[發明專利]發光二極管芯片的制造方法和發光二極管芯片

在審

• 申請號: 201710851015.2
• 申請日: 2017-09-20
• 公開（公告）號: CN107895714A
• 公開（公告）日: 2018-04-10
• 發明（設計）人: 岡村卓
• 申請（專利權）人: 株式會社迪思科
• 主分類號: H01L21/78
• 分類號: H01L21/78;H01L33/00;H01L33/20
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司11127
• 代理人: 李輝,黃綸偉

1.一種發光二極管芯片的制造方法，其特征在于，該發光二極管芯片的制造方法具有如下的工序：

晶片準備工序，準備如下的晶片：該晶片在晶體生長用透明基板上具有層疊體層，在該層疊體層的正面上由互相交叉的多條分割預定線劃分出的各區域中分別形成有LED電路，其中，所述層疊體層形成有包含發光層在內的多個半導體層；

透明基板準備工序，準備在內部形成有多個氣泡的透明基板；

一體化工序，將晶片的背面粘貼在該透明基板的正面上而形成一體化晶片；以及

分割工序，沿著該分割預定線將該晶片與該透明基板一起切斷而將該一體化晶片分割成各個發光二極管芯片。

2.根據權利要求1所述的發光二極管芯片的制造方法，其中，

該透明基板由透明陶瓷、光學玻璃、藍寶石以及透明樹脂中的任意材料形成，在該一體化工序中使用透明粘接劑將該透明基板粘貼在該晶片上。

3.一種發光二極管芯片，其中，

該發光二極管芯片具有：

發光二極管，其在正面上形成有LED電路；以及

透明部件，其粘貼在該發光二極管的背面上，

在該透明部件的內部形成有多個氣泡。