下問題，由于在照射到基板的內部的光中，基板與空氣層的界面處的入射角為臨界角以上的光在界面上發生全反射而被封閉在基板內部，不會從基板出射到外部，所以導致發光器件芯片的亮度降低。

為了解決該問題，在日本特開2014-175354號公報中記載了如下的發光二極管(LED)：為了抑制從發光層射出的光被封閉在基板的內部，將透明部件粘貼在基板的背面上以期提高亮度。

專利文獻1：日本特開2014-175354號公報

然而，在專利文獻1所公開的發光二極管中，存在如下問題：雖然通過將透明部件粘貼在基板的背面而稍微提高了亮度，但無法得到充分的亮度。

發明內容

本發明是鑒于這樣的點而完成的，其目的在于，提供能夠得到充分的亮度的發光二極管芯片的制造方法和發光二極管芯片。

根據技術方案1的發明，提供發光二極管芯片的制造方法，其特征在于，該發光二極管芯片的制造方法具有如下的工序：晶片準備工序，準備如下的晶片：該晶片在晶體生長用透明基板上具有層疊體層，在該層疊體層的正面上由互相交叉的多條分割預定線劃分的各區域中分別形成有LED電路，其中，所述層疊體層形成有包含發光層在內的多個半導體層；透明基板準備工序，準備在內部形成有多個氣泡的透明基板；一體化工序，將晶片的背面粘貼在該透明基板的正面上而形成一體化晶片；以及分割工序，沿著該分割預定線將該晶片與該透明基板一起切斷而將該一體化晶片分割成各個發光二極管芯片。

優選該透明基板由透明陶瓷、光學玻璃、藍寶石以及透明樹脂中的任意材料形成，在該一體化工序中通過透明粘接劑將該透明基板粘接在晶片上。

根據技術方案3的發明，提供發光二極管芯片，其中，該發光二極管芯片具有：發光二極管，其在正面上形成有LED電路；以及透明部件，其粘貼在該發光二極管的背面上，在該透明部件的內部形成有多個氣泡。

關于本發明的發光二極管芯片，由于在粘貼于LED的背面的透明部件的內部形成有多個氣泡，所以透明部件的表面積增大，而且減少了因光在透明部件內復雜地折射從而被封閉在透明部件內的光，從透明部件出射的光的量增大，使發光二極管芯片的亮度提高。

附圖說明

圖1是光器件晶片的正面側立體圖。

圖2的(A)是示出將具有多個貫通孔的透明基板的正面粘貼在晶片的背面上而進行一體化的一體化工序的立體圖，圖2的(B)是一體化晶片的立體圖。

圖3是示出借助劃片帶將一體化晶片支承在環狀框架上的支承工序的立體圖。

圖4是示出將一體化晶片分割成發光二極管芯片的分割工序的立體圖。

圖5是分割工序結束后的一體化晶片的立體圖。

圖6是本發明實施方式的發光二極管芯片的立體圖。

標號說明

10：切削單元；11：光器件晶片(晶片)；13：藍寶石基板；14：切削刀具；15：層疊體層；17：分割預定線；19：LED電路；21：透明基板；21A：透明部件；25：一體化晶片；27：切斷槽；29：氣泡；31：發光二極管芯片。

具體實施方式

以下，參照附圖對本發明的實施方式進行詳細的說明。參照圖1，示出了光器件晶片(以下，有時簡稱為晶片)11的正面側立體圖。

光器件晶片11構成為在藍寶石基板13上層疊有氮化鎵(GaN)等外延層(層疊體層)15。光器件晶片11具有層疊有外延層15的正面11a和露出藍寶石基板13的背面11b。

這里，在本實施方式的光器件晶片11中，采用藍寶石基板13來作為晶體生長用基板，但也可以代替藍寶石基板13而采用GaN基板或SiC基板等。