[發明專利]半導體存儲裝置

有效

• 申請號: 201710849929.5
• 申請日: 2017-09-20
• 公開（公告）號: CN107863121B
• 公開（公告）日: 2021-08-31
• 發明（設計）人: 金龍燮
• 申請（專利權）人: 愛思開海力士有限公司
• 主分類號: G11C7/10
• 分類號: G11C7/10
• 代理公司: 北京弘權知識產權代理有限公司 11363
• 代理人: 郭放;許偉群

1.一種半導體存儲裝置，包括：

寫入控制電路，其適用于在寫入操作中響應于寫入電壓的電壓電平來產生寫入取消信號和重寫信號；以及

驅動電路，其適用于在寫入操作中響應于寫入取消信號和重寫信號來將數據傳輸到數據儲存區域，

其中，驅動電路通過被施加作為驅動電壓的寫入電壓來操作，

其中，當寫入電壓的電壓電平變得比目標電平低時，使能寫入取消信號；而當寫入取消信號被使能時，在從寫入操作的時刻起經過預定時間之后使能重寫信號，以及

其中，當在寫入操作中寫入取消信號被使能時，數據不被傳輸到儲存區域，而當重寫信號被使能時，數據被傳輸到數據儲存區域。

2.根據權利要求1所述的半導體存儲裝置，其中，寫入控制電路包括：

寫入取消控制電路，其適用于當寫入電壓的電壓電平變得比目標電平低時，使能寫入取消信號；以及

重寫控制電路，其適用于當寫入取消信號被使能時，在從寫入操作的時刻起經過預定時間之后使能重寫信號。

3.一種半導體存儲裝置，包括：

寫入電壓檢測電路，其適用于檢測寫入電壓的電壓電平并且產生檢測信號；

寫入控制電路，其適用于響應于檢測信號來產生寫入取消信號和重寫信號；以及

驅動電路，其適用于當響應于寫入使能信號、寫入取消信號和重寫信號而被激活時驅動數據，并且將所驅動的數據傳輸到數據存儲區,

其中，驅動電路通過被施加作為驅動電壓的寫入電壓來操作，

其中，當寫入電壓的電壓電平變得比目標電平低時，使能寫入取消信號；而當寫入取消信號被使能時，在從寫入操作的時刻起經過預定時間之后使能重寫信號，其中重寫信號是通過使寫入使能信號延遲來產生的，

其中，當在寫入操作中寫入取消信號被使能時，數據不被傳輸到儲存區域，而當重寫信號被使能時，數據被傳輸到數據儲存區域，以及

其中，寫入使能信號是在寫入操作中被使能的信號。

4.根據權利要求3所述的半導體存儲裝置，其中，當寫入電壓的電壓電平變得比目標電平低時，寫入電壓檢測電路使能檢測信號。

5.根據權利要求3所述的半導體存儲裝置，其中，當檢測信號被禁止時，寫入控制電路禁止寫入取消信號和重寫信號兩者，而當檢測信號被使能時，寫入控制電路在寫入取消信號被使能且寫入使能信號被使能之后使能重寫信號。

6.根據權利要求5所述的半導體存儲裝置，其中，寫入控制電路包括：

寫入取消控制電路，其適用于：當檢測信號被禁止時，禁止寫入取消信號，而當檢測信號被使能時，使能寫入取消信號；以及

重寫控制電路，其適用于當寫入取消信號被使能時，通過延遲寫入使能信號來輸出重寫信號。

7.根據權利要求6所述的半導體存儲裝置，其中，當寫入取消信號被禁止時，驅動電路響應于寫入使能信號而被激活；而當寫入取消信號被使能時，驅動電路不管寫入使能信號如何都被切斷；以及即使寫入取消信號被使能，當重寫信號被使能時，驅動電路也被激活。

8.一種半導體存儲裝置，包括：

多個驅動電路，其適用于被施加寫入電壓并且將數據傳輸到數據儲存區域；

寫入電壓檢測電路，其適用于檢測寫入電壓的電壓電平并且產生檢測信號；以及

寫入控制電路，其適用于響應于用于寫入操作的寫入使能信號、用于控制在第一模式和第二模式的操作的速率控制信號、用于使能在第一模式和第二模式的操作的速率使能信號以及檢測信號而執行在第一模式和第二模式的操作，在第一模式激活所述多個驅動電路全部，而在第二模式首先激活所述多個驅動電路中的一部分驅動電路、并且在激活所述多個驅動電路的一部分驅動電路之后激活剩余的驅動電路，

其中，速率控制信號和速率使能信號是從模式寄存器組產生的。